Индуцированная высоким давлением релаксация электрического сопротивления в слабодопированных монокристаллах НоBa₂Cu₃O₇–x

Исследована релаксация высокотемпературного сопротивления, ρ(300 К, t), монокристалла НоBa₂Cu₃O₇–x после резкого изменения гидростатического давления. Сопоставление полученного закона релаксации электросопротивления c релаксацией критической температуры сверхпроводящего перехода Тс для тех же услов...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Физика низких температур
Date:2019
Main Authors: Хаджай, Г.Я., Вовк, Р.В.
Format: Article
Language:Russian
Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2019
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176071
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Индуцированная высоким давлением релаксация электрического сопротивления в слабодопированных монокристаллах НоBa₂Cu₃O₇–x / Г.Я. Хаджай, Р.В. Вовк // Физика низких температур. — 2019. — Т. 45, № 4. — С. 538-541. — Бібліогр.: 40 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-176071
record_format dspace
spelling Хаджай, Г.Я.
Вовк, Р.В.
2021-02-03T15:41:02Z
2021-02-03T15:41:02Z
2019
Индуцированная высоким давлением релаксация электрического сопротивления в слабодопированных монокристаллах НоBa₂Cu₃O₇–x / Г.Я. Хаджай, Р.В. Вовк // Физика низких температур. — 2019. — Т. 45, № 4. — С. 538-541. — Бібліогр.: 40 назв. — рос.
0132-6414
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176071
Исследована релаксация высокотемпературного сопротивления, ρ(300 К, t), монокристалла НоBa₂Cu₃O₇–x после резкого изменения гидростатического давления. Сопоставление полученного закона релаксации электросопротивления c релаксацией критической температуры сверхпроводящего перехода Тс для тех же условий эксперимента свидетельствует об анизотропии эволюции вакансионных кластеров: в плоскостях Сu–О преобладает коалесценция кластеров, однако в объеме образца происходит как зарождение новых кластеров, так и коалесценция существующих.
Досліджено релаксацію високотемпературного опору, ρ(300 К, t), монокристалу НоBa₂Cu₃O₇–x після різкої зміни гідростатичного тиску. Зіставлення отриманого закону релаксації електроопору та релаксації критичної температури надпровідного переходу Тс для тих же умов експерименту свідчить про анізотропію коалесценції вакансійних кластерів: в площинах Сu–О переважає коалесценція вакансійних кластерів, проте в об'ємі зразка відбувається як зародження нових кластерів, так і коалесценція існуючих.
The relaxation of high-temperature resistance, ρ(300 K, t), of НоBa₂Cu₃O₇–x single crystals after a sharp change in hydrostatic pressure was studied. A comparison of electrical resistance relaxation with Тс relaxation (Тс is critical temperature superconducting transition) indicates the anisotropy of relaxation of vacancy clusters: the coalescence of clusters prevails in the Cu–O planes, however, in the sample volume, both the nucleation of new clusters and the coalescence of existing ones occur.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Короткі повідомлення
Индуцированная высоким давлением релаксация электрического сопротивления в слабодопированных монокристаллах НоBa₂Cu₃O₇–x
Індукована високим тиском релаксація електричного опору слабкодопованих монокристалів НоBa₂Cu₃O₇–x
High-pressure-induced relaxation of electrical resistance of low-doped НоBa₂Cu₃O₇–x single crystals
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Индуцированная высоким давлением релаксация электрического сопротивления в слабодопированных монокристаллах НоBa₂Cu₃O₇–x
spellingShingle Индуцированная высоким давлением релаксация электрического сопротивления в слабодопированных монокристаллах НоBa₂Cu₃O₇–x
Хаджай, Г.Я.
Вовк, Р.В.
Короткі повідомлення
title_short Индуцированная высоким давлением релаксация электрического сопротивления в слабодопированных монокристаллах НоBa₂Cu₃O₇–x
title_full Индуцированная высоким давлением релаксация электрического сопротивления в слабодопированных монокристаллах НоBa₂Cu₃O₇–x
title_fullStr Индуцированная высоким давлением релаксация электрического сопротивления в слабодопированных монокристаллах НоBa₂Cu₃O₇–x
title_full_unstemmed Индуцированная высоким давлением релаксация электрического сопротивления в слабодопированных монокристаллах НоBa₂Cu₃O₇–x
title_sort индуцированная высоким давлением релаксация электрического сопротивления в слабодопированных монокристаллах ноba₂cu₃o₇–x
author Хаджай, Г.Я.
Вовк, Р.В.
author_facet Хаджай, Г.Я.
Вовк, Р.В.
topic Короткі повідомлення
topic_facet Короткі повідомлення
publishDate 2019
language Russian
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt Індукована високим тиском релаксація електричного опору слабкодопованих монокристалів НоBa₂Cu₃O₇–x
High-pressure-induced relaxation of electrical resistance of low-doped НоBa₂Cu₃O₇–x single crystals
description Исследована релаксация высокотемпературного сопротивления, ρ(300 К, t), монокристалла НоBa₂Cu₃O₇–x после резкого изменения гидростатического давления. Сопоставление полученного закона релаксации электросопротивления c релаксацией критической температуры сверхпроводящего перехода Тс для тех же условий эксперимента свидетельствует об анизотропии эволюции вакансионных кластеров: в плоскостях Сu–О преобладает коалесценция кластеров, однако в объеме образца происходит как зарождение новых кластеров, так и коалесценция существующих. Досліджено релаксацію високотемпературного опору, ρ(300 К, t), монокристалу НоBa₂Cu₃O₇–x після різкої зміни гідростатичного тиску. Зіставлення отриманого закону релаксації електроопору та релаксації критичної температури надпровідного переходу Тс для тих же умов експерименту свідчить про анізотропію коалесценції вакансійних кластерів: в площинах Сu–О переважає коалесценція вакансійних кластерів, проте в об'ємі зразка відбувається як зародження нових кластерів, так і коалесценція існуючих. The relaxation of high-temperature resistance, ρ(300 K, t), of НоBa₂Cu₃O₇–x single crystals after a sharp change in hydrostatic pressure was studied. A comparison of electrical resistance relaxation with Тс relaxation (Тс is critical temperature superconducting transition) indicates the anisotropy of relaxation of vacancy clusters: the coalescence of clusters prevails in the Cu–O planes, however, in the sample volume, both the nucleation of new clusters and the coalescence of existing ones occur.
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176071
citation_txt Индуцированная высоким давлением релаксация электрического сопротивления в слабодопированных монокристаллах НоBa₂Cu₃O₇–x / Г.Я. Хаджай, Р.В. Вовк // Физика низких температур. — 2019. — Т. 45, № 4. — С. 538-541. — Бібліогр.: 40 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT hadžaigâ inducirovannaâvysokimdavleniemrelaksaciâélektričeskogosoprotivleniâvslabodopirovannyhmonokristallahnoba2cu3o7x
AT vovkrv inducirovannaâvysokimdavleniemrelaksaciâélektričeskogosoprotivleniâvslabodopirovannyhmonokristallahnoba2cu3o7x
AT hadžaigâ índukovanavisokimtiskomrelaksacíâelektričnogooporuslabkodopovanihmonokristalívnoba2cu3o7x
AT vovkrv índukovanavisokimtiskomrelaksacíâelektričnogooporuslabkodopovanihmonokristalívnoba2cu3o7x
AT hadžaigâ highpressureinducedrelaxationofelectricalresistanceoflowdopednoba2cu3o7xsinglecrystals
AT vovkrv highpressureinducedrelaxationofelectricalresistanceoflowdopednoba2cu3o7xsinglecrystals
first_indexed 2025-12-07T16:26:24Z
last_indexed 2025-12-07T16:26:24Z
_version_ 1850867486280384512