Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. II. Релаксационные эффекты

• Published in: Физика низких температур
• Date: 1996
• Main Authors: Андриевский, В.В., Комник, Ю.Ф., Рожок, С.В.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1996
• Subjects: Электpонные свойства металлов и сплавов
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175555
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. II. Релаксационные эффекты / В.В. Андриевский, Ю.Ф. Комник, С.В. Рожок // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 12. — С. 1418-1427. — Бібліогр.: 31 назв. — рос.

Показано, что форма линии электронной фокусировки (ЭФ) и ее тонкая структура в условиях протекания сильных эмиттерных токов отражает процессы релаксации электронов в области микроконтакта. На линии ЭФ в кристалле висмута идентифицирована релаксация сильно энергизованных электронов за счет испускания...