Влияние релаксации носителей заряда на спектры донорно-акцепторной рекомбинации с учетом кулоновских корреляций

Представлены результаты численного моделирования спектров донорно-акцепторной рекомбинации в компенсированных полупроводниках с учетом электростатических флуктуаций, связанных с наличием ионизированных примесей. Наличие кулоновских корреляций в системе частично ионизированных примесных центров при...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Физика низких температур
Дата:	2019
Автори:	Богословский, Н.А., Петров, П.В., Аверкиев, Н.С.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2019
Теми:	Спеціальний випуск. «XXII Уральська міжнародна зимова школа з фізики напівпровідників» (20–23 лютого, 2018)
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175789
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Влияние релаксации носителей заряда на спектры донорно-акцепторной рекомбинации с учетом кулоновских корреляций / Н.А. Богословский, П.В. Петров, Н.С. Аверкиев // Физика низких температур. — 2019. — Т. 45, № 2. — С. 171-178. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-175789
record_format	dspace
spelling	Богословский, Н.А. Петров, П.В. Аверкиев, Н.С. 2021-02-02T19:20:57Z 2021-02-02T19:20:57Z 2019 Влияние релаксации носителей заряда на спектры донорно-акцепторной рекомбинации с учетом кулоновских корреляций / Н.А. Богословский, П.В. Петров, Н.С. Аверкиев // Физика низких температур. — 2019. — Т. 45, № 2. — С. 171-178. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 0132-6414 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175789 Представлены результаты численного моделирования спектров донорно-акцепторной рекомбинации в компенсированных полупроводниках с учетом электростатических флуктуаций, связанных с наличием ионизированных примесей. Наличие кулоновских корреляций в системе частично ионизированных примесных центров приводит к возникновению особенностей в спектрах рекомбинации, зависящих от энергетической релаксации носителей заряда. Рассмотрены предельные случаи отсутствия релаксации, частичной релаксации основных и неосновных носителей заряда, а также полной релаксации системы электронов и дырок, локализованных на примесях. Интерпретация полученных методом численного моделирования результатов проведена с использованием разработанной ранее аналитической модели, в которой отдельно рассматриваются вклады в рекомбинацию равновесных и фотовозбужденных носителей заряда. Показано, что при определенных экспериментальных условиях линии излучения, соответствующие этим вкладам, могут спектрально разрешаться. Представлено результати чисельного моделювання спектрів донорно-акцепторної рекомбінації у компенсованих напівпровідниках з урахуванням електростатичних флуктуацій, які пов’язані з наявністю іонізованих домішок. Наявність кулонівських кореляцій в системі частково іонізованих домішкових центрів призводить до виникнення особливостей в спектрах рекомбінації, що залежать від енергетичної релаксації носіїв заряду. Розглянуто граничні випадки відсутності релаксації, часткової релаксації основних та неосновних носіїв заряду, а також повної релаксації системи електронів та дірок, які локалізовані на домішках. Інтерпретацію отриманих методом чисельного моделювання результатів проведено з використанням розробленої раніше аналітичної моделі, в якій окремо розглядаються внески в рекомбінацію рівноважних та фотозбуджених носіїв заряду. Показано, що при певних експериментальних умовах лінії випромінювання, які відповідні цим внескам, можуть спектрально розділятися. In the article we present results of numerical simulation of donor-acceptor recombination spectra in compensated semiconductors taking into account electrostatic fluctuations due to presence of ionized impurities. A presence of Coulomb correlations in the system of partly ionized impurities leads to appearance of peculiarities in recombination spectra depending on energy relaxation of charge carriers. We consider limiting cases of an absence of the relaxation, a partly relaxation of majority or minority carriers and a full relaxation of the system of electrons and holes which localized on impurities. We carry out an interpretation of obtained results using a developed earlier analytical model in which we consider separately a contribution of equilibrium and photo-excited charge carriers. We show that under certain experimental conditions two spectral lines due to these contributions can be resolved in spectra. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Спеціальний випуск. «XXII Уральська міжнародна зимова школа з фізики напівпровідників» (20–23 лютого, 2018) Влияние релаксации носителей заряда на спектры донорно-акцепторной рекомбинации с учетом кулоновских корреляций Вплив релаксації носіїв заряду на спектри донорно-акцепторної рекомбінації з урахуванням кулонівських кореляцій The influence of charge carrier relaxation on spectra of donor-acceptor recombination taking into account Coulomb correlations Article published earlier
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
title	Влияние релаксации носителей заряда на спектры донорно-акцепторной рекомбинации с учетом кулоновских корреляций
spellingShingle	Влияние релаксации носителей заряда на спектры донорно-акцепторной рекомбинации с учетом кулоновских корреляций Богословский, Н.А. Петров, П.В. Аверкиев, Н.С. Спеціальний випуск. «XXII Уральська міжнародна зимова школа з фізики напівпровідників» (20–23 лютого, 2018)
title_short	Влияние релаксации носителей заряда на спектры донорно-акцепторной рекомбинации с учетом кулоновских корреляций
title_full	Влияние релаксации носителей заряда на спектры донорно-акцепторной рекомбинации с учетом кулоновских корреляций
title_fullStr	Влияние релаксации носителей заряда на спектры донорно-акцепторной рекомбинации с учетом кулоновских корреляций
title_full_unstemmed	Влияние релаксации носителей заряда на спектры донорно-акцепторной рекомбинации с учетом кулоновских корреляций
title_sort	влияние релаксации носителей заряда на спектры донорно-акцепторной рекомбинации с учетом кулоновских корреляций
author	Богословский, Н.А. Петров, П.В. Аверкиев, Н.С.
author_facet	Богословский, Н.А. Петров, П.В. Аверкиев, Н.С.
topic	Спеціальний випуск. «XXII Уральська міжнародна зимова школа з фізики напівпровідників» (20–23 лютого, 2018)
topic_facet	Спеціальний випуск. «XXII Уральська міжнародна зимова школа з фізики напівпровідників» (20–23 лютого, 2018)
publishDate	2019
language	Russian
container_title	Физика низких температур
publisher	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format	Article
title_alt	Вплив релаксації носіїв заряду на спектри донорно-акцепторної рекомбінації з урахуванням кулонівських кореляцій The influence of charge carrier relaxation on spectra of donor-acceptor recombination taking into account Coulomb correlations
description	Представлены результаты численного моделирования спектров донорно-акцепторной рекомбинации в компенсированных полупроводниках с учетом электростатических флуктуаций, связанных с наличием ионизированных примесей. Наличие кулоновских корреляций в системе частично ионизированных примесных центров приводит к возникновению особенностей в спектрах рекомбинации, зависящих от энергетической релаксации носителей заряда. Рассмотрены предельные случаи отсутствия релаксации, частичной релаксации основных и неосновных носителей заряда, а также полной релаксации системы электронов и дырок, локализованных на примесях. Интерпретация полученных методом численного моделирования результатов проведена с использованием разработанной ранее аналитической модели, в которой отдельно рассматриваются вклады в рекомбинацию равновесных и фотовозбужденных носителей заряда. Показано, что при определенных экспериментальных условиях линии излучения, соответствующие этим вкладам, могут спектрально разрешаться. Представлено результати чисельного моделювання спектрів донорно-акцепторної рекомбінації у компенсованих напівпровідниках з урахуванням електростатичних флуктуацій, які пов’язані з наявністю іонізованих домішок. Наявність кулонівських кореляцій в системі частково іонізованих домішкових центрів призводить до виникнення особливостей в спектрах рекомбінації, що залежать від енергетичної релаксації носіїв заряду. Розглянуто граничні випадки відсутності релаксації, часткової релаксації основних та неосновних носіїв заряду, а також повної релаксації системи електронів та дірок, які локалізовані на домішках. Інтерпретацію отриманих методом чисельного моделювання результатів проведено з використанням розробленої раніше аналітичної моделі, в якій окремо розглядаються внески в рекомбінацію рівноважних та фотозбуджених носіїв заряду. Показано, що при певних експериментальних умовах лінії випромінювання, які відповідні цим внескам, можуть спектрально розділятися. In the article we present results of numerical simulation of donor-acceptor recombination spectra in compensated semiconductors taking into account electrostatic fluctuations due to presence of ionized impurities. A presence of Coulomb correlations in the system of partly ionized impurities leads to appearance of peculiarities in recombination spectra depending on energy relaxation of charge carriers. We consider limiting cases of an absence of the relaxation, a partly relaxation of majority or minority carriers and a full relaxation of the system of electrons and holes which localized on impurities. We carry out an interpretation of obtained results using a developed earlier analytical model in which we consider separately a contribution of equilibrium and photo-excited charge carriers. We show that under certain experimental conditions two spectral lines due to these contributions can be resolved in spectra.
issn	0132-6414
url	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175789
fulltext
citation_txt	Влияние релаксации носителей заряда на спектры донорно-акцепторной рекомбинации с учетом кулоновских корреляций / Н.А. Богословский, П.В. Петров, Н.С. Аверкиев // Физика низких температур. — 2019. — Т. 45, № 2. — С. 171-178. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
work_keys_str_mv	AT bogoslovskiina vliânierelaksaciinositeleizarâdanaspektrydonornoakceptornoirekombinaciisučetomkulonovskihkorrelâcii AT petrovpv vliânierelaksaciinositeleizarâdanaspektrydonornoakceptornoirekombinaciisučetomkulonovskihkorrelâcii AT averkievns vliânierelaksaciinositeleizarâdanaspektrydonornoakceptornoirekombinaciisučetomkulonovskihkorrelâcii AT bogoslovskiina vplivrelaksacíínosíívzarâdunaspektridonornoakceptornoírekombínacíízurahuvannâmkulonívsʹkihkorelâcíi AT petrovpv vplivrelaksacíínosíívzarâdunaspektridonornoakceptornoírekombínacíízurahuvannâmkulonívsʹkihkorelâcíi AT averkievns vplivrelaksacíínosíívzarâdunaspektridonornoakceptornoírekombínacíízurahuvannâmkulonívsʹkihkorelâcíi AT bogoslovskiina theinfluenceofchargecarrierrelaxationonspectraofdonoracceptorrecombinationtakingintoaccountcoulombcorrelations AT petrovpv theinfluenceofchargecarrierrelaxationonspectraofdonoracceptorrecombinationtakingintoaccountcoulombcorrelations AT averkievns theinfluenceofchargecarrierrelaxationonspectraofdonoracceptorrecombinationtakingintoaccountcoulombcorrelations
first_indexed	2025-11-24T04:59:33Z
last_indexed	2025-11-24T04:59:33Z
_version_	1850842288472719360

Влияние релаксации носителей заряда на спектры донорно-акцепторной рекомбинации с учетом кулоновских корреляций

Репозитарії

Схожі ресурси