Анизотропия плотности критического тока в слоистом электронно-легированном сверхпроводнике Nd₂–xCexCuO₄+δ

Представлены результаты исследования проводимости и плотности критического тока монокристаллических пленок Nd₂–xCexCuO₄+δ/SrTiO₃ с осью c, перпендикулярной или параллельной плоскости
 подложки, с концентрацией церия x = 0,15 и x = 0,17. Обнаружено, что в стехиометрически отожженных
...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физика низких температур
Datum:2019
Hauptverfasser: Клепикова, А.С., Попов, М.Р., Иванов, А.А., Медведев, М.В., Чарикова, Т.Б.
Format: Artikel
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2019
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175958
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Анизотропия плотности критического тока в слоистом электронно-легированном сверхпроводнике Nd₂–xCexCuO₄+δ / А.С. Клепикова, М.Р. Попов, А.А. Иванов, М.В. Медведев, Т.Б. Чарикова // Физика низких температур. — 2019. — Т. 45, № 2. — С. 245-250. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862716136459599872
author Клепикова, А.С.
Попов, М.Р.
Иванов, А.А.
Медведев, М.В.
Чарикова, Т.Б.
author_facet Клепикова, А.С.
Попов, М.Р.
Иванов, А.А.
Медведев, М.В.
Чарикова, Т.Б.
citation_txt Анизотропия плотности критического тока в слоистом электронно-легированном сверхпроводнике Nd₂–xCexCuO₄+δ / А.С. Клепикова, М.Р. Попов, А.А. Иванов, М.В. Медведев, Т.Б. Чарикова // Физика низких температур. — 2019. — Т. 45, № 2. — С. 245-250. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Физика низких температур
description Представлены результаты исследования проводимости и плотности критического тока монокристаллических пленок Nd₂–xCexCuO₄+δ/SrTiO₃ с осью c, перпендикулярной или параллельной плоскости
 подложки, с концентрацией церия x = 0,15 и x = 0,17. Обнаружено, что в стехиометрически отожженных
 пленках с оптимальным содержанием церия (x = 0,15) величина анизотропии сопротивления максимальна, а
 анизотропия плотности критического тока составила 3 / 3 10 ab c
 c c j j ≅ ⋅ при T = 4,2 К. Сильная анизотропия
 плотности критического тока рассмотрена в рамках модели естественной сверхрешетки с чередующимися
 проводящими CuO₂-слоями и непроводящими буферными Nd(Ce)O-слоями. Показано, что высокая
 плотность критического тока вдоль проводящих CuO₂-плоскостей связана с пиннингом вихрей на
 буферных слоях, а сильная анизотропия плотности критического тока является следствием анизотропного
 движения вихревой решетки в слоистом сверхпроводнике. Представлено результати дослідження провідності та
 густини критичного струму монокристалічних плівок із
 віссю с, яка перпендикулярна або паралельна площині підкладки, з концентрацією церію x = 0,15 та x = 0,17.
 Виявлено, що у стехіометрично відпалених плівках з
 оптимальним вмістом церію (x = 0,15) величина анізотропії
 опору максимальна, а анізотропія густини критичного струму склала
 3 / 10³ ab c
 c c j j ≅ ⋅ при Т = 4,2 К. Сильну анізотропію густини критичного струму розглянуто в рамках
 моделі природної надгратки з провідними CuO₂-шарами,
 які чергуються, та непровідними буферними Nd(Ce)O-шарами. Показано, що висока густина критичного струму уздовж провідних CuO₂-площин пов'язана з пінінгом
 вихорів на буферних шарах, а сильна анізотропія густини
 критичного струму є наслідком анізотропного руху
 вихрової гратки у шаруватому надпровіднику. The results of studies of the conductivity and critical current
 density of single-crystal films Nd₂–xCexCuO₄+δ/SrTiO₃ with an
 axis c perpendicular or parallel to the substrate plane with a cerium
 concentration of x = 0.15 and x = 0.17 are presented. It was
 found that in the stoichiometrically annealed films with the
 optimum cerium content ( 0.15) x = the resistance anisotropy is
 maximal and the anisotropy of the critical current density is
 3 / 10³ ab c
 c c j j ≅ ⋅ at T = 4.2 K . The strong anisotropy of the critical
 current density is considered within the framework of the natural
 superlattices with alternating conducting CuO₂ layers and
 nonconducting Nd(Ce)O-buffer layers. It was found that the high
 density of the critical current along the conducting CuO₂ planes is
 related to the pinning of vortices on the buffer layers and a strong
 anisotropy of the critical current density is a manifestation of the
 anisotropic motion of the vortex lattice in a layered superconductor.
first_indexed 2025-12-07T18:03:15Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-175958
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 0132-6414
language Russian
last_indexed 2025-12-07T18:03:15Z
publishDate 2019
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
record_format dspace
spelling Клепикова, А.С.
Попов, М.Р.
Иванов, А.А.
Медведев, М.В.
Чарикова, Т.Б.
2021-02-03T07:06:51Z
2021-02-03T07:06:51Z
2019
Анизотропия плотности критического тока в слоистом электронно-легированном сверхпроводнике Nd₂–xCexCuO₄+δ / А.С. Клепикова, М.Р. Попов, А.А. Иванов, М.В. Медведев, Т.Б. Чарикова // Физика низких температур. — 2019. — Т. 45, № 2. — С. 245-250. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
0132-6414
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175958
Представлены результаты исследования проводимости и плотности критического тока монокристаллических пленок Nd₂–xCexCuO₄+δ/SrTiO₃ с осью c, перпендикулярной или параллельной плоскости
 подложки, с концентрацией церия x = 0,15 и x = 0,17. Обнаружено, что в стехиометрически отожженных
 пленках с оптимальным содержанием церия (x = 0,15) величина анизотропии сопротивления максимальна, а
 анизотропия плотности критического тока составила 3 / 3 10 ab c
 c c j j ≅ ⋅ при T = 4,2 К. Сильная анизотропия
 плотности критического тока рассмотрена в рамках модели естественной сверхрешетки с чередующимися
 проводящими CuO₂-слоями и непроводящими буферными Nd(Ce)O-слоями. Показано, что высокая
 плотность критического тока вдоль проводящих CuO₂-плоскостей связана с пиннингом вихрей на
 буферных слоях, а сильная анизотропия плотности критического тока является следствием анизотропного
 движения вихревой решетки в слоистом сверхпроводнике.
Представлено результати дослідження провідності та
 густини критичного струму монокристалічних плівок із
 віссю с, яка перпендикулярна або паралельна площині підкладки, з концентрацією церію x = 0,15 та x = 0,17.
 Виявлено, що у стехіометрично відпалених плівках з
 оптимальним вмістом церію (x = 0,15) величина анізотропії
 опору максимальна, а анізотропія густини критичного струму склала
 3 / 10³ ab c
 c c j j ≅ ⋅ при Т = 4,2 К. Сильну анізотропію густини критичного струму розглянуто в рамках
 моделі природної надгратки з провідними CuO₂-шарами,
 які чергуються, та непровідними буферними Nd(Ce)O-шарами. Показано, що висока густина критичного струму уздовж провідних CuO₂-площин пов'язана з пінінгом
 вихорів на буферних шарах, а сильна анізотропія густини
 критичного струму є наслідком анізотропного руху
 вихрової гратки у шаруватому надпровіднику.
The results of studies of the conductivity and critical current
 density of single-crystal films Nd₂–xCexCuO₄+δ/SrTiO₃ with an
 axis c perpendicular or parallel to the substrate plane with a cerium
 concentration of x = 0.15 and x = 0.17 are presented. It was
 found that in the stoichiometrically annealed films with the
 optimum cerium content ( 0.15) x = the resistance anisotropy is
 maximal and the anisotropy of the critical current density is
 3 / 10³ ab c
 c c j j ≅ ⋅ at T = 4.2 K . The strong anisotropy of the critical
 current density is considered within the framework of the natural
 superlattices with alternating conducting CuO₂ layers and
 nonconducting Nd(Ce)O-buffer layers. It was found that the high
 density of the critical current along the conducting CuO₂ planes is
 related to the pinning of vortices on the buffer layers and a strong
 anisotropy of the critical current density is a manifestation of the
 anisotropic motion of the vortex lattice in a layered superconductor.
Работа выполнена в рамках государственного задания
 по теме «Электрон» № АААА-А18-118020190098-5 и
 проекту №18-10-2-6 Программы УрО РАН при
 поддержке РФФИ (грант № 18-02-00192).
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Спеціальний випуск. «XXII Уральська міжнародна зимова школа з фізики напівпровідників» (20–23 лютого, 2018)
Анизотропия плотности критического тока в слоистом электронно-легированном сверхпроводнике Nd₂–xCexCuO₄+δ
Анізотропія густини критичного струму в шаруватому електронно-легованому надпровіднику Nd₂–xCexCuO₄+δ
Anisotropy of the critical current density in the layered electron-doped superconductor Nd₂–xCexCuO₄+δ
Article
published earlier
spellingShingle Анизотропия плотности критического тока в слоистом электронно-легированном сверхпроводнике Nd₂–xCexCuO₄+δ
Клепикова, А.С.
Попов, М.Р.
Иванов, А.А.
Медведев, М.В.
Чарикова, Т.Б.
Спеціальний випуск. «XXII Уральська міжнародна зимова школа з фізики напівпровідників» (20–23 лютого, 2018)
title Анизотропия плотности критического тока в слоистом электронно-легированном сверхпроводнике Nd₂–xCexCuO₄+δ
title_alt Анізотропія густини критичного струму в шаруватому електронно-легованому надпровіднику Nd₂–xCexCuO₄+δ
Anisotropy of the critical current density in the layered electron-doped superconductor Nd₂–xCexCuO₄+δ
title_full Анизотропия плотности критического тока в слоистом электронно-легированном сверхпроводнике Nd₂–xCexCuO₄+δ
title_fullStr Анизотропия плотности критического тока в слоистом электронно-легированном сверхпроводнике Nd₂–xCexCuO₄+δ
title_full_unstemmed Анизотропия плотности критического тока в слоистом электронно-легированном сверхпроводнике Nd₂–xCexCuO₄+δ
title_short Анизотропия плотности критического тока в слоистом электронно-легированном сверхпроводнике Nd₂–xCexCuO₄+δ
title_sort анизотропия плотности критического тока в слоистом электронно-легированном сверхпроводнике nd₂–xcexcuo₄+δ
topic Спеціальний випуск. «XXII Уральська міжнародна зимова школа з фізики напівпровідників» (20–23 лютого, 2018)
topic_facet Спеціальний випуск. «XXII Уральська міжнародна зимова школа з фізики напівпровідників» (20–23 лютого, 2018)
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175958
work_keys_str_mv AT klepikovaas anizotropiâplotnostikritičeskogotokavsloistomélektronnolegirovannomsverhprovodnikend2xcexcuo4δ
AT popovmr anizotropiâplotnostikritičeskogotokavsloistomélektronnolegirovannomsverhprovodnikend2xcexcuo4δ
AT ivanovaa anizotropiâplotnostikritičeskogotokavsloistomélektronnolegirovannomsverhprovodnikend2xcexcuo4δ
AT medvedevmv anizotropiâplotnostikritičeskogotokavsloistomélektronnolegirovannomsverhprovodnikend2xcexcuo4δ
AT čarikovatb anizotropiâplotnostikritičeskogotokavsloistomélektronnolegirovannomsverhprovodnikend2xcexcuo4δ
AT klepikovaas anízotropíâgustinikritičnogostrumuvšaruvatomuelektronnolegovanomunadprovídnikund2xcexcuo4δ
AT popovmr anízotropíâgustinikritičnogostrumuvšaruvatomuelektronnolegovanomunadprovídnikund2xcexcuo4δ
AT ivanovaa anízotropíâgustinikritičnogostrumuvšaruvatomuelektronnolegovanomunadprovídnikund2xcexcuo4δ
AT medvedevmv anízotropíâgustinikritičnogostrumuvšaruvatomuelektronnolegovanomunadprovídnikund2xcexcuo4δ
AT čarikovatb anízotropíâgustinikritičnogostrumuvšaruvatomuelektronnolegovanomunadprovídnikund2xcexcuo4δ
AT klepikovaas anisotropyofthecriticalcurrentdensityinthelayeredelectrondopedsuperconductornd2xcexcuo4δ
AT popovmr anisotropyofthecriticalcurrentdensityinthelayeredelectrondopedsuperconductornd2xcexcuo4δ
AT ivanovaa anisotropyofthecriticalcurrentdensityinthelayeredelectrondopedsuperconductornd2xcexcuo4δ
AT medvedevmv anisotropyofthecriticalcurrentdensityinthelayeredelectrondopedsuperconductornd2xcexcuo4δ
AT čarikovatb anisotropyofthecriticalcurrentdensityinthelayeredelectrondopedsuperconductornd2xcexcuo4δ