Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. II. Релаксационные эффекты
Показано, что форма линии электронной фокусировки (ЭФ) и ее тонкая структура в условиях протекания сильных эмиттерных токов отражает процессы релаксации электронов в области микроконтакта. На линии ЭФ в кристалле висмута идентифицирована релаксация сильно энергизованных электронов за счет испускания...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 1996 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1996
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175555 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. II. Релаксационные эффекты / В.В. Андриевский, Ю.Ф. Комник, С.В. Рожок // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 12. — С. 1418-1427. — Бібліогр.: 31 назв. — рос. |