Влияние деффектной структуры на магнитные и электронные свойства Hg₁₋xCrxSe и Hg₁₋xCoxSe
Представлены результаты экспериментальных исследований осцилляций Шубникова—де Гааза на СВЧ, электронного спинового резонанса, магнитной восприимчивости, релаксационных диэлектрических потерь, а также результаты гальваномагнитных измерений в монокристаллических образцах Hg₁₋xCrxSe и Hg₁₋xCoxSe. Анал...
Saved in:
| Published in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Date: | 1996 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1996
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175550 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Влияние деффектной структуры на магнитные и электронные свойства Hg₁₋xCrxSe и Hg₁₋xCoxSe / В.Д. Прозоровский, И.Ю. Решилова, А.И. Пузыня, Ю.С. Паранич // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 12. — С. 1396-1405. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | Представлены результаты экспериментальных исследований осцилляций Шубникова—де Гааза на СВЧ, электронного спинового резонанса, магнитной восприимчивости, релаксационных диэлектрических потерь, а также результаты гальваномагнитных измерений в монокристаллических образцах Hg₁₋xCrxSe и Hg₁₋xCoxSe. Анализ этих результатов показал, что магнитные и электронные свойства Hg₁₋xCrxSe и Hg₁₋xCoxSe зависят от типа дефектов и дефектной структуры вещества. От дефектной структуры также зависит и проявление критических явлений в Hg₁₋xCrxSe.
Наведено результати експериментальних досліджень осциляцій Шубнікова--де Гааза на НВЧ, електрон-
ного спінового резонансу, магнітної сприйнятливості, релаксаційних діелектричних втрат, а також результа-
ти гальваномагнітних вимірювань у монокристалічних зразках Hg₁₋xCrxSe та Hg₁₋xCoxSe. Аналіз цих результатів довів, що магнітні та електронні властивості Hg₁₋xCrxSe та Hg₁₋xCoxSe залежать від типу дефектів і дефектної структури речовини. Від дефектної структури також залежить і проявлення критичних явищ у Hg₁₋xCrxSe.
The results of experimental investigations of the Shubnikov-de Haas oscillations at superhigh frequencies, electron spin resonance, magnetic susceptibility, relaxation dielectric losses, and galvanomagnetic measurements in the Hg₁₋xCrxSe and Hg₁₋xCoxSe single-crystal samples are presented. Analysis of the results has shown that the magnetic and electronic properties of Hg₁₋xCrxSe and Hg₁₋xCoxSe depend on the defect structure of the substance and the type of defects making this structure. The manifestation of critical phenomena in Hg₁₋xCrxSe also depends on the defect structure.
|
|---|---|
| ISSN: | 0132-6414 |