Кинетика pоста кpисталла ⁴He с малой концентрацией пpимеси ³He

Измерен кинетический коэффициент роста атомно-шероховатой поверхности кристалла гелия из раствора с примесью ³Не (х = 8-10⁻⁵ , 2-10⁻⁴). В интервале температур 1,2 -1,4 К примесь не влияла на кинетику роста. Сравнение результатов с теорией позволяет сделать вывод об отсутствии дополнительного вклад...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физика низких температур
Datum:1997
1. Verfasser: Цымбаленко, В.Л.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1997
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175527
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Кинетика pоста кpисталла ⁴He с малой концентрацией пpимеси ³He / В.Л. Цымбаленко // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 5-6. — С. 619-623. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-175527
record_format dspace
spelling Цымбаленко, В.Л.
2021-02-01T16:33:39Z
2021-02-01T16:33:39Z
1997
Кинетика pоста кpисталла ⁴He с малой концентрацией пpимеси ³He / В.Л. Цымбаленко // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 5-6. — С. 619-623. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.
0132-6414
PACS: 67.80.Mg
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175527
Измерен кинетический коэффициент роста атомно-шероховатой поверхности кристалла гелия из раствора с примесью ³Не (х = 8-10⁻⁵ , 2-10⁻⁴). В интервале температур 1,2 -1,4 К примесь не влияла на кинетику роста. Сравнение результатов с теорией позволяет сделать вывод об отсутствии дополнительного вклада в кинетику роста за счет диффузии примеси.
Виміряно кінетичний коефіцієнт росту атомно-шершавої поверхні кристала гелію з розчину з домішкою ³Не (х = 8-10⁻⁵ , 2-10⁻⁴). В інтервалі температур 1,2-1,4 К домішка не впливала на кінетику росту. Порівняння результатів експерименту з теорією дозволяє зробити висновок про відсутність додаткового внеску в кінетику росту за рахунок дифузії домішки.
The kinetic growth coefficient is measured for an atomically rough surface of a helium crystal grown from a solution with a low ³Не impurity concentration (х = 8-10⁻⁵ , 2-10⁻⁴). The impurity does not affect the growth rate of the surface in the temperature range from 1.2 to 1.4 K. A comparison of the experimental results with the theory leads to the conclusion that the additional contribution of impurity diffusion to the growth kinetics is equal to zero.
Автор признателен С.Н. Бурмистрону и Л.Б. Дубовскому за мноrочисленные полезные обсуждения в процессе работы, а также А.Я. Паршину за ценное обсуждение результа­тов работы. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследова­ний, грант № 96-02-18511а.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
Кинетика pоста кpисталла ⁴He с малой концентрацией пpимеси ³He
Growth kinetics of ⁴He crystal with a low ³He impurity concentration
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Кинетика pоста кpисталла ⁴He с малой концентрацией пpимеси ³He
spellingShingle Кинетика pоста кpисталла ⁴He с малой концентрацией пpимеси ³He
Цымбаленко, В.Л.
Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
title_short Кинетика pоста кpисталла ⁴He с малой концентрацией пpимеси ³He
title_full Кинетика pоста кpисталла ⁴He с малой концентрацией пpимеси ³He
title_fullStr Кинетика pоста кpисталла ⁴He с малой концентрацией пpимеси ³He
title_full_unstemmed Кинетика pоста кpисталла ⁴He с малой концентрацией пpимеси ³He
title_sort кинетика pоста кpисталла ⁴he с малой концентрацией пpимеси ³he
author Цымбаленко, В.Л.
author_facet Цымбаленко, В.Л.
topic Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
topic_facet Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
publishDate 1997
language Russian
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt Growth kinetics of ⁴He crystal with a low ³He impurity concentration
description Измерен кинетический коэффициент роста атомно-шероховатой поверхности кристалла гелия из раствора с примесью ³Не (х = 8-10⁻⁵ , 2-10⁻⁴). В интервале температур 1,2 -1,4 К примесь не влияла на кинетику роста. Сравнение результатов с теорией позволяет сделать вывод об отсутствии дополнительного вклада в кинетику роста за счет диффузии примеси. Виміряно кінетичний коефіцієнт росту атомно-шершавої поверхні кристала гелію з розчину з домішкою ³Не (х = 8-10⁻⁵ , 2-10⁻⁴). В інтервалі температур 1,2-1,4 К домішка не впливала на кінетику росту. Порівняння результатів експерименту з теорією дозволяє зробити висновок про відсутність додаткового внеску в кінетику росту за рахунок дифузії домішки. The kinetic growth coefficient is measured for an atomically rough surface of a helium crystal grown from a solution with a low ³Не impurity concentration (х = 8-10⁻⁵ , 2-10⁻⁴). The impurity does not affect the growth rate of the surface in the temperature range from 1.2 to 1.4 K. A comparison of the experimental results with the theory leads to the conclusion that the additional contribution of impurity diffusion to the growth kinetics is equal to zero.
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175527
citation_txt Кинетика pоста кpисталла ⁴He с малой концентрацией пpимеси ³He / В.Л. Цымбаленко // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 5-6. — С. 619-623. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT cymbalenkovl kinetikapostakpistalla4hesmaloikoncentracieippimesi3he
AT cymbalenkovl growthkineticsof4hecrystalwithalow3heimpurityconcentration
first_indexed 2025-12-07T17:22:57Z
last_indexed 2025-12-07T17:22:57Z
_version_ 1850871043479044096