Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. II. Релаксационные эффекты
Показано, что форма линии электронной фокусировки (ЭФ) и ее тонкая структура в условиях протекания сильных эмиттерных токов отражает процессы релаксации электронов в области микроконтакта. На линии ЭФ в кристалле висмута идентифицирована релаксация сильно энергизованных электронов за счет испускания...
Saved in:
| Published in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Date: | 1996 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1996
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175555 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. II. Релаксационные эффекты / В.В. Андриевский, Ю.Ф. Комник, С.В. Рожок // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 12. — С. 1418-1427. — Бібліогр.: 31 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862603499840208896 |
|---|---|
| author | Андриевский, В.В. Комник, Ю.Ф. Рожок, С.В. |
| author_facet | Андриевский, В.В. Комник, Ю.Ф. Рожок, С.В. |
| citation_txt | Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. II. Релаксационные эффекты / В.В. Андриевский, Ю.Ф. Комник, С.В. Рожок // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 12. — С. 1418-1427. — Бібліогр.: 31 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Показано, что форма линии электронной фокусировки (ЭФ) и ее тонкая структура в условиях протекания сильных эмиттерных токов отражает процессы релаксации электронов в области микроконтакта. На линии ЭФ в кристалле висмута идентифицирована релаксация сильно энергизованных электронов за счет испускания неравновесных фононов (преимущественно продольных оптических фононов) , а также выявлен эффективный релаксационный процесс, связанный с возбуждением в электронной системе коллективной колебательной моды с характерной энергией ~ 40 мэВ. Тонкая структура линии ЭФ отражает также интерференционные эффекты в электронном потоке, протекающем через микроконтакт.
Показано, що форма лінії електронної фокусировки (ЕФ) та її тонка структура в умовах протікання сильних емітерних струмів відображає процеси релаксації електронів в області мікроконтакту. На лінії ЕФ в кристалі вісмуту ідентифіковано релаксацію сильно енергізованих електронів за рахунок емісії нерівноважних фононів (переважно поздовжніх оптичних фононів), а також виявлено ефективний релаксаційний процес, зв'язаний з появою в електронній системі колективної коливальної моди з характерною енергією ~ 40 меВ. Тонка структура лінії ЕФ відображає також інтерференційні ефекти в електронному потоці, який протікає через мікроконтакт.
It is shown that the shape of the electron focusing (EF) line and its fine structure account for the electron relaxation processes in the point contact region. The features caused by relaxation of high nonequilibrium electrons due to emission of nonequilibrium phonons (mainly longitudinal optic phonons) are revealed on the EF line in Bi. Effective relaxation processes due to generation of the collective oscillatory mode of ~ 40 meV are observed. The fine structure of the EF line displays the interference effects in the electron flow through the point contact.
|
| first_indexed | 2025-11-28T05:41:48Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-175555 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-28T05:41:48Z |
| publishDate | 1996 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Андриевский, В.В. Комник, Ю.Ф. Рожок, С.В. 2021-02-01T17:53:15Z 2021-02-01T17:53:15Z 1996 Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. II. Релаксационные эффекты / В.В. Андриевский, Ю.Ф. Комник, С.В. Рожок // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 12. — С. 1418-1427. — Бібліогр.: 31 назв. — рос. 0132-6414 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175555 Показано, что форма линии электронной фокусировки (ЭФ) и ее тонкая структура в условиях протекания сильных эмиттерных токов отражает процессы релаксации электронов в области микроконтакта. На линии ЭФ в кристалле висмута идентифицирована релаксация сильно энергизованных электронов за счет испускания неравновесных фононов (преимущественно продольных оптических фононов) , а также выявлен эффективный релаксационный процесс, связанный с возбуждением в электронной системе коллективной колебательной моды с характерной энергией ~ 40 мэВ. Тонкая структура линии ЭФ отражает также интерференционные эффекты в электронном потоке, протекающем через микроконтакт. Показано, що форма лінії електронної фокусировки (ЕФ) та її тонка структура в умовах протікання сильних емітерних струмів відображає процеси релаксації електронів в області мікроконтакту. На лінії ЕФ в кристалі вісмуту ідентифіковано релаксацію сильно енергізованих електронів за рахунок емісії нерівноважних фононів (переважно поздовжніх оптичних фононів), а також виявлено ефективний релаксаційний процес, зв'язаний з появою в електронній системі колективної коливальної моди з характерною енергією ~ 40 меВ. Тонка структура лінії ЕФ відображає також інтерференційні ефекти в електронному потоці, який протікає через мікроконтакт. It is shown that the shape of the electron focusing (EF) line and its fine structure account for the electron relaxation processes in the point contact region. The features caused by relaxation of high nonequilibrium electrons due to emission of nonequilibrium phonons (mainly longitudinal optic phonons) are revealed on the EF line in Bi. Effective relaxation processes due to generation of the collective oscillatory mode of ~ 40 meV are observed. The fine structure of the EF line displays the interference effects in the electron flow through the point contact. Мы выражаем благодарность Ю.А. Колесниченко, А.С. Рожавскому, А.А. Слуцкину за обсуждение результатов.
 Работа поддержана частично грантом N U2G200 программы совместного финансирования проектов Международным научным фондом и Правительством Украины. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Электpонные свойства металлов и сплавов Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. II. Релаксационные эффекты The fine structure of the transverse electron focusing line in bismuth. II. Relaxation phenomena Article published earlier |
| spellingShingle | Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. II. Релаксационные эффекты Андриевский, В.В. Комник, Ю.Ф. Рожок, С.В. Электpонные свойства металлов и сплавов |
| title | Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. II. Релаксационные эффекты |
| title_alt | The fine structure of the transverse electron focusing line in bismuth. II. Relaxation phenomena |
| title_full | Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. II. Релаксационные эффекты |
| title_fullStr | Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. II. Релаксационные эффекты |
| title_full_unstemmed | Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. II. Релаксационные эффекты |
| title_short | Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. II. Релаксационные эффекты |
| title_sort | тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. ii. релаксационные эффекты |
| topic | Электpонные свойства металлов и сплавов |
| topic_facet | Электpонные свойства металлов и сплавов |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175555 |
| work_keys_str_mv | AT andrievskiivv tonkaâstrukturaliniipoperečnoiélektronnoifokusirovkivvismuteiirelaksacionnyeéffekty AT komnikûf tonkaâstrukturaliniipoperečnoiélektronnoifokusirovkivvismuteiirelaksacionnyeéffekty AT rožoksv tonkaâstrukturaliniipoperečnoiélektronnoifokusirovkivvismuteiirelaksacionnyeéffekty AT andrievskiivv thefinestructureofthetransverseelectronfocusinglineinbismuthiirelaxationphenomena AT komnikûf thefinestructureofthetransverseelectronfocusinglineinbismuthiirelaxationphenomena AT rožoksv thefinestructureofthetransverseelectronfocusinglineinbismuthiirelaxationphenomena |