Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers

Strain influence on the longitudinal magnetoresistance for the n-type conductivity InSb whiskers doped by Sn
 to concentration 6·10¹⁶–6·10¹⁷ сm⁻³ was studied in the temperature range 4.2–40 K and magnetic field up to 10 T.
 The Shubnikov–de Haas oscillations at low temperatures were...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физика низких температур
Datum:2019
Hauptverfasser: Druzhinin, A., Ostrovskii, I., Khoverko, Y., Liakh-Kaguy, N.
Format: Artikel
Sprache:Englisch
Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2019
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176090
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers / A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Y. Khoverko, N. Liakh-Kaguy // Физика низких температур. — 2019. — Т. 45, № 5. — С. 599-604. — Бібліогр.: 27 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862711146164781056
author Druzhinin, A.
Ostrovskii, I.
Khoverko, Y.
Liakh-Kaguy, N.
author_facet Druzhinin, A.
Ostrovskii, I.
Khoverko, Y.
Liakh-Kaguy, N.
citation_txt Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers / A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Y. Khoverko, N. Liakh-Kaguy // Физика низких температур. — 2019. — Т. 45, № 5. — С. 599-604. — Бібліогр.: 27 назв. — англ.
collection DSpace DC
container_title Физика низких температур
description Strain influence on the longitudinal magnetoresistance for the n-type conductivity InSb whiskers doped by Sn
 to concentration 6·10¹⁶–6·10¹⁷ сm⁻³ was studied in the temperature range 4.2–40 K and magnetic field up to 10 T.
 The Shubnikov–de Haas oscillations at low temperatures were observed in the strained and unstrained samples in
 all range of doping concentrations and magnetic fields. The character of longitudinal magnetoresistance dependences was analyzed and compared with theoretical one. The whisker magnetoresistance alters its sign with increasing magnetic field. It is positive at weak magnetic fields and becomes negative at higher magnetic fields.
 Possible mechanism of the large value of negative magnetoresistance (NMR) was discussed in the InSb whiskers
 with doping concentration in the vicinity to metal–insulator transition. The origin of large NMR was explained
 by the existence of classical size effect and boundary scattering during conductance in subsurface whisker layers. На основі досліджень поздовжнього магнітоопору ниткоподібних кристалів InSb n-типу провідності, легованих Sn до
 концентрацій 6·10¹⁶–6·10¹⁷ см⁻³
 , в інтервалі температур 4,2–
 40 К і магнітних полів до 10 Тл виявлено осциляції Шубнікова–де Гааза в деформованих і недеформованих зразках. Проведено аналіз поведінки польових залежностей магнітоопору
 згідно відомих теоретичних уявлень. Встановлено, що з підвищенням індукції магнітного поля магнітоопір ниткоподібних кристалів InSb змінює свій знак від позитивного до
 від’ємного. Обговорюються механізми, які зумовлюють появу високих значень від’ємного магнітоопору (ВМО) у зразках InSb з концентрацією легуючої домішки, що відповідає
 близькості до переходу метал–діелектрик. Існування ВМО
 пов’язане з класичним розмірним ефектом, а також гранічним розсіюванням у провідності приповерхневих шарів мікрокристалів. На основе исследований продольного магнитосопротивления нитевидных кристаллов InSb n-типа проводимости,
 легированных Sn до концентраций 6·10¹⁶–6·10¹⁷ см⁻³
 , в интервале температур 4,2–40 К и магнитных полей до 10 Тл
 обнаружены осцилляции Шубникова–де Гааза в деформированных и недеформированных образцах. Проведен анализ
 поведения полевых зависимостей магнитосопротивления согласно известным теоретическим представлениям. Установлено, что с повышением индукции магнитного поля магнитосопротивление нитевидных кристаллов InSb меняет свой знак от
 положительного к отрицательному. Обсуждаются механизмы,
 которые обусловливают появление высоких значений отрицательного магнитосопротивления (ОМС) в образцах InSb с
 концентрацией легирующей примеси, соответствующей близости к переходу металл–диэлектрик. Существование ОМС
 обусловлено классическим размерным эффектом, а также
 граничным рассеиванием в проводимости приповерхностных
 слоев микрокристаллов.
first_indexed 2025-12-07T17:28:40Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-176090
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 0132-6414
language English
last_indexed 2025-12-07T17:28:40Z
publishDate 2019
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
record_format dspace
spelling Druzhinin, A.
Ostrovskii, I.
Khoverko, Y.
Liakh-Kaguy, N.
2021-02-03T15:53:32Z
2021-02-03T15:53:32Z
2019
Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers / A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Y. Khoverko, N. Liakh-Kaguy // Физика низких температур. — 2019. — Т. 45, № 5. — С. 599-604. — Бібліогр.: 27 назв. — англ.
0132-6414
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176090
Strain influence on the longitudinal magnetoresistance for the n-type conductivity InSb whiskers doped by Sn
 to concentration 6·10¹⁶–6·10¹⁷ сm⁻³ was studied in the temperature range 4.2–40 K and magnetic field up to 10 T.
 The Shubnikov–de Haas oscillations at low temperatures were observed in the strained and unstrained samples in
 all range of doping concentrations and magnetic fields. The character of longitudinal magnetoresistance dependences was analyzed and compared with theoretical one. The whisker magnetoresistance alters its sign with increasing magnetic field. It is positive at weak magnetic fields and becomes negative at higher magnetic fields.
 Possible mechanism of the large value of negative magnetoresistance (NMR) was discussed in the InSb whiskers
 with doping concentration in the vicinity to metal–insulator transition. The origin of large NMR was explained
 by the existence of classical size effect and boundary scattering during conductance in subsurface whisker layers.
На основі досліджень поздовжнього магнітоопору ниткоподібних кристалів InSb n-типу провідності, легованих Sn до
 концентрацій 6·10¹⁶–6·10¹⁷ см⁻³
 , в інтервалі температур 4,2–
 40 К і магнітних полів до 10 Тл виявлено осциляції Шубнікова–де Гааза в деформованих і недеформованих зразках. Проведено аналіз поведінки польових залежностей магнітоопору
 згідно відомих теоретичних уявлень. Встановлено, що з підвищенням індукції магнітного поля магнітоопір ниткоподібних кристалів InSb змінює свій знак від позитивного до
 від’ємного. Обговорюються механізми, які зумовлюють появу високих значень від’ємного магнітоопору (ВМО) у зразках InSb з концентрацією легуючої домішки, що відповідає
 близькості до переходу метал–діелектрик. Існування ВМО
 пов’язане з класичним розмірним ефектом, а також гранічним розсіюванням у провідності приповерхневих шарів мікрокристалів.
На основе исследований продольного магнитосопротивления нитевидных кристаллов InSb n-типа проводимости,
 легированных Sn до концентраций 6·10¹⁶–6·10¹⁷ см⁻³
 , в интервале температур 4,2–40 К и магнитных полей до 10 Тл
 обнаружены осцилляции Шубникова–де Гааза в деформированных и недеформированных образцах. Проведен анализ
 поведения полевых зависимостей магнитосопротивления согласно известным теоретическим представлениям. Установлено, что с повышением индукции магнитного поля магнитосопротивление нитевидных кристаллов InSb меняет свой знак от
 положительного к отрицательному. Обсуждаются механизмы,
 которые обусловливают появление высоких значений отрицательного магнитосопротивления (ОМС) в образцах InSb с
 концентрацией легирующей примеси, соответствующей близости к переходу металл–диэлектрик. Существование ОМС
 обусловлено классическим размерным эффектом, а также
 граничным рассеиванием в проводимости приповерхностных
 слоев микрокристаллов.
en
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Низькотемпературний магнетизм
Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
Квантування у магнітоопорі деформованих ниткоподібних кристалів InSb
Квантование в магнитосопротивлении деформированных нитевидных кристаллов InSb
Article
published earlier
spellingShingle Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
Druzhinin, A.
Ostrovskii, I.
Khoverko, Y.
Liakh-Kaguy, N.
Низькотемпературний магнетизм
title Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
title_alt Квантування у магнітоопорі деформованих ниткоподібних кристалів InSb
Квантование в магнитосопротивлении деформированных нитевидных кристаллов InSb
title_full Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
title_fullStr Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
title_full_unstemmed Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
title_short Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
title_sort quantization in magnetoresistance of strained insb whiskers
topic Низькотемпературний магнетизм
topic_facet Низькотемпературний магнетизм
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176090
work_keys_str_mv AT druzhinina quantizationinmagnetoresistanceofstrainedinsbwhiskers
AT ostrovskiii quantizationinmagnetoresistanceofstrainedinsbwhiskers
AT khoverkoy quantizationinmagnetoresistanceofstrainedinsbwhiskers
AT liakhkaguyn quantizationinmagnetoresistanceofstrainedinsbwhiskers
AT druzhinina kvantuvannâumagnítooporídeformovanihnitkopodíbnihkristalívinsb
AT ostrovskiii kvantuvannâumagnítooporídeformovanihnitkopodíbnihkristalívinsb
AT khoverkoy kvantuvannâumagnítooporídeformovanihnitkopodíbnihkristalívinsb
AT liakhkaguyn kvantuvannâumagnítooporídeformovanihnitkopodíbnihkristalívinsb
AT druzhinina kvantovanievmagnitosoprotivleniideformirovannyhnitevidnyhkristallovinsb
AT ostrovskiii kvantovanievmagnitosoprotivleniideformirovannyhnitevidnyhkristallovinsb
AT khoverkoy kvantovanievmagnitosoprotivleniideformirovannyhnitevidnyhkristallovinsb
AT liakhkaguyn kvantovanievmagnitosoprotivleniideformirovannyhnitevidnyhkristallovinsb