Localized hole states in La₂СиО₄₊δ

Bound hole states induced by excess oxygen in La₂СиО₄₊δ are studied in the framework of the extended Hubbard model with the use of the spin-wave approximation. It is shown that the bound states are subdivided into two groups connected with different perturbations introduced by the excess oxygen in a...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физика низких температур
Datum:1996
Hauptverfasser: Rubin, P., Sherman, A.
Format: Artikel
Sprache:English
Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1996
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176132
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Localized hole states in La₂CuO₄₊δ / P. Rubin, A. Sherman // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 5. — С. 543-546. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine