The overheating effects in germanium quantum well with two subbands occupied
The charge carrier overheating effect was studied in the p-type Si₀.₄Ge₀.₆/Ge/Si₀.₄Ge₀.₆ heterostructure with two subband occupy. The temperature dependences of hole-phonon relaxation time τh-ph at weak magnetic fields demonstrated transition of the 2D system from regime of “partial inelasticity” ch...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 2018 |
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2018
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176210 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | The overheating effects in germanium quantum well with two subbands occupied / I.B. Berkutov, V.V. Andrievskii, Yu.A. Kolesnichenko, Yu.F. Komnik, O.A. Mironov // Физика низких температур. — 2018. — Т. 44, № 8. — С. 1018-1024. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-176210 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Berkutov, I.B. Andrievskii, V.V. Kolesnichenko, Yu.A. Komnik, Yu.F. Mironov, O.A. 2021-02-04T07:34:33Z 2021-02-04T07:34:33Z 2018 The overheating effects in germanium quantum well with two subbands occupied / I.B. Berkutov, V.V. Andrievskii, Yu.A. Kolesnichenko, Yu.F. Komnik, O.A. Mironov // Физика низких температур. — 2018. — Т. 44, № 8. — С. 1018-1024. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. 0132-6414 PACS: 72.15.Lh, 72.20.My, 72.20.–i https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176210 The charge carrier overheating effect was studied in the p-type Si₀.₄Ge₀.₆/Ge/Si₀.₄Ge₀.₆ heterostructure with two subband occupy. The temperature dependences of hole-phonon relaxation time τh-ph at weak magnetic fields demonstrated transition of the 2D system from regime of “partial inelasticity” characterized by dependence τ⁻¹h-ph ∝ T² to regime of small-angle scattering, described by dependence τ-1h-ph ∝ T⁵ with temperature increase. But in higher magnetic fields the dependence τ⁻¹h-ph ∝ T³ manifests itself on dependences τh-ph(Th-ph). The possible explanations of such dependences are discussed. Ефект перегріву носіїв заряду вивчався в гетероструктурі Si₀.₄Ge₀.₆/Ge/Si₀.₄Ge₀.₆ p-типу з двома зайнятими підзонами. В слабких магнітних полях температурні залежності часу дірково-фононної релаксації h-ph τ демонструють перехід двовимірної системи з режиму «часткової непружності», яка характеризується залежністю τ⁻¹h-ph ∝ T² до режиму малокутового розсіювання, що описується залежністю τ-1h-ph ∝ T⁵ з підвищенням температури. В більш високих магнітних полях залежність τ⁻¹h-ph ∝ T³ змінюється на -ph -ph ( ) τh hT . Обговорюються можливі варіанти пояснення таких спостережень. en Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Электронные свойства проводящих систем The overheating effects in germanium quantum well with two subbands occupied Ефекти перегріву в квантовій ямі германію з двома зайнятими підзонами Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
The overheating effects in germanium quantum well with two subbands occupied |
| spellingShingle |
The overheating effects in germanium quantum well with two subbands occupied Berkutov, I.B. Andrievskii, V.V. Kolesnichenko, Yu.A. Komnik, Yu.F. Mironov, O.A. Электронные свойства проводящих систем |
| title_short |
The overheating effects in germanium quantum well with two subbands occupied |
| title_full |
The overheating effects in germanium quantum well with two subbands occupied |
| title_fullStr |
The overheating effects in germanium quantum well with two subbands occupied |
| title_full_unstemmed |
The overheating effects in germanium quantum well with two subbands occupied |
| title_sort |
overheating effects in germanium quantum well with two subbands occupied |
| author |
Berkutov, I.B. Andrievskii, V.V. Kolesnichenko, Yu.A. Komnik, Yu.F. Mironov, O.A. |
| author_facet |
Berkutov, I.B. Andrievskii, V.V. Kolesnichenko, Yu.A. Komnik, Yu.F. Mironov, O.A. |
| topic |
Электронные свойства проводящих систем |
| topic_facet |
Электронные свойства проводящих систем |
| publishDate |
2018 |
| language |
English |
| container_title |
Физика низких температур |
| publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Ефекти перегріву в квантовій ямі германію з двома зайнятими підзонами |
| description |
The charge carrier overheating effect was studied in the p-type Si₀.₄Ge₀.₆/Ge/Si₀.₄Ge₀.₆ heterostructure with two subband occupy. The temperature dependences of hole-phonon relaxation time τh-ph at weak magnetic fields demonstrated transition of the 2D system from regime of “partial inelasticity” characterized by dependence τ⁻¹h-ph ∝ T² to regime of small-angle scattering, described by dependence τ-1h-ph ∝ T⁵ with temperature increase. But in higher magnetic fields the dependence τ⁻¹h-ph ∝ T³ manifests itself on dependences τh-ph(Th-ph). The possible explanations of such dependences are discussed.
Ефект перегріву носіїв заряду вивчався в гетероструктурі Si₀.₄Ge₀.₆/Ge/Si₀.₄Ge₀.₆ p-типу з двома
зайнятими підзонами. В слабких магнітних полях
температурні залежності часу дірково-фононної
релаксації h-ph τ демонструють перехід двовимірної системи з режиму «часткової непружності»,
яка характеризується залежністю τ⁻¹h-ph ∝ T² до режиму малокутового розсіювання, що описується залежністю τ-1h-ph ∝ T⁵ з підвищенням температури. В більш високих магнітних полях залежність τ⁻¹h-ph ∝ T³ змінюється на -ph -ph ( ) τh hT . Обговорюються можливі варіанти пояснення таких спостережень.
|
| issn |
0132-6414 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176210 |
| citation_txt |
The overheating effects in germanium quantum well with two subbands occupied / I.B. Berkutov, V.V. Andrievskii, Yu.A. Kolesnichenko, Yu.F. Komnik, O.A. Mironov // Физика низких температур. — 2018. — Т. 44, № 8. — С. 1018-1024. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |
| work_keys_str_mv |
AT berkutovib theoverheatingeffectsingermaniumquantumwellwithtwosubbandsoccupied AT andrievskiivv theoverheatingeffectsingermaniumquantumwellwithtwosubbandsoccupied AT kolesnichenkoyua theoverheatingeffectsingermaniumquantumwellwithtwosubbandsoccupied AT komnikyuf theoverheatingeffectsingermaniumquantumwellwithtwosubbandsoccupied AT mironovoa theoverheatingeffectsingermaniumquantumwellwithtwosubbandsoccupied AT berkutovib efektiperegrívuvkvantovíiâmígermaníûzdvomazainâtimipídzonami AT andrievskiivv efektiperegrívuvkvantovíiâmígermaníûzdvomazainâtimipídzonami AT kolesnichenkoyua efektiperegrívuvkvantovíiâmígermaníûzdvomazainâtimipídzonami AT komnikyuf efektiperegrívuvkvantovíiâmígermaníûzdvomazainâtimipídzonami AT mironovoa efektiperegrívuvkvantovíiâmígermaníûzdvomazainâtimipídzonami AT berkutovib overheatingeffectsingermaniumquantumwellwithtwosubbandsoccupied AT andrievskiivv overheatingeffectsingermaniumquantumwellwithtwosubbandsoccupied AT kolesnichenkoyua overheatingeffectsingermaniumquantumwellwithtwosubbandsoccupied AT komnikyuf overheatingeffectsingermaniumquantumwellwithtwosubbandsoccupied AT mironovoa overheatingeffectsingermaniumquantumwellwithtwosubbandsoccupied |
| first_indexed |
2025-12-01T05:26:50Z |
| last_indexed |
2025-12-01T05:26:50Z |
| _version_ |
1850859366533562368 |