Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers

Strain influence on the longitudinal magnetoresistance for the n-type conductivity InSb whiskers doped by Sn to concentration 6·10¹⁶–6·10¹⁷ сm⁻³ was studied in the temperature range 4.2–40 K and magnetic field up to 10 T. The Shubnikov–de Haas oscillations at low temperatures were observed in the...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Физика низких температур
Date:2019
Main Authors: Druzhinin, A., Ostrovskii, I., Khoverko, Y., Liakh-Kaguy, N.
Format: Article
Language:English
Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2019
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176090
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers / A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Y. Khoverko, N. Liakh-Kaguy // Физика низких температур. — 2019. — Т. 45, № 5. — С. 599-604. — Бібліогр.: 27 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-176090
record_format dspace
spelling Druzhinin, A.
Ostrovskii, I.
Khoverko, Y.
Liakh-Kaguy, N.
2021-02-03T15:53:32Z
2021-02-03T15:53:32Z
2019
Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers / A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Y. Khoverko, N. Liakh-Kaguy // Физика низких температур. — 2019. — Т. 45, № 5. — С. 599-604. — Бібліогр.: 27 назв. — англ.
0132-6414
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176090
Strain influence on the longitudinal magnetoresistance for the n-type conductivity InSb whiskers doped by Sn to concentration 6·10¹⁶–6·10¹⁷ сm⁻³ was studied in the temperature range 4.2–40 K and magnetic field up to 10 T. The Shubnikov–de Haas oscillations at low temperatures were observed in the strained and unstrained samples in all range of doping concentrations and magnetic fields. The character of longitudinal magnetoresistance dependences was analyzed and compared with theoretical one. The whisker magnetoresistance alters its sign with increasing magnetic field. It is positive at weak magnetic fields and becomes negative at higher magnetic fields. Possible mechanism of the large value of negative magnetoresistance (NMR) was discussed in the InSb whiskers with doping concentration in the vicinity to metal–insulator transition. The origin of large NMR was explained by the existence of classical size effect and boundary scattering during conductance in subsurface whisker layers.
На основі досліджень поздовжнього магнітоопору ниткоподібних кристалів InSb n-типу провідності, легованих Sn до концентрацій 6·10¹⁶–6·10¹⁷ см⁻³ , в інтервалі температур 4,2– 40 К і магнітних полів до 10 Тл виявлено осциляції Шубнікова–де Гааза в деформованих і недеформованих зразках. Проведено аналіз поведінки польових залежностей магнітоопору згідно відомих теоретичних уявлень. Встановлено, що з підвищенням індукції магнітного поля магнітоопір ниткоподібних кристалів InSb змінює свій знак від позитивного до від’ємного. Обговорюються механізми, які зумовлюють появу високих значень від’ємного магнітоопору (ВМО) у зразках InSb з концентрацією легуючої домішки, що відповідає близькості до переходу метал–діелектрик. Існування ВМО пов’язане з класичним розмірним ефектом, а також гранічним розсіюванням у провідності приповерхневих шарів мікрокристалів.
На основе исследований продольного магнитосопротивления нитевидных кристаллов InSb n-типа проводимости, легированных Sn до концентраций 6·10¹⁶–6·10¹⁷ см⁻³ , в интервале температур 4,2–40 К и магнитных полей до 10 Тл обнаружены осцилляции Шубникова–де Гааза в деформированных и недеформированных образцах. Проведен анализ поведения полевых зависимостей магнитосопротивления согласно известным теоретическим представлениям. Установлено, что с повышением индукции магнитного поля магнитосопротивление нитевидных кристаллов InSb меняет свой знак от положительного к отрицательному. Обсуждаются механизмы, которые обусловливают появление высоких значений отрицательного магнитосопротивления (ОМС) в образцах InSb с концентрацией легирующей примеси, соответствующей близости к переходу металл–диэлектрик. Существование ОМС обусловлено классическим размерным эффектом, а также граничным рассеиванием в проводимости приповерхностных слоев микрокристаллов.
en
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Низькотемпературний магнетизм
Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
Квантування у магнітоопорі деформованих ниткоподібних кристалів InSb
Квантование в магнитосопротивлении деформированных нитевидных кристаллов InSb
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
spellingShingle Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
Druzhinin, A.
Ostrovskii, I.
Khoverko, Y.
Liakh-Kaguy, N.
Низькотемпературний магнетизм
title_short Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
title_full Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
title_fullStr Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
title_full_unstemmed Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
title_sort quantization in magnetoresistance of strained insb whiskers
author Druzhinin, A.
Ostrovskii, I.
Khoverko, Y.
Liakh-Kaguy, N.
author_facet Druzhinin, A.
Ostrovskii, I.
Khoverko, Y.
Liakh-Kaguy, N.
topic Низькотемпературний магнетизм
topic_facet Низькотемпературний магнетизм
publishDate 2019
language English
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt Квантування у магнітоопорі деформованих ниткоподібних кристалів InSb
Квантование в магнитосопротивлении деформированных нитевидных кристаллов InSb
description Strain influence on the longitudinal magnetoresistance for the n-type conductivity InSb whiskers doped by Sn to concentration 6·10¹⁶–6·10¹⁷ сm⁻³ was studied in the temperature range 4.2–40 K and magnetic field up to 10 T. The Shubnikov–de Haas oscillations at low temperatures were observed in the strained and unstrained samples in all range of doping concentrations and magnetic fields. The character of longitudinal magnetoresistance dependences was analyzed and compared with theoretical one. The whisker magnetoresistance alters its sign with increasing magnetic field. It is positive at weak magnetic fields and becomes negative at higher magnetic fields. Possible mechanism of the large value of negative magnetoresistance (NMR) was discussed in the InSb whiskers with doping concentration in the vicinity to metal–insulator transition. The origin of large NMR was explained by the existence of classical size effect and boundary scattering during conductance in subsurface whisker layers. На основі досліджень поздовжнього магнітоопору ниткоподібних кристалів InSb n-типу провідності, легованих Sn до концентрацій 6·10¹⁶–6·10¹⁷ см⁻³ , в інтервалі температур 4,2– 40 К і магнітних полів до 10 Тл виявлено осциляції Шубнікова–де Гааза в деформованих і недеформованих зразках. Проведено аналіз поведінки польових залежностей магнітоопору згідно відомих теоретичних уявлень. Встановлено, що з підвищенням індукції магнітного поля магнітоопір ниткоподібних кристалів InSb змінює свій знак від позитивного до від’ємного. Обговорюються механізми, які зумовлюють появу високих значень від’ємного магнітоопору (ВМО) у зразках InSb з концентрацією легуючої домішки, що відповідає близькості до переходу метал–діелектрик. Існування ВМО пов’язане з класичним розмірним ефектом, а також гранічним розсіюванням у провідності приповерхневих шарів мікрокристалів. На основе исследований продольного магнитосопротивления нитевидных кристаллов InSb n-типа проводимости, легированных Sn до концентраций 6·10¹⁶–6·10¹⁷ см⁻³ , в интервале температур 4,2–40 К и магнитных полей до 10 Тл обнаружены осцилляции Шубникова–де Гааза в деформированных и недеформированных образцах. Проведен анализ поведения полевых зависимостей магнитосопротивления согласно известным теоретическим представлениям. Установлено, что с повышением индукции магнитного поля магнитосопротивление нитевидных кристаллов InSb меняет свой знак от положительного к отрицательному. Обсуждаются механизмы, которые обусловливают появление высоких значений отрицательного магнитосопротивления (ОМС) в образцах InSb с концентрацией легирующей примеси, соответствующей близости к переходу металл–диэлектрик. Существование ОМС обусловлено классическим размерным эффектом, а также граничным рассеиванием в проводимости приповерхностных слоев микрокристаллов.
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176090
citation_txt Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers / A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Y. Khoverko, N. Liakh-Kaguy // Физика низких температур. — 2019. — Т. 45, № 5. — С. 599-604. — Бібліогр.: 27 назв. — англ.
work_keys_str_mv AT druzhinina quantizationinmagnetoresistanceofstrainedinsbwhiskers
AT ostrovskiii quantizationinmagnetoresistanceofstrainedinsbwhiskers
AT khoverkoy quantizationinmagnetoresistanceofstrainedinsbwhiskers
AT liakhkaguyn quantizationinmagnetoresistanceofstrainedinsbwhiskers
AT druzhinina kvantuvannâumagnítooporídeformovanihnitkopodíbnihkristalívinsb
AT ostrovskiii kvantuvannâumagnítooporídeformovanihnitkopodíbnihkristalívinsb
AT khoverkoy kvantuvannâumagnítooporídeformovanihnitkopodíbnihkristalívinsb
AT liakhkaguyn kvantuvannâumagnítooporídeformovanihnitkopodíbnihkristalívinsb
AT druzhinina kvantovanievmagnitosoprotivleniideformirovannyhnitevidnyhkristallovinsb
AT ostrovskiii kvantovanievmagnitosoprotivleniideformirovannyhnitevidnyhkristallovinsb
AT khoverkoy kvantovanievmagnitosoprotivleniideformirovannyhnitevidnyhkristallovinsb
AT liakhkaguyn kvantovanievmagnitosoprotivleniideformirovannyhnitevidnyhkristallovinsb
first_indexed 2025-12-07T17:28:40Z
last_indexed 2025-12-07T17:28:40Z
_version_ 1850871403906072576