Кинетика pоста кpисталла ⁴He с малой концентрацией пpимеси ³He
Измерен кинетический коэффициент роста атомно-шероховатой поверхности кристалла гелия из раствора с примесью ³Не (х = 8-10⁻⁵ , 2-10⁻⁴). В интервале температур 1,2 -1,4 К примесь не влияла на
 кинетику роста. Сравнение результатов с теорией позволяет сделать вывод об отсутствии дополнительног...
Saved in:
| Published in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Date: | 1997 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1997
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175527 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Кинетика pоста кpисталла ⁴He с малой концентрацией пpимеси ³He / В.Л. Цымбаленко // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 5-6. — С. 619-623. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862710264837701632 |
|---|---|
| author | Цымбаленко, В.Л. |
| author_facet | Цымбаленко, В.Л. |
| citation_txt | Кинетика pоста кpисталла ⁴He с малой концентрацией пpимеси ³He / В.Л. Цымбаленко // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 5-6. — С. 619-623. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Измерен кинетический коэффициент роста атомно-шероховатой поверхности кристалла гелия из раствора с примесью ³Не (х = 8-10⁻⁵ , 2-10⁻⁴). В интервале температур 1,2 -1,4 К примесь не влияла на
кинетику роста. Сравнение результатов с теорией позволяет сделать вывод об отсутствии дополнительного
вклада в кинетику роста за счет диффузии примеси.
Виміряно кінетичний коефіцієнт росту атомно-шершавої поверхні кристала гелію з розчину з домішкою ³Не (х = 8-10⁻⁵ , 2-10⁻⁴). В інтервалі температур 1,2-1,4 К домішка не впливала на кінетику
росту. Порівняння результатів експерименту з теорією дозволяє зробити висновок про відсутність
додаткового внеску в кінетику росту за рахунок дифузії домішки.
The kinetic growth coefficient is measured for an atomically rough surface of a helium crystal grown from a solution with a low ³Не impurity concentration (х = 8-10⁻⁵ , 2-10⁻⁴). The impurity does not affect the growth rate of the surface in the temperature range from 1.2 to 1.4 K. A comparison of the experimental results with the theory leads to the conclusion that the additional contribution of impurity diffusion to the growth kinetics is equal to zero.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:22:57Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-175527 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:22:57Z |
| publishDate | 1997 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Цымбаленко, В.Л. 2021-02-01T16:33:39Z 2021-02-01T16:33:39Z 1997 Кинетика pоста кpисталла ⁴He с малой концентрацией пpимеси ³He / В.Л. Цымбаленко // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 5-6. — С. 619-623. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 67.80.Mg https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175527 Измерен кинетический коэффициент роста атомно-шероховатой поверхности кристалла гелия из раствора с примесью ³Не (х = 8-10⁻⁵ , 2-10⁻⁴). В интервале температур 1,2 -1,4 К примесь не влияла на
 кинетику роста. Сравнение результатов с теорией позволяет сделать вывод об отсутствии дополнительного
 вклада в кинетику роста за счет диффузии примеси. Виміряно кінетичний коефіцієнт росту атомно-шершавої поверхні кристала гелію з розчину з домішкою ³Не (х = 8-10⁻⁵ , 2-10⁻⁴). В інтервалі температур 1,2-1,4 К домішка не впливала на кінетику
 росту. Порівняння результатів експерименту з теорією дозволяє зробити висновок про відсутність
 додаткового внеску в кінетику росту за рахунок дифузії домішки. The kinetic growth coefficient is measured for an atomically rough surface of a helium crystal grown from a solution with a low ³Не impurity concentration (х = 8-10⁻⁵ , 2-10⁻⁴). The impurity does not affect the growth rate of the surface in the temperature range from 1.2 to 1.4 K. A comparison of the experimental results with the theory leads to the conclusion that the additional contribution of impurity diffusion to the growth kinetics is equal to zero. Автор признателен С.Н. Бурмистрону и Л.Б. Дубовскому за мноrочисленные полезные обсуждения в процессе работы, а также А.Я. Паршину за ценное обсуждение результатов работы. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, грант № 96-02-18511а. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы Кинетика pоста кpисталла ⁴He с малой концентрацией пpимеси ³He Growth kinetics of ⁴He crystal with a low ³He impurity concentration Article published earlier |
| spellingShingle | Кинетика pоста кpисталла ⁴He с малой концентрацией пpимеси ³He Цымбаленко, В.Л. Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы |
| title | Кинетика pоста кpисталла ⁴He с малой концентрацией пpимеси ³He |
| title_alt | Growth kinetics of ⁴He crystal with a low ³He impurity concentration |
| title_full | Кинетика pоста кpисталла ⁴He с малой концентрацией пpимеси ³He |
| title_fullStr | Кинетика pоста кpисталла ⁴He с малой концентрацией пpимеси ³He |
| title_full_unstemmed | Кинетика pоста кpисталла ⁴He с малой концентрацией пpимеси ³He |
| title_short | Кинетика pоста кpисталла ⁴He с малой концентрацией пpимеси ³He |
| title_sort | кинетика pоста кpисталла ⁴he с малой концентрацией пpимеси ³he |
| topic | Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы |
| topic_facet | Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175527 |
| work_keys_str_mv | AT cymbalenkovl kinetikapostakpistalla4hesmaloikoncentracieippimesi3he AT cymbalenkovl growthkineticsof4hecrystalwithalow3heimpurityconcentration |