О возможном бозежидкостном механизме возникновения СП состояния в ВТСП соединениях

О возможном бозежидкостном механизме возникновения СП состояния в ВТСП соединениях

Из расчетов электронной структуры кластеров кристалла YBaCuO методом CNDO следует, что при уменьшении энергии кулоновского отталкивания d-электронов ионов меди g на 0,2 эВ происходит электронная перестройка ионов CuO2 плоскостей вида Cu²+, O²- -> Cu¹+, O, O²-. Причиной возникновения волны зарядов...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Физика низких температур
Дата:1996
Автор: Амелин, И.И.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1996
Теми:
Специальный выпуск Международная конференция "Сверхпроводимость. Физические аспекты"
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176131
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:О возможном бозежидкостном механизме возникновения СП состояния в ВТСП соединениях / И.И. Амелин // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 5. — С. 539-542. — Бібліогр.: 23 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-176131
record_format dspace
spelling Амелин, И.И.
2021-02-03T18:17:12Z
2021-02-03T18:17:12Z
1996
О возможном бозежидкостном механизме возникновения СП состояния в ВТСП соединениях / И.И. Амелин // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 5. — С. 539-542. — Бібліогр.: 23 назв. — рос.
0132-6414
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176131
Из расчетов электронной структуры кластеров кристалла YBaCuO методом CNDO следует, что при уменьшении энергии кулоновского отталкивания d-электронов ионов меди g на 0,2 эВ происходит электронная перестройка ионов CuO2 плоскостей вида Cu²+, O²- -> Cu¹+, O, O²-. Причиной возникновения волны зарядовой плотности (ВЗП) является, по-видимому, наличие реакции диспропорционирования 2О-¹ -> O + O², выполнение условия Шубина—Вонсовского, незначительное различие параметров а и b элементарной ячейки, низкая степень вырождения орбиталей СиО₂-плоскости. Одновременно с образованием ВЗП происходит уменьшение величины запрещенной зоны до значения ДЕ = 0,04 эВ. Это значение ΔЕ соответствует состоянию СиО₂-плоскости с локальными парами. Малое значение щели кластера позволяет предположить, что в металлическом состоянии СиО₂-плоскости кристаллов имеют в р-подсистеме ВЗП. Таким образом, в образовании СП-состояния в ВТСП, по-видимому, имеют определенное значение электрон-электронные взаимодействия, обеспечивающие высокие Тс.
Із розрахунків електронної структури кластерів кристала YBaCuO методом CNDO виходить, що при зменшенні енергії кулонівського відштовхування d-електронів іонів міді g на 0,2 еВ відбувається електронна перебудова іонів СиО₂-площин виду Cu²+, O²- -> Cu¹+, O, O²-. Причиною виникнення хвилі зарядової густини (ВЗГ) є, мабуть, наявність реакції диспропорціонування 2О-1 -> O + O²-, виконання умови Шу-біна—Вонсовського, невелика різниця параметрів а і b елементарної комірки, низька ступінь виродження орбіталей СиO₂-площини. Одночасно з утворенням ВЗГ відбувається зменшення величини забороненої зони до значення ΔЕ = 0,04 еВ. Це значення ΔЕ відповідає стану СuО₂-площини з локальними парами. Мале значення щілини кластера дозволяє припустити, що в металевому стані СиО₂-площини кристалів мають в p-підсистемі ВЗГ. Таким чином, в утворенні НП стану в ВТНП, можливо, має певне значення електрон-елек-тронна взаємодія, яка забезпечує високі Tc.
The cluster electron structure of the YBaCuO crystal is calculated by the CNDO method. It turns out that the decrease by 0.2 eV in the Coulomb repulsion of the d-electrons g in copper ions causes the changes in the electron structure of the ions in the CuO2 planes of the following type Cu²+, O²- -> Cu²+, O, O²-. The appearance of the charge density wave (CDW) is supposed to be caused by the 20-¹ -> O + O²-disproportion reaction, the fulfilment of Shubin-Vonsovsky condition, a slight difference between the a and b parameters of the elementary cell, and a low degree of the orbitals degeneration in the Cu0₂ planes. The formation of the CDW is accompanied by the decrease in the value of the prohibited zone down to ΔE ≈ 0.04 eV. That corresponds to the condition of the CuO₂ planes with local pairs. The insignificant ΔE value of the cluster suggests that the metal state of CuO₂ crystal planes has the CDW in the p-subsystem. Thus, it may be concluded that electron-electron interactions providing high Tc contribute into a formation of the superconducting state in high - Tc. superconductors.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Специальный выпуск Международная конференция "Сверхпроводимость. Физические аспекты"
О возможном бозежидкостном механизме возникновения СП состояния в ВТСП соединениях
On possible Bose-liquid mechanism of SC-state arising in HTSC compounds
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title О возможном бозежидкостном механизме возникновения СП состояния в ВТСП соединениях
spellingShingle О возможном бозежидкостном механизме возникновения СП состояния в ВТСП соединениях
Амелин, И.И.
Специальный выпуск Международная конференция "Сверхпроводимость. Физические аспекты"
title_short О возможном бозежидкостном механизме возникновения СП состояния в ВТСП соединениях
title_full О возможном бозежидкостном механизме возникновения СП состояния в ВТСП соединениях
title_fullStr О возможном бозежидкостном механизме возникновения СП состояния в ВТСП соединениях
title_full_unstemmed О возможном бозежидкостном механизме возникновения СП состояния в ВТСП соединениях
title_sort о возможном бозежидкостном механизме возникновения сп состояния в втсп соединениях
author Амелин, И.И.
author_facet Амелин, И.И.
topic Специальный выпуск Международная конференция "Сверхпроводимость. Физические аспекты"
topic_facet Специальный выпуск Международная конференция "Сверхпроводимость. Физические аспекты"
publishDate 1996
language Russian
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt On possible Bose-liquid mechanism of SC-state arising in HTSC compounds
description Из расчетов электронной структуры кластеров кристалла YBaCuO методом CNDO следует, что при уменьшении энергии кулоновского отталкивания d-электронов ионов меди g на 0,2 эВ происходит электронная перестройка ионов CuO2 плоскостей вида Cu²+, O²- -> Cu¹+, O, O²-. Причиной возникновения волны зарядовой плотности (ВЗП) является, по-видимому, наличие реакции диспропорционирования 2О-¹ -> O + O², выполнение условия Шубина—Вонсовского, незначительное различие параметров а и b элементарной ячейки, низкая степень вырождения орбиталей СиО₂-плоскости. Одновременно с образованием ВЗП происходит уменьшение величины запрещенной зоны до значения ДЕ = 0,04 эВ. Это значение ΔЕ соответствует состоянию СиО₂-плоскости с локальными парами. Малое значение щели кластера позволяет предположить, что в металлическом состоянии СиО₂-плоскости кристаллов имеют в р-подсистеме ВЗП. Таким образом, в образовании СП-состояния в ВТСП, по-видимому, имеют определенное значение электрон-электронные взаимодействия, обеспечивающие высокие Тс. Із розрахунків електронної структури кластерів кристала YBaCuO методом CNDO виходить, що при зменшенні енергії кулонівського відштовхування d-електронів іонів міді g на 0,2 еВ відбувається електронна перебудова іонів СиО₂-площин виду Cu²+, O²- -> Cu¹+, O, O²-. Причиною виникнення хвилі зарядової густини (ВЗГ) є, мабуть, наявність реакції диспропорціонування 2О-1 -> O + O²-, виконання умови Шу-біна—Вонсовського, невелика різниця параметрів а і b елементарної комірки, низька ступінь виродження орбіталей СиO₂-площини. Одночасно з утворенням ВЗГ відбувається зменшення величини забороненої зони до значення ΔЕ = 0,04 еВ. Це значення ΔЕ відповідає стану СuО₂-площини з локальними парами. Мале значення щілини кластера дозволяє припустити, що в металевому стані СиО₂-площини кристалів мають в p-підсистемі ВЗГ. Таким чином, в утворенні НП стану в ВТНП, можливо, має певне значення електрон-елек-тронна взаємодія, яка забезпечує високі Tc. The cluster electron structure of the YBaCuO crystal is calculated by the CNDO method. It turns out that the decrease by 0.2 eV in the Coulomb repulsion of the d-electrons g in copper ions causes the changes in the electron structure of the ions in the CuO2 planes of the following type Cu²+, O²- -> Cu²+, O, O²-. The appearance of the charge density wave (CDW) is supposed to be caused by the 20-¹ -> O + O²-disproportion reaction, the fulfilment of Shubin-Vonsovsky condition, a slight difference between the a and b parameters of the elementary cell, and a low degree of the orbitals degeneration in the Cu0₂ planes. The formation of the CDW is accompanied by the decrease in the value of the prohibited zone down to ΔE ≈ 0.04 eV. That corresponds to the condition of the CuO₂ planes with local pairs. The insignificant ΔE value of the cluster suggests that the metal state of CuO₂ crystal planes has the CDW in the p-subsystem. Thus, it may be concluded that electron-electron interactions providing high Tc contribute into a formation of the superconducting state in high - Tc. superconductors.
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176131
citation_txt О возможном бозежидкостном механизме возникновения СП состояния в ВТСП соединениях / И.И. Амелин // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 5. — С. 539-542. — Бібліогр.: 23 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT amelinii ovozmožnombozežidkostnommehanizmevozniknoveniâspsostoâniâvvtspsoedineniâh
AT amelinii onpossibleboseliquidmechanismofscstatearisinginhtsccompounds
first_indexed 2025-12-07T19:47:23Z
last_indexed 2025-12-07T19:47:23Z
_version_ 1850880130613772288

Схожі ресурси