Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. I. Квантовые эффекты.
Показано, что тонкая структура линии поперечной электронной фокусировки (ЭФ) в кристалле висмута связана с явлением дифракции электронного потока, втекающего в кристалл через микроконтакт. В методе ЭФ баллистический транспорт электронов на циклотронной траектории сохраняет неоднородное угловое распр...
Saved in:
| Published in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Date: | 1996 |
| Main Authors: | Комник, Ю.Ф., Андриевский, В.В, Рожок, С.В. |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1996
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175551 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. I. Квантовые эффекты./ Ю.Ф. Комник, В.В. Андриевский, С.В. Рожок // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 12. — С. 1406-1417. — Бібліогр.: 26 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
-
Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. II. Релаксационные эффекты
by: Андриевский, В.В., et al.
Published: (1996) -
Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах
by: Комник, Ю.Ф., et al.
Published: (2000) -
Изучение поверхностной энергетической релаксации электронов проводимости в висмуте методом поперечной электронной фокусировки
by: Андриевский, В.В., et al.
Published: (1997) -
Релаксация и эффекты градиента потенциала в висмутовом микроконтакте
by: Андриевский, В.В., et al.
Published: (1997) -
Квантовые осцилляционные эффекты в тонком слое нормального металла, граничащего со сверхпроводником
by: Песчанский, В.Г., et al.
Published: (1996)