Анизотропия плотности критического тока в слоистом электронно-легированном сверхпроводнике Nd₂–xCexCuO₄+δ

• Published in: Физика низких температур
• Date: 2019
• Main Authors: Клепикова, А.С., Попов, М.Р., Иванов, А.А., Медведев, М.В., Чарикова, Т.Б.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2019
• Subjects: Спеціальний випуск. «XXII Уральська міжнародна зимова школа з фізики напівпровідників» (20–23 лютого, 2018)
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175958
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Анизотропия плотности критического тока в слоистом электронно-легированном сверхпроводнике Nd₂–xCexCuO₄+δ / А.С. Клепикова, М.Р. Попов, А.А. Иванов, М.В. Медведев, Т.Б. Чарикова // Физика низких температур. — 2019. — Т. 45, № 2. — С. 245-250. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Представлены результаты исследования проводимости и плотности критического тока монокристаллических пленок Nd₂–xCexCuO₄+δ/SrTiO₃ с осью c, перпендикулярной или параллельной плоскости
 подложки, с концентрацией церия x = 0,15 и x = 0,17. Обнаружено, что в стехиометрически отожженных
 пленках с оптимальным содержанием церия (x = 0,15) величина анизотропии сопротивления максимальна, а
 анизотропия плотности критического тока составила 3 / 3 10 ab c
 c c j j ≅ ⋅ при T = 4,2 К. Сильная анизотропия
 плотности критического тока рассмотрена в рамках модели естественной сверхрешетки с чередующимися
 проводящими CuO₂-слоями и непроводящими буферными Nd(Ce)O-слоями. Показано, что высокая
 плотность критического тока вдоль проводящих CuO₂-плоскостей связана с пиннингом вихрей на
 буферных слоях, а сильная анизотропия плотности критического тока является следствием анизотропного
 движения вихревой решетки в слоистом сверхпроводнике. Представлено результати дослідження провідності та
 густини критичного струму монокристалічних плівок із
 віссю с, яка перпендикулярна або паралельна площині підкладки, з концентрацією церію x = 0,15 та x = 0,17.
 Виявлено, що у стехіометрично відпалених плівках з
 оптимальним вмістом церію (x = 0,15) величина анізотропії
 опору максимальна, а анізотропія густини критичного струму склала
 3 / 10³ ab c
 c c j j ≅ ⋅ при Т = 4,2 К. Сильну анізотропію густини критичного струму розглянуто в рамках
 моделі природної надгратки з провідними CuO₂-шарами,
 які чергуються, та непровідними буферними Nd(Ce)O-шарами. Показано, що висока густина критичного струму уздовж провідних CuO₂-площин пов'язана з пінінгом
 вихорів на буферних шарах, а сильна анізотропія густини
 критичного струму є наслідком анізотропного руху
 вихрової гратки у шаруватому надпровіднику. The results of studies of the conductivity and critical current
 density of single-crystal films Nd₂–xCexCuO₄+δ/SrTiO₃ with an
 axis c perpendicular or parallel to the substrate plane with a cerium
 concentration of x = 0.15 and x = 0.17 are presented. It was
 found that in the stoichiometrically annealed films with the
 optimum cerium content ( 0.15) x = the resistance anisotropy is
 maximal and the anisotropy of the critical current density is
 3 / 10³ ab c
 c c j j ≅ ⋅ at T = 4.2 K . The strong anisotropy of the critical
 current density is considered within the framework of the natural
 superlattices with alternating conducting CuO₂ layers and
 nonconducting Nd(Ce)O-buffer layers. It was found that the high
 density of the critical current along the conducting CuO₂ planes is
 related to the pinning of vortices on the buffer layers and a strong
 anisotropy of the critical current density is a manifestation of the
 anisotropic motion of the vortex lattice in a layered superconductor.