Фононная структура в туннельной проводимости - возможный ключ к механизму высокотемпературной сверхпроводимости

Фононная структура в туннельной проводимости - возможный ключ к механизму высокотемпературной сверхпроводимости

Прямым решением уравнений Элиашберга исследовано, насколько эффекты анизотропии влияют на фононную структуру в производной d²I/dV² туннельного тока. Проанализировано s- и d-спаривание, а также влияние примесного рассеяния. Показано, что при сильной анизотропии энергетической щели сверхпроводника Δ(k...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физика низких температур
Datum:1996
Hauptverfasser: Дьяченко, А.И., Свистунов, В.М.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1996
Schlagworte:
Специальный выпуск Международная конференция "Сверхпроводимость. Физические аспекты"
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176133
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Фононная структура в туннельной проводимости - возможный ключ к механизму высокотемпературной сверхпроводимости / А.И. Дьяченко, В.М. Свистунов // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 5. — С. 547-550. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-176133
record_format dspace
spelling Дьяченко, А.И.
Свистунов, В.М.
2021-02-03T18:20:39Z
2021-02-03T18:20:39Z
1996
Фононная структура в туннельной проводимости - возможный ключ к механизму высокотемпературной сверхпроводимости / А.И. Дьяченко, В.М. Свистунов // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 5. — С. 547-550. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
0132-6414
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176133
Прямым решением уравнений Элиашберга исследовано, насколько эффекты анизотропии влияют на фононную структуру в производной d²I/dV² туннельного тока. Проанализировано s- и d-спаривание, а также влияние примесного рассеяния. Показано, что при сильной анизотропии энергетической щели сверхпроводника Δ(k) фононная структура в остается «изотропной» и должна наблюдаться при eV = Tω> + (А) , где ω — частота фононной особенности, а эффективная щель (Δ) близка к максимальной величине Δ(к). Факторы, размывающие фононную структуру, можно учесть, заменяя в формуле Дайнса для N(ω, Г) комплексный параметр энергетической щели Δ(о>) на Δ(ω + iТ).
Прямим рішенням рівнянь Еліашберга досліджено, наскільки ефекти анізотропії впливають на фононну структуру в похідній d²I/dV² тунельного струму. Проаналізовано s- і d-спарювання, а також вплив доміш-кового розсіяння. Показано, що при сильній анізотропії енергетичної щілини надпровідника Δ(к) фононна структура в d²I/dV² залишається «ізотропною» і повинна спостерігатися при eV = eV = Tω> + (Δ), де ω — частота фононної особливості, а ефективна щілина (Δ) близька до максимальної величини Д(к). Фактори, які розмивають фононну структуру, можна урахувати, замінюя в формулі Дайнса для N(w, Г) комплексний параметр енергетичної щілини Δ(ω) на Д(ω + iГ).
Through a direct solution of the Eliashberg equations it is studied how much the anisotropy effects impact on the reflection of the phonon structure in the derivative d²I/dV² of the tunnel current. The s- and d-pairing, as well as the impurity scattering influence, are analysed. It is shown that with strong anisotropy of the energy gap Δ(k) of the superconductor, the phonon structure remains «isotropic» in the d²I/dV² and is expected eV =Tω> + (Δ), where ш is the frequency of the phonon feature, and the effective gap (Δ) is close to the maximum value Δ(k). The factors responsible for smearing of the phonon structure can be taken into account replacing the complex parameter of the energy gap Δ(ω) by Δ(ω + iT) in the Dynes formula for N(ω, Г).
Работа выполнена в рамках проектов «Сэндвич» и «Экситон», поддержанных Государственным комитетом Украины по вопросам науки и технологий и Комитетом Сороса по индивидуальным грантам (АИД) и грантом ISSEP SPU 042058 (ВМС).
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Специальный выпуск Международная конференция "Сверхпроводимость. Физические аспекты"
Фононная структура в туннельной проводимости - возможный ключ к механизму высокотемпературной сверхпроводимости
Phonon structure in tunnel conductivity as a possible key to high-Tc superconductivity mechanism
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Фононная структура в туннельной проводимости - возможный ключ к механизму высокотемпературной сверхпроводимости
spellingShingle Фононная структура в туннельной проводимости - возможный ключ к механизму высокотемпературной сверхпроводимости
Дьяченко, А.И.
Свистунов, В.М.
Специальный выпуск Международная конференция "Сверхпроводимость. Физические аспекты"
title_short Фононная структура в туннельной проводимости - возможный ключ к механизму высокотемпературной сверхпроводимости
title_full Фононная структура в туннельной проводимости - возможный ключ к механизму высокотемпературной сверхпроводимости
title_fullStr Фононная структура в туннельной проводимости - возможный ключ к механизму высокотемпературной сверхпроводимости
title_full_unstemmed Фононная структура в туннельной проводимости - возможный ключ к механизму высокотемпературной сверхпроводимости
title_sort фононная структура в туннельной проводимости - возможный ключ к механизму высокотемпературной сверхпроводимости
author Дьяченко, А.И.
Свистунов, В.М.
author_facet Дьяченко, А.И.
Свистунов, В.М.
topic Специальный выпуск Международная конференция "Сверхпроводимость. Физические аспекты"
topic_facet Специальный выпуск Международная конференция "Сверхпроводимость. Физические аспекты"
publishDate 1996
language Russian
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt Phonon structure in tunnel conductivity as a possible key to high-Tc superconductivity mechanism
description Прямым решением уравнений Элиашберга исследовано, насколько эффекты анизотропии влияют на фононную структуру в производной d²I/dV² туннельного тока. Проанализировано s- и d-спаривание, а также влияние примесного рассеяния. Показано, что при сильной анизотропии энергетической щели сверхпроводника Δ(k) фононная структура в остается «изотропной» и должна наблюдаться при eV = Tω> + (А) , где ω — частота фононной особенности, а эффективная щель (Δ) близка к максимальной величине Δ(к). Факторы, размывающие фононную структуру, можно учесть, заменяя в формуле Дайнса для N(ω, Г) комплексный параметр энергетической щели Δ(о>) на Δ(ω + iТ). Прямим рішенням рівнянь Еліашберга досліджено, наскільки ефекти анізотропії впливають на фононну структуру в похідній d²I/dV² тунельного струму. Проаналізовано s- і d-спарювання, а також вплив доміш-кового розсіяння. Показано, що при сильній анізотропії енергетичної щілини надпровідника Δ(к) фононна структура в d²I/dV² залишається «ізотропною» і повинна спостерігатися при eV = eV = Tω> + (Δ), де ω — частота фононної особливості, а ефективна щілина (Δ) близька до максимальної величини Д(к). Фактори, які розмивають фононну структуру, можна урахувати, замінюя в формулі Дайнса для N(w, Г) комплексний параметр енергетичної щілини Δ(ω) на Д(ω + iГ). Through a direct solution of the Eliashberg equations it is studied how much the anisotropy effects impact on the reflection of the phonon structure in the derivative d²I/dV² of the tunnel current. The s- and d-pairing, as well as the impurity scattering influence, are analysed. It is shown that with strong anisotropy of the energy gap Δ(k) of the superconductor, the phonon structure remains «isotropic» in the d²I/dV² and is expected eV =Tω> + (Δ), where ш is the frequency of the phonon feature, and the effective gap (Δ) is close to the maximum value Δ(k). The factors responsible for smearing of the phonon structure can be taken into account replacing the complex parameter of the energy gap Δ(ω) by Δ(ω + iT) in the Dynes formula for N(ω, Г).
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176133
citation_txt Фононная структура в туннельной проводимости - возможный ключ к механизму высокотемпературной сверхпроводимости / А.И. Дьяченко, В.М. Свистунов // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 5. — С. 547-550. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT dʹâčenkoai fononnaâstrukturavtunnelʹnoiprovodimostivozmožnyiklûčkmehanizmuvysokotemperaturnoisverhprovodimosti
AT svistunovvm fononnaâstrukturavtunnelʹnoiprovodimostivozmožnyiklûčkmehanizmuvysokotemperaturnoisverhprovodimosti
AT dʹâčenkoai phononstructureintunnelconductivityasapossiblekeytohightcsuperconductivitymechanism
AT svistunovvm phononstructureintunnelconductivityasapossiblekeytohightcsuperconductivitymechanism
first_indexed 2025-12-07T16:27:04Z
last_indexed 2025-12-07T16:27:04Z
_version_ 1850867527929823232

Ähnliche Einträge