The overheating effects in germanium quantum well with two subbands occupied
The charge carrier overheating effect was studied in the p-type Si₀.₄Ge₀.₆/Ge/Si₀.₄Ge₀.₆ heterostructure with two subband occupy. The temperature dependences of hole-phonon relaxation time τh-ph at weak magnetic fields demonstrated transition of the 2D system from regime of “partial inelasticity” ch...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 2018 |
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2018
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176210 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | The overheating effects in germanium quantum well with two subbands occupied / I.B. Berkutov, V.V. Andrievskii, Yu.A. Kolesnichenko, Yu.F. Komnik, O.A. Mironov // Физика низких температур. — 2018. — Т. 44, № 8. — С. 1018-1024. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | The charge carrier overheating effect was studied in the p-type Si₀.₄Ge₀.₆/Ge/Si₀.₄Ge₀.₆ heterostructure with two subband occupy. The temperature dependences of hole-phonon relaxation time τh-ph at weak magnetic fields demonstrated transition of the 2D system from regime of “partial inelasticity” characterized by dependence τ⁻¹h-ph ∝ T² to regime of small-angle scattering, described by dependence τ-1h-ph ∝ T⁵ with temperature increase. But in higher magnetic fields the dependence τ⁻¹h-ph ∝ T³ manifests itself on dependences τh-ph(Th-ph). The possible explanations of such dependences are discussed.
Ефект перегріву носіїв заряду вивчався в гетероструктурі Si₀.₄Ge₀.₆/Ge/Si₀.₄Ge₀.₆ p-типу з двома
зайнятими підзонами. В слабких магнітних полях
температурні залежності часу дірково-фононної
релаксації h-ph τ демонструють перехід двовимірної системи з режиму «часткової непружності»,
яка характеризується залежністю τ⁻¹h-ph ∝ T² до режиму малокутового розсіювання, що описується залежністю τ-1h-ph ∝ T⁵ з підвищенням температури. В більш високих магнітних полях залежність τ⁻¹h-ph ∝ T³ змінюється на -ph -ph ( ) τh hT . Обговорюються можливі варіанти пояснення таких спостережень.
|
|---|---|
| ISSN: | 0132-6414 |