Зображення обкладинки

Влияние деффектной структуры на магнитные и электронные свойства Hg₁₋xCrxSe и Hg₁₋xCoxSe

Представлены результаты экспериментальных исследований осцилляций Шубникова—де Гааза на СВЧ, электронного спинового резонанса, магнитной восприимчивости, релаксационных диэлектрических потерь, а также результаты гальваномагнитных измерений в монокристаллических образцах Hg₁₋xCrxSe и Hg₁₋xCoxSe. Анал...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Физика низких температур
Дата:	1996
Автори:	Прозоровский, В.Д., Решилова, И.Ю., Пузыня, А.И., Паранич, Ю.С.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1996
Теми:	Электpонные свойства металлов и сплавов
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175550
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Влияние деффектной структуры на магнитные и электронные свойства Hg₁₋xCrxSe и Hg₁₋xCoxSe / В.Д. Прозоровский, И.Ю. Решилова, А.И. Пузыня, Ю.С. Паранич // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 12. — С. 1396-1405. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Исследование энергетических и зарядовых состояний ионов Со в Hg₁₋xCoxSe
за авторством: Прозоровский, В.Д., та інші
Опубліковано: (1995)

Магнитные транспортные свойства полумагнитного полупроводника Hg₁₋x₋yCrxMnySe
за авторством: Прозоровский, В.Д., та інші
Опубліковано: (1998)

Электронный спиновой резонанс и магнитная восприимчивость твердых растворов Hg₁₋xCrxSe с 0,00112 ≤ x ≤ 0,07
за авторством: Прозоровский, В.Д., та інші
Опубліковано: (1995)

Electron mobility in CdxHg₁₋xSe
за авторством: Malyk, O.P.
Опубліковано: (2009)

Relaxation and thermoinduced processes in glassy HgSe(x)-GeSe₂(₁-x) alloys
за авторством: Halyan, V.V., та інші
Опубліковано: (2003)

Магнитные и кинетические свойства кристаллов Hg1–x–yCdxDyySe
за авторством: Kovalyuk, T. T., та інші
Опубліковано: (2014)

Магнитные и кинетические свойства кристаллов Hg1–x–yCdxDyySe
за авторством: Ковалюк, Т.Т., та інші
Опубліковано: (2014)

HgCrCdSe as an element of new heterostructure HgCrCdSe/HgMnTe
за авторством: Bekirov, B., та інші
Опубліковано: (2012)

Статическая диэлектрическая проницаемость в бесщелевых твердых растворах Hg₁₋xCdxTe
за авторством: Прозоровский, В.Д., та інші
Опубліковано: (2000)

Magnetic and kinetic properties of crystals Hg1–x–yCdxDyySe
за авторством: T. T. Kovaljuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Features of spin dynamics in HgCrCdSe and HgCrSe crystals in the vicinity of phase transitions
за авторством: B. E. Bekirov, та інші
Опубліковано: (2018)

Electronic structure and optical properties of HgSe
за авторством: J. O. Akinlami, та інші
Опубліковано: (2018)

Electronic structure and optical properties of HgSe
за авторством: Akinlami, J.O., та інші
Опубліковано: (2018)

Низкотемпературные магнитные свойства ферритов NiCrxFe₂₋xO₄
за авторством: Бушкова, В.С.
Опубліковано: (2018)

Низкотемпературные магнитные свойства ферритов NiCrxFe₂–xO₄
за авторством: Бушкова, В.С.
Опубліковано: (2017)

Characterization of Hg₁₋xMnxTe single crystals and Hg₁₋xMnxTe -based photodiodes
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (1999)

Thermoelectric figure of merit of Hg1-xMnxS, Hg1-x-uMnxFeyS and Hg1-xMnxTe1-zSz crystals
за авторством: P. D. Marianchuk, та інші
Опубліковано: (2012)

Growing Cd₀.₂₅Hg₀.₇₅Se layers by laser evaporation in static vacuum
за авторством: Gritsook, B.N., та інші
Опубліковано: (2000)

Оптические свойства и параметры кристаллической решетки твердых растворов TIGa₁₋xFexSe₂
за авторством: Гасанов, Н.З., та інші
Опубліковано: (2007)

Urbach’s edge of glassy HgSe-GeSe₂ alloys: static disorder and temperature dependence of optical absorption
за авторством: Bozhko, V.V., та інші
Опубліковано: (2002)

Состояние вакансий pтути в полумагнитном полупpоводнике Hg₁₋ₓ₋yCdₓMnyTe
за авторством: Прозоровский, В.Д., та інші
Опубліковано: (1999)

Solid solutions of CdxHg₁₋xTe:V:Mn, CdxHg₁₋xTe:Ti:Mn (x = 0.9 – 0.95): growth and properties
за авторством: Paranchych, S.Yu., та інші
Опубліковано: (2004)

Двумерные электронные системы в квантовых ямах на основе HgTe
за авторством: Квон, З.Д., та інші
Опубліковано: (2009)

Photoluminescence excitation spectroscopy in narrow - gap Hg₁₋x₋yCd xMnyTe
за авторством: Mazur, Yu. I.
Опубліковано: (1999)

Isothermal growth kinetics of CdxHg₁₋xTe LPE layers
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2007)

Acoustodynamic transformation of the defect structure in Hg₁₋xCdx Te alloys
за авторством: Olikh, Y.M., та інші
Опубліковано: (2000)

Электрофизические свойства полумагнитных твердых растворов Hg₁₋xMnxTe
за авторством: Несмелова, И.М., та інші
Опубліковано: (2004)

Polarization properties and a local structure of (GeSe₂)x(Sb2Se₃)₁-x glasses
за авторством: Malesh, V.I., та інші
Опубліковано: (2002)

Электронная структура и магнитные свойства сплавов RNi₅₋xCux (R = Y, La, Ce)
за авторством: Гречнев, Г.Е., та інші
Опубліковано: (2006)

Physico-chemical analysis and thermoelectric properties of (SnSe)1-x(ErSe)x system alloys
за авторством: E. M. Godzhayev, та інші
Опубліковано: (2014)

Studies of CdHgTe as a material for x- and γ-ray detectors
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2003)

Properties and application of ultrasonic Lamb waves in CdxHg₁₋xTe plates
за авторством: Lysiuk, I.O., та інші
Опубліковано: (2002)

Определение характеристических параметров n-CdxHg₁₋xTe по квантовым осцилляциям
за авторством: Баширов, Р.И., та інші
Опубліковано: (1998)

Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем
за авторством: Марьянчук, П.Д., та інші
Опубліковано: (2014)

Polyassociative thermodynamic model of A²B⁶ semiconductor meltand phase equilibria in Cd-Hg-Te system. 4. p-T-x diagram of Cd-Hg-Te system
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2006)

Diffusion and mobility of native point defects in narrow-gap Hg₁-xCdxTe crystals
за авторством: Elizarov, A.I., та інші
Опубліковано: (2003)

Layer structure formation in Hg₁₋xCdxTe films after high-frequency sonication
за авторством: Savkina, R.K., та інші
Опубліковано: (2006)

Physical properties and band structure of crystals (3HgTe)1–x(Al2Te3)x, doped with manganese
за авторством: P. D. Marjanchuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Oxidation resistance of hard boron-rich chalcogenides B6X and B12X (X = S, Se)
за авторством: V. L. Solozhenko
Опубліковано: (2021)

Investigation on the bandgap of semiconductor solid solution Hg₁₋x₋y₋zCdxMnyZnzTe
за авторством: Zhikharevich, V.V., та інші
Опубліковано: (2006)