Зонная структура гибридизованной электроннодырочной системы на одиночной разъединенной гетерогранице II типа
В разъединенной гетероструктуре II типа p-GaInAsSb/р-InAs исследованы особенности планарного и вертикального квантового магнитотранспорта. Выявлена структура гибридизированного энергетического спектра двумерного полуметаллического канала на одиночной разъединенной гетерогранице II типа. Продемонс...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 2019 |
| Hauptverfasser: | Моисеев, К.Д., Березовец, В.А., Голеницкий, К.Ю., Аверкиев, Н.С. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2019
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175793 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Зонная структура гибридизованной электроннодырочной системы на одиночной разъединенной гетерогранице II типа / К.Д. Моисеев, В.А. Березовец, К.Ю. Голеницкий, Н.С. Аверкиев // Физика низких температур. — 2019. — Т. 45, № 2. — С. 179-184. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
-
Влияние релаксации носителей заряда на спектры донорно-акцепторной рекомбинации с учетом кулоновских корреляций
von: Богословский, Н.А., et al.
Veröffentlicht: (2019) -
Spin splitting of surface states in HgTe quantum wells
von: Dobretsova, A.A., et al.
Veröffentlicht: (2019) -
Anisotropic temperature dependence of normal state resistivity in underdoped region of a layered electron-doped superconductor Nd₂−xCexCuO₄
von: Klepikova, A.S., et al.
Veröffentlicht: (2019) -
Ренормировки заселенностей триплетных состояний спинового димера в нулевом магнитном поле при квантовом транспорте
von: Вальков, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2019) -
Пик-эффект в намагниченности сверхпроводящего соединения (PbzSn₁–z)₀,₈₄In₀,₁₆Te
von: Михайлин, Н.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2019)