Влияние деффектной структуры на магнитные и электронные свойства Hg₁₋xCrxSe и Hg₁₋xCoxSe
Представлены результаты экспериментальных исследований осцилляций Шубникова—де Гааза на СВЧ, электронного спинового резонанса, магнитной восприимчивости, релаксационных диэлектрических потерь, а также результаты гальваномагнитных измерений в монокристаллических образцах Hg₁₋xCrxSe и Hg₁₋xCoxSe. Анал...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 1996 |
| Автори: | Прозоровский, В.Д., Решилова, И.Ю., Пузыня, А.И., Паранич, Ю.С. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1996
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175550 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние деффектной структуры на магнитные и электронные свойства Hg₁₋xCrxSe и Hg₁₋xCoxSe / В.Д. Прозоровский, И.Ю. Решилова, А.И. Пузыня, Ю.С. Паранич // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 12. — С. 1396-1405. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Влияние концентрации Cr на структурные и магнитные свойства разбавленного магнитного полупроводника Hg₁₋xCrxSe
за авторством: Прозоровский, В.Д., та інші
Опубліковано: (2002) -
Исследование энергетических и зарядовых состояний ионов Со в Hg₁₋xCoxSe
за авторством: Прозоровский, В.Д., та інші
Опубліковано: (1995) -
Магнитные транспортные свойства полумагнитного полупроводника Hg₁₋x₋yCrxMnySe
за авторством: Прозоровский, В.Д., та інші
Опубліковано: (1998) -
Электронный спиновой резонанс и магнитная восприимчивость твердых растворов Hg₁₋xCrxSe с 0,00112 ≤ x ≤ 0,07
за авторством: Прозоровский, В.Д., та інші
Опубліковано: (1995) -
Electron mobility in CdxHg₁₋xSe
за авторством: Malyk, O.P.
Опубліковано: (2009)