Фононная структура в туннельной проводимости - возможный ключ к механизму высокотемпературной сверхпроводимости - Дьяченко, А.И.; Свистунов, В.М. (Физика низких температур, 1996)
Прямым решением уравнений Элиашберга исследовано, насколько эффекты анизотропии влияют на фононную структуру в производной d²I/dV² туннельного тока. Проанализировано s- и d-спаривание, а также влияние примесного рассеяния. Показано, что при сильной анизотропии энергетической щели сверхпроводника Δ(k) фононная структура в остается «изотропной» и должна наблюдаться при eV = Tω> + (А) , где ω — частота фононной особенности, а эффективная щель (Δ) близка к максимальной величине Δ(к). Факторы, размывающие фононную структуру, можно учесть, заменяя в формуле Дайнса для N(ω, Г) комплексный параметр энергетической щели Δ(о>) на Δ(ω + iТ). Прямим рішенням рівнянь Еліашберга досліджено, наскільки ефекти анізотропії впливають на фононну структуру в похідній d²I/dV² тунельного струму. Проаналізовано s- і d-спарювання, а також вплив доміш-кового розсіяння. Показано, що при сильній анізотропії енергетичної щілини надпровідника Δ(к) фононна структура в d²I/dV² залишається «ізотропною» і повинна спостерігатися при eV = eV = Tω> + (Δ), де ω — частота фононної особливості, а ефективна щілина (Δ) близька до максимальної величини Д(к). Фактори, які розмивають фононну структуру, можна урахувати, замінюя в формулі Дайнса для N(w, Г) комплексний параметр енергетичної щілини Δ(ω) на Д(ω + iГ). Through a direct solution of the Eliashberg equations it is studied how much the anisotropy effects impact on the reflection of the phonon structure in the derivative d²I/dV² of the tunnel current. The s- and d-pairing, as well as the impurity scattering influence, are analysed. It is shown that with strong anisotropy of the energy gap Δ(k) of the superconductor, the phonon structure remains «isotropic» in the d²I/dV² and is expected eV =Tω> + (Δ), where ш is the frequency of the phonon feature, and the effective gap (Δ) is close to the maximum value Δ(k). The factors responsible for smearing of the phonon structure can be taken into account replacing the complex parameter of the energy gap Δ(ω) by Δ(ω + iT) in the Dynes formula for N(ω, Г).