Тензоp высокочастотной пpоводимости двумеpного электpонного газа с пpимесными состояниями электpонов в магнитном поле - Грейзеп, Н.В.; Ермолаев, А.М. (Физика низких температур, 1997)
Метод локальных возмущений И. М. Лифшица использован для изучения свойств двумерной электрон- примесной системы в квантующем магнитном поле, перпендикулярном плоскости движения электронов. В модели независимых точечных примесных атомов вычислен тензор высокочастотной проводимости системы с учетом примесных состояний электронов и пространственной дисперсии. Диссипативная часть проводимости имеет узкие резонансные максимумы на частотах переходов электронов между уровнями Ландау и локальными уровнями, индуцированных электромагнитным полем. В отсутствие магнитного поля эти максимумы сливаются в один широкий максимум, расположенный выше пороговой частоты переходов электронов с локальною уровня в зону. Численные значения величин максимумов получены для полупроводниковых структур с двумерным электронным газом. Метод локальних збурень І. М. Ліфшиця використано для вивчення властивостей двовимірної електрон-домішкової системи у квантуючому магнітному полі, перпендикулярному площині руху електронів. В моделі незалежних точкових домішкових атомів обчислено тензор високочастотної провідності системи з врахуванням домішкових станів електронів і просторової дисперсії. Дисипативна частина провідності має вузькі резонансні максимуми на частотах переходів електронів між рівнями Ландау і локальними рівнями, індукованих електромагнітним полем. У відсутності магнітного поля ці максимуми зливаються в один широкий максимум, розташований вище порогової частоти переходів електронів з локального рівня в зону. Чисельні значення величин максимумів одержано для напівпровідникових структур з двовимірним електронним газом. I. M. Lifshitz's method of local perturbations is used to study the properties of a two-dimensional electron- impurity system in a quantizing magnetic field perpendicular to the plane of electron motion. The tensor of the high-frequency conductivity of the system is calculated within the model of independent impurity point atoms taking into account the impurity states of the electrons and the spatial dispersion. The dissipative part of the conductivity has narrow maxima at the frequencies of the electron transitions between the Landau levels and local levels induced by the electromagnetic field. In the absence of a magnetic field the maxima merge producing a wide maximum which is above the threshold frequency of the electron transitions from the local levels to the band. The maxima are calculated numerically for semiconductor structures with two-dimensional electron gas.