HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential

• Опубліковано в: : Физика низких температур
• Дата: 2019
• Автори: Gudina, S.V., Arapov, Y.G., Neverov, V.N., Podgornykh, S.M., Popov, M.R., Deriushkina, E.V., Shelushinina, N.G., Yakunin, M.V., Mikhailov, N.N., Dvoretsky, S.A.
• Формат: Стаття
• Мова: Англійська
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2019
• Теми: Електронні властивості провідних систем
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176079
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential / S.V. Gudina, Y.G. Arapov, V.N. Neverov, S.M. Podgornykh, M.R. Popov, E.V. Deriushkina, N.G. Shelushinina, M.V. Yakunin, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky // Физика низких температур. — 2019. — Т. 45, № 4. — С. 476-483. — Бібліогр.: 47 назв. — англ.

We report on the longitudinal and Hall resistivities of a HgTe quantum well with inverted energy spectrum
 (dQW = 20.3 nm) measured in the quantum Hall (QH) regime at magnetic fields up to 9 T and temperatures 2.9–50 K.
 The temperature dependence of the QH plateau–plateau transition...