Молекулярные состояния адсорбции и вероятность прилипания молекул D₂ на поверхности W(110) при температуре жидкого гелия
Измерены зависимости коэффициента прилипания молекул D₂ на поверхности вольфрама W(110) от степени покрытия S(θ) при температуре подложки Ts ~ 5 К при различных условиях формирования адсорбированного слоя. Обнаруженный ранее (В. Д. Осовскии и др. , Письма в ЖЭТФ 60, 569 (1994)) эффект значительного...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 1997 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1997
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175719 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Молекулярные состояния адсорбции и вероятность прилипания молекул D₂ на поверхности W(110) при температуре жидкого гелия / В.Д. Осовский, Ю.Г. Птушинский, В.Г. Сукретный, Б.А. Чуйков // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 7. — С. 779-783. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862725989249843200 |
|---|---|
| author | Осовский, В.Д. Птушинский, Ю.Г. Сукретный, В.Г. Чуйков, Б.А. |
| author_facet | Осовский, В.Д. Птушинский, Ю.Г. Сукретный, В.Г. Чуйков, Б.А. |
| citation_txt | Молекулярные состояния адсорбции и вероятность прилипания молекул D₂ на поверхности W(110) при температуре жидкого гелия / В.Д. Осовский, Ю.Г. Птушинский, В.Г. Сукретный, Б.А. Чуйков // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 7. — С. 779-783. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Измерены зависимости коэффициента прилипания молекул D₂ на поверхности вольфрама W(110) от степени покрытия S(θ) при температуре подложки Ts ~ 5 К при различных условиях формирования адсорбированного слоя. Обнаруженный ранее (В. Д. Осовскии и др. , Письма в ЖЭТФ 60, 569 (1994)) эффект значительного повышения вероятности прилипания D₂ при заселении слабосвязанных состоянии физической адсорбции существенно усиливается на поверхности, покрытой упорядоченным монослоем атомов деитерия, и в еще большей степени — при адсорбции на поверхности, покрытой атомарным и физически адсорбированным молекулярным монослоями. Наблюдаемые особенности зависимости S(θ) при Ts - 5 К объясняются с учетом островкового характера роста адсорбированного слоя и участия предсостояния в процессе его формирования. Получены также зависимости S(θ) для Ts = 78 и 300 К, свидетельствующие о ленгмюровском механизме адсорбции при заселении атомарного состояния 550 К и об адсорбции через предсостояние при формировании состояния 410 К.
Виміряно залежності коефіцієнта прилипання молекул D₂ на поверхні вольфрама W(110) від ступеня покриття S(θ) при температурі підкладки Ts~ 5 К за різних умов формування адсорбованого шару. Виявлений раніше (В. Д. Осовський та ін. , Письма в ЖЭТФ 60, 569 (1994)) ефект значного підвищення ймовірності прилипання D₂ при заселенні слабкозв язаних станів фізичної адсорбції істотно підсилюється на поверхні, вкритій упорядкованим моношаром атомів дейтерія, і в ще більшій мірі - при адсорбції на поверхні, вкритій атомарним та фізично адсорбованим молекулярним моношарамп. Спостережені особливості залежності S(θ) при Ts - 5 К пояснюються з урахуванням острівцевого характеру росту адсорбованого шару і участі передстану в процесі його формування. Отримано також залежності S(θ)) для Ts = 78 та 300 К, що свідчать про ленгмюрівський механізм адсорбції при заселенні атомарного стану 550 К і про адсорбцію через передстан при формуванні атомарного стану 410 К.
The dependence of the sticking probability of D₂ molecules on the W(110) surface of tungsten on the degree of coverage S(θ) at the substrate temperature Ts∼5 K is measured under different conditions of adlayer formation.The effect of significant increase in the sticking probability for D₂ in the course of population of weakly bound absorption states observed earlier (V. D. Osovskii et al., Pis’ma Zh. Éksp. Teor. Phys. 60, 569 (1994) [JETP Lett. 60, 586 (1994)]) increases considerably on the surface precovered with an ordered monolayer of deuterium atoms and even more strongly for a surface covered with atomic and physisorbed molecular monolayers. The peculiarities in the S(θ) dependence observed at Ts∼5 K are explained, taking into account the island mechanism of adlayer growth as well as the precursor mediated process of its formation. The S(θ) dependences are also obtained for Ts=78 and 300 K and indicate the Langmuir mechanism of adsorption during the population of the 550 K atomic state as well as the precursor mediated mechanism of formation of the 410 K atomic state.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:55:32Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-175719 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:55:32Z |
| publishDate | 1997 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Осовский, В.Д. Птушинский, Ю.Г. Сукретный, В.Г. Чуйков, Б.А. 2021-02-02T17:16:18Z 2021-02-02T17:16:18Z 1997 Молекулярные состояния адсорбции и вероятность прилипания молекул D₂ на поверхности W(110) при температуре жидкого гелия / В.Д. Осовский, Ю.Г. Птушинский, В.Г. Сукретный, Б.А. Чуйков // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 7. — С. 779-783. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 68.45.Da https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175719 Измерены зависимости коэффициента прилипания молекул D₂ на поверхности вольфрама W(110) от степени покрытия S(θ) при температуре подложки Ts ~ 5 К при различных условиях формирования адсорбированного слоя. Обнаруженный ранее (В. Д. Осовскии и др. , Письма в ЖЭТФ 60, 569 (1994)) эффект значительного повышения вероятности прилипания D₂ при заселении слабосвязанных состоянии физической адсорбции существенно усиливается на поверхности, покрытой упорядоченным монослоем атомов деитерия, и в еще большей степени — при адсорбции на поверхности, покрытой атомарным и физически адсорбированным молекулярным монослоями. Наблюдаемые особенности зависимости S(θ) при Ts - 5 К объясняются с учетом островкового характера роста адсорбированного слоя и участия предсостояния в процессе его формирования. Получены также зависимости S(θ) для Ts = 78 и 300 К, свидетельствующие о ленгмюровском механизме адсорбции при заселении атомарного состояния 550 К и об адсорбции через предсостояние при формировании состояния 410 К. Виміряно залежності коефіцієнта прилипання молекул D₂ на поверхні вольфрама W(110) від ступеня покриття S(θ) при температурі підкладки Ts~ 5 К за різних умов формування адсорбованого шару. Виявлений раніше (В. Д. Осовський та ін. , Письма в ЖЭТФ 60, 569 (1994)) ефект значного підвищення ймовірності прилипання D₂ при заселенні слабкозв язаних станів фізичної адсорбції істотно підсилюється на поверхні, вкритій упорядкованим моношаром атомів дейтерія, і в ще більшій мірі - при адсорбції на поверхні, вкритій атомарним та фізично адсорбованим молекулярним моношарамп. Спостережені особливості залежності S(θ) при Ts - 5 К пояснюються з урахуванням острівцевого характеру росту адсорбованого шару і участі передстану в процесі його формування. Отримано також залежності S(θ)) для Ts = 78 та 300 К, що свідчать про ленгмюрівський механізм адсорбції при заселенні атомарного стану 550 К і про адсорбцію через передстан при формуванні атомарного стану 410 К. The dependence of the sticking probability of D₂ molecules on the W(110) surface of tungsten on the degree of coverage S(θ) at the substrate temperature Ts∼5 K is measured under different conditions of adlayer formation.The effect of significant increase in the sticking probability for D₂ in the course of population of weakly bound absorption states observed earlier (V. D. Osovskii et al., Pis’ma Zh. Éksp. Teor. Phys. 60, 569 (1994) [JETP Lett. 60, 586 (1994)]) increases considerably on the surface precovered with an ordered monolayer of deuterium atoms and even more strongly for a surface covered with atomic and physisorbed molecular monolayers. The peculiarities in the S(θ) dependence observed at Ts∼5 K are explained, taking into account the island mechanism of adlayer growth as well as the precursor mediated process of its formation. The S(θ) dependences are also obtained for Ts=78 and 300 K and indicate the Langmuir mechanism of adsorption during the population of the 550 K atomic state as well as the precursor mediated mechanism of formation of the 410 K atomic state. Авторы благодарны Государственному комитету Украины по вопросам науки и техноло¬гий и INTAS за финансовую поддержку работы. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Физические свойства криокристаллов Молекулярные состояния адсорбции и вероятность прилипания молекул D₂ на поверхности W(110) при температуре жидкого гелия Molecular adsorption states and sticking probability of D₂ molecules on the W(110) surface at liquid helium temperatures Article published earlier |
| spellingShingle | Молекулярные состояния адсорбции и вероятность прилипания молекул D₂ на поверхности W(110) при температуре жидкого гелия Осовский, В.Д. Птушинский, Ю.Г. Сукретный, В.Г. Чуйков, Б.А. Физические свойства криокристаллов |
| title | Молекулярные состояния адсорбции и вероятность прилипания молекул D₂ на поверхности W(110) при температуре жидкого гелия |
| title_alt | Molecular adsorption states and sticking probability of D₂ molecules on the W(110) surface at liquid helium temperatures |
| title_full | Молекулярные состояния адсорбции и вероятность прилипания молекул D₂ на поверхности W(110) при температуре жидкого гелия |
| title_fullStr | Молекулярные состояния адсорбции и вероятность прилипания молекул D₂ на поверхности W(110) при температуре жидкого гелия |
| title_full_unstemmed | Молекулярные состояния адсорбции и вероятность прилипания молекул D₂ на поверхности W(110) при температуре жидкого гелия |
| title_short | Молекулярные состояния адсорбции и вероятность прилипания молекул D₂ на поверхности W(110) при температуре жидкого гелия |
| title_sort | молекулярные состояния адсорбции и вероятность прилипания молекул d₂ на поверхности w(110) при температуре жидкого гелия |
| topic | Физические свойства криокристаллов |
| topic_facet | Физические свойства криокристаллов |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175719 |
| work_keys_str_mv | AT osovskiivd molekulârnyesostoâniâadsorbciiiveroâtnostʹprilipaniâmolekuld2napoverhnostiw110pritemperaturežidkogogeliâ AT ptušinskiiûg molekulârnyesostoâniâadsorbciiiveroâtnostʹprilipaniâmolekuld2napoverhnostiw110pritemperaturežidkogogeliâ AT sukretnyivg molekulârnyesostoâniâadsorbciiiveroâtnostʹprilipaniâmolekuld2napoverhnostiw110pritemperaturežidkogogeliâ AT čuikovba molekulârnyesostoâniâadsorbciiiveroâtnostʹprilipaniâmolekuld2napoverhnostiw110pritemperaturežidkogogeliâ AT osovskiivd molecularadsorptionstatesandstickingprobabilityofd2moleculesonthew110surfaceatliquidheliumtemperatures AT ptušinskiiûg molecularadsorptionstatesandstickingprobabilityofd2moleculesonthew110surfaceatliquidheliumtemperatures AT sukretnyivg molecularadsorptionstatesandstickingprobabilityofd2moleculesonthew110surfaceatliquidheliumtemperatures AT čuikovba molecularadsorptionstatesandstickingprobabilityofd2moleculesonthew110surfaceatliquidheliumtemperatures |