Localized hole states in La₂СиО₄₊δ
Bound hole states induced by excess oxygen in La₂СиО₄₊δ are studied in the framework of the extended Hubbard model with the use of the spin-wave approximation. It is shown that the bound states are subdivided into two groups connected with different perturbations introduced by the excess oxygen in a...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 1996 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1996
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176132 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Localized hole states in La₂CuO₄₊δ / P. Rubin, A. Sherman // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 5. — С. 543-546. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. |