Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. II. Релаксационные эффекты

Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. II. Релаксационные эффекты

Показано, что форма линии электронной фокусировки (ЭФ) и ее тонкая структура в условиях протекания сильных эмиттерных токов отражает процессы релаксации электронов в области микроконтакта. На линии ЭФ в кристалле висмута идентифицирована релаксация сильно энергизованных электронов за счет испускания...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Физика низких температур
Дата:1996
Автори: Андриевский, В.В., Комник, Ю.Ф., Рожок, С.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1996
Теми:
Электpонные свойства металлов и сплавов
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175555
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. II. Релаксационные эффекты / В.В. Андриевский, Ю.Ф. Комник, С.В. Рожок // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 12. — С. 1418-1427. — Бібліогр.: 31 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-175555
record_format dspace
spelling Андриевский, В.В.
Комник, Ю.Ф.
Рожок, С.В.
2021-02-01T17:53:15Z
2021-02-01T17:53:15Z
1996
Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. II. Релаксационные эффекты / В.В. Андриевский, Ю.Ф. Комник, С.В. Рожок // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 12. — С. 1418-1427. — Бібліогр.: 31 назв. — рос.
0132-6414
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175555
Показано, что форма линии электронной фокусировки (ЭФ) и ее тонкая структура в условиях протекания сильных эмиттерных токов отражает процессы релаксации электронов в области микроконтакта. На линии ЭФ в кристалле висмута идентифицирована релаксация сильно энергизованных электронов за счет испускания неравновесных фононов (преимущественно продольных оптических фононов) , а также выявлен эффективный релаксационный процесс, связанный с возбуждением в электронной системе коллективной колебательной моды с характерной энергией ~ 40 мэВ. Тонкая структура линии ЭФ отражает также интерференционные эффекты в электронном потоке, протекающем через микроконтакт.
Показано, що форма лінії електронної фокусировки (ЕФ) та її тонка структура в умовах протікання сильних емітерних струмів відображає процеси релаксації електронів в області мікроконтакту. На лінії ЕФ в кристалі вісмуту ідентифіковано релаксацію сильно енергізованих електронів за рахунок емісії нерівноважних фононів (переважно поздовжніх оптичних фононів), а також виявлено ефективний релаксаційний процес, зв'язаний з появою в електронній системі колективної коливальної моди з характерною енергією ~ 40 меВ. Тонка структура лінії ЕФ відображає також інтерференційні ефекти в електронному потоці, який протікає через мікроконтакт.
It is shown that the shape of the electron focusing (EF) line and its fine structure account for the electron relaxation processes in the point contact region. The features caused by relaxation of high nonequilibrium electrons due to emission of nonequilibrium phonons (mainly longitudinal optic phonons) are revealed on the EF line in Bi. Effective relaxation processes due to generation of the collective oscillatory mode of ~ 40 meV are observed. The fine structure of the EF line displays the interference effects in the electron flow through the point contact.
Мы выражаем благодарность Ю.А. Колесниченко, А.С. Рожавскому, А.А. Слуцкину за обсуждение результатов. Работа поддержана частично грантом N U2G200 программы совместного финансирования проектов Международным научным фондом и Правительством Украины.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Электpонные свойства металлов и сплавов
Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. II. Релаксационные эффекты
The fine structure of the transverse electron focusing line in bismuth. II. Relaxation phenomena
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. II. Релаксационные эффекты
spellingShingle Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. II. Релаксационные эффекты
Андриевский, В.В.
Комник, Ю.Ф.
Рожок, С.В.
Электpонные свойства металлов и сплавов
title_short Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. II. Релаксационные эффекты
title_full Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. II. Релаксационные эффекты
title_fullStr Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. II. Релаксационные эффекты
title_full_unstemmed Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. II. Релаксационные эффекты
title_sort тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. ii. релаксационные эффекты
author Андриевский, В.В.
Комник, Ю.Ф.
Рожок, С.В.
author_facet Андриевский, В.В.
Комник, Ю.Ф.
Рожок, С.В.
topic Электpонные свойства металлов и сплавов
topic_facet Электpонные свойства металлов и сплавов
publishDate 1996
language Russian
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt The fine structure of the transverse electron focusing line in bismuth. II. Relaxation phenomena
description Показано, что форма линии электронной фокусировки (ЭФ) и ее тонкая структура в условиях протекания сильных эмиттерных токов отражает процессы релаксации электронов в области микроконтакта. На линии ЭФ в кристалле висмута идентифицирована релаксация сильно энергизованных электронов за счет испускания неравновесных фононов (преимущественно продольных оптических фононов) , а также выявлен эффективный релаксационный процесс, связанный с возбуждением в электронной системе коллективной колебательной моды с характерной энергией ~ 40 мэВ. Тонкая структура линии ЭФ отражает также интерференционные эффекты в электронном потоке, протекающем через микроконтакт. Показано, що форма лінії електронної фокусировки (ЕФ) та її тонка структура в умовах протікання сильних емітерних струмів відображає процеси релаксації електронів в області мікроконтакту. На лінії ЕФ в кристалі вісмуту ідентифіковано релаксацію сильно енергізованих електронів за рахунок емісії нерівноважних фононів (переважно поздовжніх оптичних фононів), а також виявлено ефективний релаксаційний процес, зв'язаний з появою в електронній системі колективної коливальної моди з характерною енергією ~ 40 меВ. Тонка структура лінії ЕФ відображає також інтерференційні ефекти в електронному потоці, який протікає через мікроконтакт. It is shown that the shape of the electron focusing (EF) line and its fine structure account for the electron relaxation processes in the point contact region. The features caused by relaxation of high nonequilibrium electrons due to emission of nonequilibrium phonons (mainly longitudinal optic phonons) are revealed on the EF line in Bi. Effective relaxation processes due to generation of the collective oscillatory mode of ~ 40 meV are observed. The fine structure of the EF line displays the interference effects in the electron flow through the point contact.
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175555
citation_txt Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. II. Релаксационные эффекты / В.В. Андриевский, Ю.Ф. Комник, С.В. Рожок // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 12. — С. 1418-1427. — Бібліогр.: 31 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT andrievskiivv tonkaâstrukturaliniipoperečnoiélektronnoifokusirovkivvismuteiirelaksacionnyeéffekty
AT komnikûf tonkaâstrukturaliniipoperečnoiélektronnoifokusirovkivvismuteiirelaksacionnyeéffekty
AT rožoksv tonkaâstrukturaliniipoperečnoiélektronnoifokusirovkivvismuteiirelaksacionnyeéffekty
AT andrievskiivv thefinestructureofthetransverseelectronfocusinglineinbismuthiirelaxationphenomena
AT komnikûf thefinestructureofthetransverseelectronfocusinglineinbismuthiirelaxationphenomena
AT rožoksv thefinestructureofthetransverseelectronfocusinglineinbismuthiirelaxationphenomena
first_indexed 2025-11-28T05:41:48Z
last_indexed 2025-11-28T05:41:48Z
_version_ 1850853415301677056

Схожі ресурси