Подвижность и локализация носителей в квазиодномеpной электpонной системе над жидким гелием
Измерялась проводимость и подвижность носителей в квазиодномерной электронной системе над жидким гелием в области температур 0,5-1,8 Кв прижимающих электрических полях до 2,5 кВ/см. Система квазиодномерных каналов создавалась с использованием оптических дифракционных решеток высокого качества, раз...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 1997 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1997
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175575 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Подвижность и локализация носителей в квазиодномеpной электpонной системе над жидким гелием / В.А. Николаенко, Ю.З. Ковдря, Х. Яяма, А. Томокийо // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 5-6. — С. 642-648. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-175575 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Николаенко, В.А. Яяма, Х. Ковдря, Ю.З. Томокийо, А. 2021-02-01T18:54:53Z 2021-02-01T18:54:53Z 1997 Подвижность и локализация носителей в квазиодномеpной электpонной системе над жидким гелием / В.А. Николаенко, Ю.З. Ковдря, Х. Яяма, А. Томокийо // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 5-6. — С. 642-648. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 67.40.Jg, 73.20.Dx, 73.20.Fz https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175575 Измерялась проводимость и подвижность носителей в квазиодномерной электронной системе над жидким гелием в области температур 0,5-1,8 Кв прижимающих электрических полях до 2,5 кВ/см. Система квазиодномерных каналов создавалась с использованием оптических дифракционных решеток высокого качества, размещающихся на некоторой высоте h над жидким гелием, который под действием капиллярных сил затекал в бороздки решеток и образовывал одномерные жидкие каналы. Показано, что подвижность электронов уменьшается с увеличением h, при этом подвижность оказывается меньше аналогичной величины для массивного гелия. С понижением температуры подвижность сначала возрастает, проходит через максимум и затем начинает падать. Обнаруженные эффекты обьясняются локализацией носителей в квазиодномерных электронных системах. Вимірювалась провідність та рухливість носіїв у квазіодновимірній електронній системі над рідким гелієм в області температур 0,5-1,8 К в притискуючих електричних полях до 2,5 кВ/см. Систему квазіодновимірних каналів було реалізовано з використанням оптичних дифракційних граток високої якості, які розміщувались на деякій висоті h над поверхнею рідкого гелію, який затікав під дією капіляриих сил у борозни гратки і створював одновимірні рідкі канали. Показано, що рухливість електронів зменшується із збільшенням висоти h, при цьому рухливість виявляється меншою ніж аналогічна величина для масивного гелію. Рухливість зростає з пониженням температури, проходить максимум та починає падати. Виявлені ефекти пояснюються локалізацією носіїв у квазіодновимірних електронних системах. The conductivity and mobility of charge carriers in a quasi-one-dimensional electron system over liquid helium is measured in the temperature range 0.5–1.8 K in confining electric fields up to 2.5 kV/cm. The system of quasi-one-dimensional channels is constructed by using high-quality optical diffraction gratings arranged at a certain height h over liquid helium which fill the grooves of the gratings, thus creating one-dimensional liquid channels. It is shown that the electron mobility decreases with increasing h, the value of the mobility being smaller than the corresponding value for bulk helium. As the temperature decreases, the mobility increases, passes through a peak, and then decreases. The observed effects can be explained by localization of charge carriers in quasi-one-dimensional electron systems. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Электpонные системы над жидким гелием Подвижность и локализация носителей в квазиодномеpной электpонной системе над жидким гелием Mobility and localization of charge carriers in a quasi-one-dimensional electron system over liquid helium Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Подвижность и локализация носителей в квазиодномеpной электpонной системе над жидким гелием |
| spellingShingle |
Подвижность и локализация носителей в квазиодномеpной электpонной системе над жидким гелием Николаенко, В.А. Яяма, Х. Ковдря, Ю.З. Томокийо, А. Электpонные системы над жидким гелием |
| title_short |
Подвижность и локализация носителей в квазиодномеpной электpонной системе над жидким гелием |
| title_full |
Подвижность и локализация носителей в квазиодномеpной электpонной системе над жидким гелием |
| title_fullStr |
Подвижность и локализация носителей в квазиодномеpной электpонной системе над жидким гелием |
| title_full_unstemmed |
Подвижность и локализация носителей в квазиодномеpной электpонной системе над жидким гелием |
| title_sort |
подвижность и локализация носителей в квазиодномеpной электpонной системе над жидким гелием |
| author |
Николаенко, В.А. Яяма, Х. Ковдря, Ю.З. Томокийо, А. |
| author_facet |
Николаенко, В.А. Яяма, Х. Ковдря, Ю.З. Томокийо, А. |
| topic |
Электpонные системы над жидким гелием |
| topic_facet |
Электpонные системы над жидким гелием |
| publishDate |
1997 |
| language |
Russian |
| container_title |
Физика низких температур |
| publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Mobility and localization of charge carriers in a quasi-one-dimensional electron system over liquid helium |
| description |
Измерялась проводимость и подвижность носителей в квазиодномерной электронной системе над
жидким гелием в области температур 0,5-1,8 Кв прижимающих электрических полях до 2,5 кВ/см.
Система квазиодномерных каналов создавалась с использованием оптических дифракционных решеток высокого качества, размещающихся на некоторой высоте h над жидким гелием, который под
действием капиллярных сил затекал в бороздки решеток и образовывал одномерные жидкие каналы.
Показано, что подвижность электронов уменьшается с увеличением h, при этом подвижность оказывается
меньше аналогичной величины для массивного гелия. С понижением температуры подвижность сначала возрастает, проходит через максимум и затем начинает падать. Обнаруженные эффекты
обьясняются локализацией носителей в квазиодномерных электронных системах.
Вимірювалась провідність та рухливість носіїв у квазіодновимірній електронній системі над
рідким гелієм в області температур 0,5-1,8 К в притискуючих електричних полях до 2,5 кВ/см.
Систему квазіодновимірних каналів було реалізовано з використанням оптичних дифракційних
граток високої якості, які розміщувались на деякій висоті h над поверхнею рідкого гелію, який
затікав під дією капіляриих сил у борозни гратки і створював одновимірні рідкі канали. Показано,
що рухливість електронів зменшується із збільшенням висоти h, при цьому рухливість виявляється
меншою ніж аналогічна величина для масивного гелію. Рухливість зростає з пониженням температури,
проходить максимум та починає падати. Виявлені ефекти пояснюються локалізацією носіїв у
квазіодновимірних електронних системах.
The conductivity and mobility of charge carriers in a quasi-one-dimensional electron system over liquid helium is measured in the temperature range 0.5–1.8 K in confining electric fields up to 2.5 kV/cm. The system of quasi-one-dimensional channels is constructed by using high-quality optical diffraction gratings arranged at a certain height h over liquid helium which fill the grooves of the gratings, thus creating one-dimensional liquid channels. It is shown that the electron mobility decreases with increasing h, the value of the mobility being smaller than the corresponding value for bulk helium. As the temperature decreases, the mobility increases, passes through a peak, and then decreases. The observed effects can be explained by localization of charge carriers in quasi-one-dimensional electron systems.
|
| issn |
0132-6414 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175575 |
| citation_txt |
Подвижность и локализация носителей в квазиодномеpной электpонной системе над жидким гелием / В.А. Николаенко, Ю.З. Ковдря, Х. Яяма, А. Томокийо // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 5-6. — С. 642-648. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT nikolaenkova podvižnostʹilokalizaciânositeleivkvaziodnomepnoiélektponnoisistemenadžidkimgeliem AT ââmah podvižnostʹilokalizaciânositeleivkvaziodnomepnoiélektponnoisistemenadžidkimgeliem AT kovdrâûz podvižnostʹilokalizaciânositeleivkvaziodnomepnoiélektponnoisistemenadžidkimgeliem AT tomokiioa podvižnostʹilokalizaciânositeleivkvaziodnomepnoiélektponnoisistemenadžidkimgeliem AT nikolaenkova mobilityandlocalizationofchargecarriersinaquasionedimensionalelectronsystemoverliquidhelium AT ââmah mobilityandlocalizationofchargecarriersinaquasionedimensionalelectronsystemoverliquidhelium AT kovdrâûz mobilityandlocalizationofchargecarriersinaquasionedimensionalelectronsystemoverliquidhelium AT tomokiioa mobilityandlocalizationofchargecarriersinaquasionedimensionalelectronsystemoverliquidhelium |
| first_indexed |
2025-12-07T21:13:31Z |
| last_indexed |
2025-12-07T21:13:31Z |
| _version_ |
1850885549533954048 |