Об электронных состояниях, локализованных на межкристаллитных и двойниковых границах
Утверждается, что электрон может оказаться в состоянии, локализованном на межкристаллитной, двойниковой границе, дефекте упаковки, независимо от конкретной структуры переходной области. Существенна лишь непериодичность "в целом" кристалла, содержащего такую границу. Рассмотрена одномерная...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 1998 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1998
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176207 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Об электронных состояниях, локализованных на межкристаллитных и двойниковых границах / Э.П. Фельдман, В.М. Юрченко // Физика низких температур. — 1998. — Т. 24, № 9. — С. 875-879. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |