Микроволновое поверхностное сопротивление монокристалла YBa₂Cu₃O₇-x и его температурная зависимость
На частоте 10 ГГц измерено поверхностное сопротивление Rs монокристалла YBa₂Cu₃O₇-x. В диапазоне температур 80-20 К значение Rs = 170-10⁻⁶ Ом, а при Т < 20 К сопротивление уменьшается. Предполагается, что причиной такой величины Rs может служить состояние приповерхностного слоя монокристалл...
Saved in:
| Published in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Date: | 1996 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1996
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175699 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Микроволновое поверхностное сопротивление монокристалла YBa₂Cu₃O₇-x и его температурная зависимость / В.Ф. Тарасов, В.Ф. Таборов, А.Л. Касаткин, В.М. Пан // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 6. — С. 690-692. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | На частоте 10 ГГц измерено поверхностное сопротивление Rs монокристалла YBa₂Cu₃O₇-x. В диапазоне температур 80-20 К значение Rs = 170-10⁻⁶ Ом, а при Т < 20 К сопротивление уменьшается. Предполагается, что причиной такой величины Rs может служить состояние приповерхностного слоя монокристалла толщиной Δ ~ 30-50 А.
На частоті 10 ГГц виміряно поверхневий опір Rs монокристалу YBa₂Cu₃O₇-x. В діапазоні температур 80-20 К значення Rs = 170-10⁻⁶ Ом, а при Т < 20 К опір зменшується. Припускається, що причиною такого поверхневого опору Rs може бути стан приповерхневого шару монокристала завтовшки Δ ~ 30—50 А.
Surface resistance, Rs, of YBa₂Cu₃O₇-x single crystals is measured at a frequency of 10 GHz. At temperatures ranged from 80 to 20 К Rs amounts to = 170-10⁻⁶ Ohm and decreases with T < 20 K. Such a behavior of Rs may be attributed to the single crystal subsurface layer Δ - 30-50 A in thickness.
|
|---|---|
| ISSN: | 0132-6414 |