Кинетика pоста кpисталла ⁴He с малой концентрацией пpимеси ³He

• Опубліковано в: : Физика низких температур
• Дата: 1997
• Автор: Цымбаленко, В.Л.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1997
• Теми: Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175527
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Кинетика pоста кpисталла ⁴He с малой концентрацией пpимеси ³He / В.Л. Цымбаленко // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 5-6. — С. 619-623. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.

Измерен кинетический коэффициент роста атомно-шероховатой поверхности кристалла гелия из раствора с примесью ³Не (х = 8-10⁻⁵ , 2-10⁻⁴). В интервале температур 1,2 -1,4 К примесь не влияла на кинетику роста. Сравнение результатов с теорией позволяет сделать вывод об отсутствии дополнительного вклада в кинетику роста за счет диффузии примеси. Виміряно кінетичний коефіцієнт росту атомно-шершавої поверхні кристала гелію з розчину з домішкою ³Не (х = 8-10⁻⁵ , 2-10⁻⁴). В інтервалі температур 1,2-1,4 К домішка не впливала на кінетику росту. Порівняння результатів експерименту з теорією дозволяє зробити висновок про відсутність додаткового внеску в кінетику росту за рахунок дифузії домішки. The kinetic growth coefficient is measured for an atomically rough surface of a helium crystal grown from a solution with a low ³Не impurity concentration (х = 8-10⁻⁵ , 2-10⁻⁴). The impurity does not affect the growth rate of the surface in the temperature range from 1.2 to 1.4 K. A comparison of the experimental results with the theory leads to the conclusion that the additional contribution of impurity diffusion to the growth kinetics is equal to zero.