Об электронных состояниях, локализованных на межкристаллитных и двойниковых границах

• Veröffentlicht in: Физика низких температур
• Datum: 1998
• Hauptverfasser: Фельдман, Э.П., Юрченко, В.М.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1998
• Schlagworte: Низкоразмерные и неупорядоченные системы
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176207
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Об электронных состояниях, локализованных на межкристаллитных и двойниковых границах / Э.П. Фельдман, В.М. Юрченко // Физика низких температур. — 1998. — Т. 24, № 9. — С. 875-879. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Утверждается, что электрон может оказаться в состоянии, локализованном на межкристаллитной, двойниковой границе, дефекте упаковки, независимо от конкретной структуры переходной области. Существенна лишь непериодичность "в целом" кристалла, содержащего такую границу. Рассмотрена одномерная модель (две состыкованных решетки Кронига-Пенни), для которой определен спектр локализованных состояний. В спектре сложным образом чередуются зоны, содержащие один или два дискретных уровня. It is stated that an electron can be in a state localized at an intercrystallite or twin boundary or stacking fault irrespective of the specific structure of the transition region. It is important that the crystal containing such a boundary must be non-periodic “as a whole.” The one-dimensional model (two abutting Kronig–Penney lattices for which the spectrum of localized states is determined) is considered. The bands containing one or two discrete levels alternate in a complex way in the spectrum.