Scaling laws under quantum Hall effect for a smooth disorder potential

Scaling laws under quantum Hall effect for a smooth disorder potential

We carried out the analysis of discovered experimental values of the critical parameter κ for the quantum Hall plateau-plateau transitions in modulation-doped GaAs/AlGaAs heterostructures. It turned out that these values are in the main concentrated at the range of 0.5–0.7. We argue that within th...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физика низких температур
Datum:2019
Hauptverfasser: Gudina, S.V., Klepikova, A.S., Neverov, V.N., Shelushinina, N.G., Yakunin, M.V.
Format: Artikel
Sprache:English
Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2019
Schlagworte:
Спеціальний випуск. «XXII Уральська міжнародна зимова школа з фізики напівпровідників» (20–23 лютого, 2018)
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175849
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Scaling laws under quantum Hall effect for a smooth disorder potential / S.V. Gudina, A.S. Klepikova, V.N. Neverov, N.G. Shelushinina, M.V. Yakunin // Физика низких температур. — 2019. — Т. 45, № 2. — С. 204-209. — Бібліогр.: 39 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-175849
record_format dspace
spelling Gudina, S.V.
Klepikova, A.S.
Neverov, V.N.
Shelushinina, N.G.
Yakunin, M.V.
2021-02-02T20:03:03Z
2021-02-02T20:03:03Z
2019
Scaling laws under quantum Hall effect for a smooth disorder potential / S.V. Gudina, A.S. Klepikova, V.N. Neverov, N.G. Shelushinina, M.V. Yakunin // Физика низких температур. — 2019. — Т. 45, № 2. — С. 204-209. — Бібліогр.: 39 назв. — англ.
0132-6414
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175849
We carried out the analysis of discovered experimental values of the critical parameter κ for the quantum Hall plateau-plateau transitions in modulation-doped GaAs/AlGaAs heterostructures. It turned out that these values are in the main concentrated at the range of 0.5–0.7. We argue that within the theoretical concepts for the largescale disorder potential, it corresponds to a borderland between quantum tunnelling processes and classical percolation regime. Just, the critical exponent value for the bandwidth of delocalized states, κ = 0.54 ± 0.01, obtained by us for HgTe-based heterostructure with inverted band spectrum, can be associated with a smooth character of impurity potential in our system
Проведено аналіз експериментальних значень критичного параметра квантових холлівських переходів κ типу «платоплато» в селективно легованій гетероструктурі GaAs/AlGaAs. Виявилося, що ці значення в основному зосереджені в діапазоні κ = 0,5–0,7. Стверджується, що в рамках теоретичних уявлень про великомасштабний потенціал безладу це відповідає межі між процесами квантового тунелювання та класичним режимом перколяції. Так само величина критичної експоненти κ = = 0,54 ±0,01 для ширини смуги делокалізованних станів, отримана для гетероструктури на основі HgTe з інвертованим спектром, може бути пов'язана з плавним характером домішкового потенціалу в дослідженій системі.
Проведен анализ экспериментальных значений критического параметра κ квантовых холловских переходов типа плато–плато в селективно легированной гетероструктуре GaAs/AlGaAs. Оказалось, что эти значения в основном сосредоточены в диапазоне κ = 0,5–0,7. Утверждается, что в рамках теоретических представлений о крупномасштабном потенциале беспорядка это соответствует границе между процессами квантового туннелирования и классическим режимом перколяции. Точно так же величина критической экспоненты κ = 0,54 ±0,01 для ширины полосы делокализованных состояний, полученная для гетероструктуры на основе HgTe с инвертированным спектром, может быть связана с плавным характером примесного потенциала в исследованной системе.
This work was done in frames of the state task on the topic “Electron” No. AAAA-A18-118020190098-5, project No. 18-10-2-6 of the Ural Branch Program of the Russian Academy of Sciences and partly by the Russian Foundation for Basic Research (project Nos. 18-02-00172 and 18-02-00192).
en
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Спеціальний випуск. «XXII Уральська міжнародна зимова школа з фізики напівпровідників» (20–23 лютого, 2018)
Scaling laws under quantum Hall effect for a smooth disorder potential
Скейлінг в режимі квантового ефекту Холла для плавного потенціалу безладу
Скейлинг в режиме квантового эффекта Холла для плавного потенциала беспорядка
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Scaling laws under quantum Hall effect for a smooth disorder potential
spellingShingle Scaling laws under quantum Hall effect for a smooth disorder potential
Gudina, S.V.
Klepikova, A.S.
Neverov, V.N.
Shelushinina, N.G.
Yakunin, M.V.
Спеціальний випуск. «XXII Уральська міжнародна зимова школа з фізики напівпровідників» (20–23 лютого, 2018)
title_short Scaling laws under quantum Hall effect for a smooth disorder potential
title_full Scaling laws under quantum Hall effect for a smooth disorder potential
title_fullStr Scaling laws under quantum Hall effect for a smooth disorder potential
title_full_unstemmed Scaling laws under quantum Hall effect for a smooth disorder potential
title_sort scaling laws under quantum hall effect for a smooth disorder potential
author Gudina, S.V.
Klepikova, A.S.
Neverov, V.N.
Shelushinina, N.G.
Yakunin, M.V.
author_facet Gudina, S.V.
Klepikova, A.S.
Neverov, V.N.
Shelushinina, N.G.
Yakunin, M.V.
topic Спеціальний випуск. «XXII Уральська міжнародна зимова школа з фізики напівпровідників» (20–23 лютого, 2018)
topic_facet Спеціальний випуск. «XXII Уральська міжнародна зимова школа з фізики напівпровідників» (20–23 лютого, 2018)
publishDate 2019
language English
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt Скейлінг в режимі квантового ефекту Холла для плавного потенціалу безладу
Скейлинг в режиме квантового эффекта Холла для плавного потенциала беспорядка
description We carried out the analysis of discovered experimental values of the critical parameter κ for the quantum Hall plateau-plateau transitions in modulation-doped GaAs/AlGaAs heterostructures. It turned out that these values are in the main concentrated at the range of 0.5–0.7. We argue that within the theoretical concepts for the largescale disorder potential, it corresponds to a borderland between quantum tunnelling processes and classical percolation regime. Just, the critical exponent value for the bandwidth of delocalized states, κ = 0.54 ± 0.01, obtained by us for HgTe-based heterostructure with inverted band spectrum, can be associated with a smooth character of impurity potential in our system Проведено аналіз експериментальних значень критичного параметра квантових холлівських переходів κ типу «платоплато» в селективно легованій гетероструктурі GaAs/AlGaAs. Виявилося, що ці значення в основному зосереджені в діапазоні κ = 0,5–0,7. Стверджується, що в рамках теоретичних уявлень про великомасштабний потенціал безладу це відповідає межі між процесами квантового тунелювання та класичним режимом перколяції. Так само величина критичної експоненти κ = = 0,54 ±0,01 для ширини смуги делокалізованних станів, отримана для гетероструктури на основі HgTe з інвертованим спектром, може бути пов'язана з плавним характером домішкового потенціалу в дослідженій системі. Проведен анализ экспериментальных значений критического параметра κ квантовых холловских переходов типа плато–плато в селективно легированной гетероструктуре GaAs/AlGaAs. Оказалось, что эти значения в основном сосредоточены в диапазоне κ = 0,5–0,7. Утверждается, что в рамках теоретических представлений о крупномасштабном потенциале беспорядка это соответствует границе между процессами квантового туннелирования и классическим режимом перколяции. Точно так же величина критической экспоненты κ = 0,54 ±0,01 для ширины полосы делокализованных состояний, полученная для гетероструктуры на основе HgTe с инвертированным спектром, может быть связана с плавным характером примесного потенциала в исследованной системе.
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175849
citation_txt Scaling laws under quantum Hall effect for a smooth disorder potential / S.V. Gudina, A.S. Klepikova, V.N. Neverov, N.G. Shelushinina, M.V. Yakunin // Физика низких температур. — 2019. — Т. 45, № 2. — С. 204-209. — Бібліогр.: 39 назв. — англ.
work_keys_str_mv AT gudinasv scalinglawsunderquantumhalleffectforasmoothdisorderpotential
AT klepikovaas scalinglawsunderquantumhalleffectforasmoothdisorderpotential
AT neverovvn scalinglawsunderquantumhalleffectforasmoothdisorderpotential
AT shelushininang scalinglawsunderquantumhalleffectforasmoothdisorderpotential
AT yakuninmv scalinglawsunderquantumhalleffectforasmoothdisorderpotential
AT gudinasv skeilíngvrežimíkvantovogoefektuholladlâplavnogopotencíalubezladu
AT klepikovaas skeilíngvrežimíkvantovogoefektuholladlâplavnogopotencíalubezladu
AT neverovvn skeilíngvrežimíkvantovogoefektuholladlâplavnogopotencíalubezladu
AT shelushininang skeilíngvrežimíkvantovogoefektuholladlâplavnogopotencíalubezladu
AT yakuninmv skeilíngvrežimíkvantovogoefektuholladlâplavnogopotencíalubezladu
AT gudinasv skeilingvrežimekvantovogoéffektaholladlâplavnogopotencialabesporâdka
AT klepikovaas skeilingvrežimekvantovogoéffektaholladlâplavnogopotencialabesporâdka
AT neverovvn skeilingvrežimekvantovogoéffektaholladlâplavnogopotencialabesporâdka
AT shelushininang skeilingvrežimekvantovogoéffektaholladlâplavnogopotencialabesporâdka
AT yakuninmv skeilingvrežimekvantovogoéffektaholladlâplavnogopotencialabesporâdka
first_indexed 2025-12-07T15:58:05Z
last_indexed 2025-12-07T15:58:05Z
_version_ 1850865704765489152

Ähnliche Einträge