Перенос носителей в квазиодномерных электронных системах над жидким гелием в условиях сильной локализации
Измерена проводимость носителей в квазиодномерной электронной системе над жидким гелием в температурном интервале 0,5-1,9 К в прижимающих электрических полях до 4 кВ/см на частоте 1,1 МГц. Квазиодномерные каналы реализовывались с использованием дифракционной оптической решетки, покрытой тонким сло...
Збережено в:
| Дата: | 1997 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1997
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175614 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Перенос носителей в квазиодномерных электронных системах над жидким гелием в условиях сильной локализации / Хидеки Яяма, Акихиса Томокийо, О.И. Киричек, И.Б. Беркутов, Ю.З. Ковдря // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 11. — С. 1172-1177. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |