Микроволновое поверхностное сопротивление монокристалла YBa₂Cu₃O₇-x и его температурная зависимость

• Опубліковано в: : Физика низких температур
• Дата: 1996
• Автори: Тарасов, В.Ф., Таборов, В.Ф., Касаткин, А.Л., Пан, В.М.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1996
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175699
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Микроволновое поверхностное сопротивление монокристалла YBa₂Cu₃O₇-x и его температурная зависимость / В.Ф. Тарасов, В.Ф. Таборов, А.Л. Касаткин, В.М. Пан // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 6. — С. 690-692. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.

На частоте 10 ГГц измерено поверхностное сопротивление Rs монокристалла YBa₂Cu₃O₇-x. В диапазо­не температур 80-20 К значение Rs = 170-10⁻⁶ Ом, а при Т < 20 К сопротивление уменьшается. Предпола­гается, что причиной такой величины Rs может служить состояние приповерхностного слоя монокристалла толщиной Δ ~ 30-50 А. На частоті 10 ГГц виміряно поверхневий опір Rs монокристалу YBa₂Cu₃O₇-x. В діапазоні температур 80-20 К значення Rs = 170-10⁻⁶ Ом, а при Т < 20 К опір зменшується. Припускається, що причиною такого поверхневого опору Rs може бути стан приповерхневого шару монокристала завтовшки Δ ~ 30—50 А. Surface resistance, Rs, of YBa₂Cu₃O₇-x single crystals is measured at a frequency of 10 GHz. At tem­peratures ranged from 80 to 20 К Rs amounts to = 170-10⁻⁶ Ohm and decreases with T < 20 K. Such a behavior of Rs may be attributed to the single crystal subsurface layer Δ - 30-50 A in thickness.