Anisotropic temperature dependence of normal state resistivity in underdoped region of a layered electron-doped superconductor Nd₂−xCexCuO₄

• Published in: Физика низких температур
• Date: 2019
• Main Authors: Klepikova, A.S., Charikova, T.B., Shelushinina, N.G., Popov, M.R., Ivanov, A.A.
• Format: Article
• Language: English
• Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2019
• Subjects: Спеціальний випуск. «XXII Уральська міжнародна зимова школа з фізики напівпровідників» (20–23 лютого, 2018)
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175962
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Anisotropic temperature dependence of normal state resistivity in underdoped region of a layered electron-doped superconductor Nd₂−xCexCuO₄ / A.S. Klepikova, T.B. Charikova, N.G. Shelushinina, M.R. Popov, A.A. Ivanov // Физика низких температур. — 2019. — Т. 45, № 2. — С. 251-257. — Бібліогр.: 31 назв. — англ.

The aim of this work is to investigate the temperature dependences both in CuO₂ plane and out-of plane resistivities in electron-doped Nd₂–xCexCuO₄ for x from 0.135 up to 0.15 in order to analyze the anisotropy of the electrical transport in the process of the evolution from antiferromagnetic order in the underdoped region to superconducting order in optimally doped region. Досліджено температурні залежності як внутрішньоплощинних CuO₂, так і позаплощинних питомих опорів в електронно-легованих Nd₂−xCexCuO₄ в діапазоні х = 0,135–0,15 для аналізу анізотропії електричного транспорту в процесі еволюції від антиферомагнітного, в області недодопування, до надпровідного упорядкування, в області оптимального допування. Исследованы температурные зависимости как внутриплоскостных CuO₂, так и внеплоскостных удельных сопротивлений в электронно-легированных Nd₂−xCexCuO₄ в диапазоне х = 0,135–0,15 для анализа анизотропии электрического транспорта в процессе эволюции от антиферромагнитного, в области недодопирования, до сверхпроводящего упорядочения, в области оптимального допирования.