Анизотропия плотности критического тока в слоистом электронно-легированном сверхпроводнике Nd₂–xCexCuO₄+δ

Представлены результаты исследования проводимости и плотности критического тока монокристаллических пленок Nd₂–xCexCuO₄+δ/SrTiO₃ с осью c, перпендикулярной или параллельной плоскости подложки, с концентрацией церия x = 0,15 и x = 0,17. Обнаружено, что в стехиометрически отожженных пленках с оптима...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Физика низких температур
Дата:2019
Автори: Клепикова, А.С., Попов, М.Р., Иванов, А.А., Медведев, М.В., Чарикова, Т.Б.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2019
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175958
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Анизотропия плотности критического тока в слоистом электронно-легированном сверхпроводнике Nd₂–xCexCuO₄+δ / А.С. Клепикова, М.Р. Попов, А.А. Иванов, М.В. Медведев, Т.Б. Чарикова // Физика низких температур. — 2019. — Т. 45, № 2. — С. 245-250. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Представлены результаты исследования проводимости и плотности критического тока монокристаллических пленок Nd₂–xCexCuO₄+δ/SrTiO₃ с осью c, перпендикулярной или параллельной плоскости подложки, с концентрацией церия x = 0,15 и x = 0,17. Обнаружено, что в стехиометрически отожженных пленках с оптимальным содержанием церия (x = 0,15) величина анизотропии сопротивления максимальна, а анизотропия плотности критического тока составила 3 / 3 10 ab c c c j j ≅ ⋅ при T = 4,2 К. Сильная анизотропия плотности критического тока рассмотрена в рамках модели естественной сверхрешетки с чередующимися проводящими CuO₂-слоями и непроводящими буферными Nd(Ce)O-слоями. Показано, что высокая плотность критического тока вдоль проводящих CuO₂-плоскостей связана с пиннингом вихрей на буферных слоях, а сильная анизотропия плотности критического тока является следствием анизотропного движения вихревой решетки в слоистом сверхпроводнике. Представлено результати дослідження провідності та густини критичного струму монокристалічних плівок із віссю с, яка перпендикулярна або паралельна площині підкладки, з концентрацією церію x = 0,15 та x = 0,17. Виявлено, що у стехіометрично відпалених плівках з оптимальним вмістом церію (x = 0,15) величина анізотропії опору максимальна, а анізотропія густини критичного струму склала 3 / 10³ ab c c c j j ≅ ⋅ при Т = 4,2 К. Сильну анізотропію густини критичного струму розглянуто в рамках моделі природної надгратки з провідними CuO₂-шарами, які чергуються, та непровідними буферними Nd(Ce)O-шарами. Показано, що висока густина критичного струму уздовж провідних CuO₂-площин пов'язана з пінінгом вихорів на буферних шарах, а сильна анізотропія густини критичного струму є наслідком анізотропного руху вихрової гратки у шаруватому надпровіднику. The results of studies of the conductivity and critical current density of single-crystal films Nd₂–xCexCuO₄+δ/SrTiO₃ with an axis c perpendicular or parallel to the substrate plane with a cerium concentration of x = 0.15 and x = 0.17 are presented. It was found that in the stoichiometrically annealed films with the optimum cerium content ( 0.15) x = the resistance anisotropy is maximal and the anisotropy of the critical current density is 3 / 10³ ab c c c j j ≅ ⋅ at T = 4.2 K . The strong anisotropy of the critical current density is considered within the framework of the natural superlattices with alternating conducting CuO₂ layers and nonconducting Nd(Ce)O-buffer layers. It was found that the high density of the critical current along the conducting CuO₂ planes is related to the pinning of vortices on the buffer layers and a strong anisotropy of the critical current density is a manifestation of the anisotropic motion of the vortex lattice in a layered superconductor.
ISSN:0132-6414