Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. I. Квантовые эффекты.

Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. I. Квантовые эффекты.

Показано, что тонкая структура линии поперечной электронной фокусировки (ЭФ) в кристалле висмута связана с явлением дифракции электронного потока, втекающего в кристалл через микроконтакт. В методе ЭФ баллистический транспорт электронов на циклотронной траектории сохраняет неоднородное угловое распр...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физика низких температур
Datum:1996
Hauptverfasser: Комник, Ю.Ф., Андриевский, В.В, Рожок, С.В.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1996
Schlagworte:
Электpонные свойства металлов и сплавов
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175551
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. I. Квантовые эффекты./ Ю.Ф. Комник, В.В. Андриевский, С.В. Рожок // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 12. — С. 1406-1417. — Бібліогр.: 26 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-175551
record_format dspace
spelling Комник, Ю.Ф.
Андриевский, В.В,
Рожок, С.В.
2021-02-01T17:43:09Z
2021-02-01T17:43:09Z
1996
Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. I. Квантовые эффекты./ Ю.Ф. Комник, В.В. Андриевский, С.В. Рожок // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 12. — С. 1406-1417. — Бібліогр.: 26 назв. — рос.
0132-6414
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175551
Показано, что тонкая структура линии поперечной электронной фокусировки (ЭФ) в кристалле висмута связана с явлением дифракции электронного потока, втекающего в кристалл через микроконтакт. В методе ЭФ баллистический транспорт электронов на циклотронной траектории сохраняет неоднородное угловое распределение дифрагированных электронов, которое проявляется на фоне первой линии ЭФ в виде дополнительных максимумов. Положение максимумов и их смещение по магнитному полю при изменении энергии электронов соответствует теоретическим расчетам.
Показано, що тонка структура лінії поперечної електронної фокусировки (ЕФ) в кристалі висмуту зв'язана з появою дифракції електронного потоку, який тече в кристал через мікроконтакт. В методі ЕФ балістичний транспорт електронів на циклотронній траєкторії зберігає неоднорідний кутовий розподіл дифрагованих електронів, який з'являється на фоні першої лінії ЕФ у вигляді додаткових максимумів. Становище максимумів та їх зміщення по магнітному полю при зміні енергії електронів відповідає теоретичним розрахункам.
11 is shown that the fine structure of the transverse electron focusing (EF) line in bismuth crystal is determined by diffraction of the electron flow injected into the crystal through a point contact. In the EF method, ballistic transporl of the electrons along cyclotron trajectory retains unhomogeneous angular distribuiion of the electrons diffracied. This is seen as extra peaks against the background of the first EF line. The positions of the peaks and their shift in the magnetic field with the electron energy correspond to theoretical calculations.
Работа поддержана частично грантом N U2G200 программы совместного финансирования проектов Международным научным фондом и Правительством Украины.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Электpонные свойства металлов и сплавов
Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. I. Квантовые эффекты.
The fine structure of the transverse electron focusing line in bismuth. I. Quantum phenomena
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. I. Квантовые эффекты.
spellingShingle Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. I. Квантовые эффекты.
Комник, Ю.Ф.
Андриевский, В.В,
Рожок, С.В.
Электpонные свойства металлов и сплавов
title_short Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. I. Квантовые эффекты.
title_full Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. I. Квантовые эффекты.
title_fullStr Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. I. Квантовые эффекты.
title_full_unstemmed Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. I. Квантовые эффекты.
title_sort тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. i. квантовые эффекты.
author Комник, Ю.Ф.
Андриевский, В.В,
Рожок, С.В.
author_facet Комник, Ю.Ф.
Андриевский, В.В,
Рожок, С.В.
topic Электpонные свойства металлов и сплавов
topic_facet Электpонные свойства металлов и сплавов
publishDate 1996
language Russian
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt The fine structure of the transverse electron focusing line in bismuth. I. Quantum phenomena
description Показано, что тонкая структура линии поперечной электронной фокусировки (ЭФ) в кристалле висмута связана с явлением дифракции электронного потока, втекающего в кристалл через микроконтакт. В методе ЭФ баллистический транспорт электронов на циклотронной траектории сохраняет неоднородное угловое распределение дифрагированных электронов, которое проявляется на фоне первой линии ЭФ в виде дополнительных максимумов. Положение максимумов и их смещение по магнитному полю при изменении энергии электронов соответствует теоретическим расчетам. Показано, що тонка структура лінії поперечної електронної фокусировки (ЕФ) в кристалі висмуту зв'язана з появою дифракції електронного потоку, який тече в кристал через мікроконтакт. В методі ЕФ балістичний транспорт електронів на циклотронній траєкторії зберігає неоднорідний кутовий розподіл дифрагованих електронів, який з'являється на фоні першої лінії ЕФ у вигляді додаткових максимумів. Становище максимумів та їх зміщення по магнітному полю при зміні енергії електронів відповідає теоретичним розрахункам. 11 is shown that the fine structure of the transverse electron focusing (EF) line in bismuth crystal is determined by diffraction of the electron flow injected into the crystal through a point contact. In the EF method, ballistic transporl of the electrons along cyclotron trajectory retains unhomogeneous angular distribuiion of the electrons diffracied. This is seen as extra peaks against the background of the first EF line. The positions of the peaks and their shift in the magnetic field with the electron energy correspond to theoretical calculations.
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175551
citation_txt Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. I. Квантовые эффекты./ Ю.Ф. Комник, В.В. Андриевский, С.В. Рожок // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 12. — С. 1406-1417. — Бібліогр.: 26 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT komnikûf tonkaâstrukturaliniipoperečnoiélektronnoifokusirovkivvismuteikvantovyeéffekty
AT andrievskiivv tonkaâstrukturaliniipoperečnoiélektronnoifokusirovkivvismuteikvantovyeéffekty
AT rožoksv tonkaâstrukturaliniipoperečnoiélektronnoifokusirovkivvismuteikvantovyeéffekty
AT komnikûf thefinestructureofthetransverseelectronfocusinglineinbismuthiquantumphenomena
AT andrievskiivv thefinestructureofthetransverseelectronfocusinglineinbismuthiquantumphenomena
AT rožoksv thefinestructureofthetransverseelectronfocusinglineinbismuthiquantumphenomena
first_indexed 2025-12-07T17:13:41Z
last_indexed 2025-12-07T17:13:41Z
_version_ 1850870460779069440

Ähnliche Einträge