Localized hole states in La₂СиО₄₊δ

• Опубліковано в: : Физика низких температур
• Дата: 1996
• Автори: Rubin, P., Sherman, A.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1996
• Теми: Специальный выпуск Международная конференция "Сверхпроводимость. Физические аспекты"
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176132
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Localized hole states in La₂CuO₄₊δ / P. Rubin, A. Sherman // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 5. — С. 543-546. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.

Bound hole states induced by excess oxygen in La₂СиО₄₊δ are studied in the framework of the extended Hubbard model with the use of the spin-wave approximation. It is shown that the bound states are subdivided into two groups connected with different perturbations introduced by the excess oxygen in a...