Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. I. Квантовые эффекты.
Показано, что тонкая структура линии поперечной электронной фокусировки (ЭФ) в кристалле висмута связана с явлением дифракции электронного потока, втекающего в кристалл через микроконтакт. В методе ЭФ баллистический транспорт электронов на циклотронной траектории сохраняет неоднородное угловое распр...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 1996 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1996
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175551 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. I. Квантовые эффекты./ Ю.Ф. Комник, В.В. Андриевский, С.В. Рожок // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 12. — С. 1406-1417. — Бібліогр.: 26 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862708864006225920 |
|---|---|
| author | Комник, Ю.Ф. Андриевский, В.В, Рожок, С.В. |
| author_facet | Комник, Ю.Ф. Андриевский, В.В, Рожок, С.В. |
| citation_txt | Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. I. Квантовые эффекты./ Ю.Ф. Комник, В.В. Андриевский, С.В. Рожок // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 12. — С. 1406-1417. — Бібліогр.: 26 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Показано, что тонкая структура линии поперечной электронной фокусировки (ЭФ) в кристалле висмута связана с явлением дифракции электронного потока, втекающего в кристалл через микроконтакт. В методе ЭФ баллистический транспорт электронов на циклотронной траектории сохраняет неоднородное угловое распределение дифрагированных электронов, которое проявляется на фоне первой линии ЭФ в виде дополнительных максимумов. Положение максимумов и их смещение по магнитному полю при изменении энергии электронов соответствует теоретическим расчетам.
Показано, що тонка структура лінії поперечної електронної фокусировки (ЕФ) в кристалі висмуту зв'язана з появою дифракції електронного потоку, який тече в кристал через мікроконтакт. В методі ЕФ балістичний транспорт електронів на циклотронній траєкторії зберігає неоднорідний кутовий розподіл дифрагованих електронів, який з'являється на фоні першої лінії ЕФ у вигляді додаткових максимумів. Становище максимумів та їх зміщення по магнітному полю при зміні енергії електронів відповідає теоретичним розрахункам.
11 is shown that the fine structure of the transverse electron focusing (EF) line in bismuth crystal is determined by diffraction of the electron flow injected into the crystal through a point contact. In the EF method, ballistic transporl of the electrons along cyclotron trajectory retains unhomogeneous angular distribuiion of the electrons diffracied. This is seen as extra peaks against the background of the first EF line. The positions of the peaks and their shift in the magnetic field with the electron energy correspond to theoretical calculations.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:13:41Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-175551 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:13:41Z |
| publishDate | 1996 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Комник, Ю.Ф. Андриевский, В.В, Рожок, С.В. 2021-02-01T17:43:09Z 2021-02-01T17:43:09Z 1996 Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. I. Квантовые эффекты./ Ю.Ф. Комник, В.В. Андриевский, С.В. Рожок // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 12. — С. 1406-1417. — Бібліогр.: 26 назв. — рос. 0132-6414 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175551 Показано, что тонкая структура линии поперечной электронной фокусировки (ЭФ) в кристалле висмута связана с явлением дифракции электронного потока, втекающего в кристалл через микроконтакт. В методе ЭФ баллистический транспорт электронов на циклотронной траектории сохраняет неоднородное угловое распределение дифрагированных электронов, которое проявляется на фоне первой линии ЭФ в виде дополнительных максимумов. Положение максимумов и их смещение по магнитному полю при изменении энергии электронов соответствует теоретическим расчетам. Показано, що тонка структура лінії поперечної електронної фокусировки (ЕФ) в кристалі висмуту зв'язана з появою дифракції електронного потоку, який тече в кристал через мікроконтакт. В методі ЕФ балістичний транспорт електронів на циклотронній траєкторії зберігає неоднорідний кутовий розподіл дифрагованих електронів, який з'являється на фоні першої лінії ЕФ у вигляді додаткових максимумів. Становище максимумів та їх зміщення по магнітному полю при зміні енергії електронів відповідає теоретичним розрахункам. 11 is shown that the fine structure of the transverse electron focusing (EF) line in bismuth crystal is determined by diffraction of the electron flow injected into the crystal through a point contact. In the EF method, ballistic transporl of the electrons along cyclotron trajectory retains unhomogeneous angular distribuiion of the electrons diffracied. This is seen as extra peaks against the background of the first EF line. The positions of the peaks and their shift in the magnetic field with the electron energy correspond to theoretical calculations. Работа поддержана частично грантом N U2G200 программы совместного финансирования проектов Международным научным фондом и Правительством Украины. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Электpонные свойства металлов и сплавов Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. I. Квантовые эффекты. The fine structure of the transverse electron focusing line in bismuth. I. Quantum phenomena Article published earlier |
| spellingShingle | Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. I. Квантовые эффекты. Комник, Ю.Ф. Андриевский, В.В, Рожок, С.В. Электpонные свойства металлов и сплавов |
| title | Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. I. Квантовые эффекты. |
| title_alt | The fine structure of the transverse electron focusing line in bismuth. I. Quantum phenomena |
| title_full | Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. I. Квантовые эффекты. |
| title_fullStr | Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. I. Квантовые эффекты. |
| title_full_unstemmed | Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. I. Квантовые эффекты. |
| title_short | Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. I. Квантовые эффекты. |
| title_sort | тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. i. квантовые эффекты. |
| topic | Электpонные свойства металлов и сплавов |
| topic_facet | Электpонные свойства металлов и сплавов |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175551 |
| work_keys_str_mv | AT komnikûf tonkaâstrukturaliniipoperečnoiélektronnoifokusirovkivvismuteikvantovyeéffekty AT andrievskiivv tonkaâstrukturaliniipoperečnoiélektronnoifokusirovkivvismuteikvantovyeéffekty AT rožoksv tonkaâstrukturaliniipoperečnoiélektronnoifokusirovkivvismuteikvantovyeéffekty AT komnikûf thefinestructureofthetransverseelectronfocusinglineinbismuthiquantumphenomena AT andrievskiivv thefinestructureofthetransverseelectronfocusinglineinbismuthiquantumphenomena AT rožoksv thefinestructureofthetransverseelectronfocusinglineinbismuthiquantumphenomena |