Влияние деффектной структуры на магнитные и электронные свойства Hg₁₋xCrxSe и Hg₁₋xCoxSe

• Опубліковано в: : Физика низких температур
• Дата: 1996
• Автори: Прозоровский, В.Д., Решилова, И.Ю., Пузыня, А.И., Паранич, Ю.С.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1996
• Теми: Электpонные свойства металлов и сплавов
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175550
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Влияние деффектной структуры на магнитные и электронные свойства Hg₁₋xCrxSe и Hg₁₋xCoxSe / В.Д. Прозоровский, И.Ю. Решилова, А.И. Пузыня, Ю.С. Паранич // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 12. — С. 1396-1405. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Представлены результаты экспериментальных исследований осцилляций Шубникова—де Гааза на СВЧ, электронного спинового резонанса, магнитной восприимчивости, релаксационных диэлектрических потерь, а также результаты гальваномагнитных измерений в монокристаллических образцах Hg₁₋xCrxSe и Hg₁₋xCoxSe. Анализ этих результатов показал, что магнитные и электронные свойства Hg₁₋xCrxSe и Hg₁₋xCoxSe зависят от типа дефектов и дефектной структуры вещества. От дефектной структуры также зависит и проявление критических явлений в Hg₁₋xCrxSe. Наведено результати експериментальних досліджень осциляцій Шубнікова--де Гааза на НВЧ, електрон-
 ного спінового резонансу, магнітної сприйнятливості, релаксаційних діелектричних втрат, а також результа-
 ти гальваномагнітних вимірювань у монокристалічних зразках Hg₁₋xCrxSe та Hg₁₋xCoxSe. Аналіз цих результатів довів, що магнітні та електронні властивості Hg₁₋xCrxSe та Hg₁₋xCoxSe залежать від типу дефектів і дефектної структури речовини. Від дефектної структури також залежить і проявлення критичних явищ у Hg₁₋xCrxSe. The results of experimental investigations of the Shubnikov-de Haas oscillations at superhigh frequencies, electron spin resonance, magnetic susceptibility, relaxation dielectric losses, and galvanomagnetic measurements in the Hg₁₋xCrxSe and Hg₁₋xCoxSe single-crystal samples are presented. Analysis of the results has shown that the magnetic and electronic properties of Hg₁₋xCrxSe and Hg₁₋xCoxSe depend on the defect structure of the substance and the type of defects making this structure. The manifestation of critical phenomena in Hg₁₋xCrxSe also depends on the defect structure.