The overheating effects in germanium quantum well with two subbands occupied
The charge carrier overheating effect was studied in the p-type Si₀.₄Ge₀.₆/Ge/Si₀.₄Ge₀.₆ heterostructure with two subband occupy. The temperature dependences of hole-phonon relaxation time τh-ph at weak magnetic fields demonstrated transition of the 2D system from regime of “partial inelasticity” ch...
Saved in:
| Published in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Date: | 2018 |
| Main Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2018
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176210 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | The overheating effects in germanium quantum well with two subbands occupied / I.B. Berkutov, V.V. Andrievskii, Yu.A. Kolesnichenko, Yu.F. Komnik, O.A. Mironov // Физика низких температур. — 2018. — Т. 44, № 8. — С. 1018-1024. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862641968271589376 |
|---|---|
| author | Berkutov, I.B. Andrievskii, V.V. Kolesnichenko, Yu.A. Komnik, Yu.F. Mironov, O.A. |
| author_facet | Berkutov, I.B. Andrievskii, V.V. Kolesnichenko, Yu.A. Komnik, Yu.F. Mironov, O.A. |
| citation_txt | The overheating effects in germanium quantum well with two subbands occupied / I.B. Berkutov, V.V. Andrievskii, Yu.A. Kolesnichenko, Yu.F. Komnik, O.A. Mironov // Физика низких температур. — 2018. — Т. 44, № 8. — С. 1018-1024. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | The charge carrier overheating effect was studied in the p-type Si₀.₄Ge₀.₆/Ge/Si₀.₄Ge₀.₆ heterostructure with two subband occupy. The temperature dependences of hole-phonon relaxation time τh-ph at weak magnetic fields demonstrated transition of the 2D system from regime of “partial inelasticity” characterized by dependence τ⁻¹h-ph ∝ T² to regime of small-angle scattering, described by dependence τ-1h-ph ∝ T⁵ with temperature increase. But in higher magnetic fields the dependence τ⁻¹h-ph ∝ T³ manifests itself on dependences τh-ph(Th-ph). The possible explanations of such dependences are discussed.
Ефект перегріву носіїв заряду вивчався в гетероструктурі Si₀.₄Ge₀.₆/Ge/Si₀.₄Ge₀.₆ p-типу з двома
зайнятими підзонами. В слабких магнітних полях
температурні залежності часу дірково-фононної
релаксації h-ph τ демонструють перехід двовимірної системи з режиму «часткової непружності»,
яка характеризується залежністю τ⁻¹h-ph ∝ T² до режиму малокутового розсіювання, що описується залежністю τ-1h-ph ∝ T⁵ з підвищенням температури. В більш високих магнітних полях залежність τ⁻¹h-ph ∝ T³ змінюється на -ph -ph ( ) τh hT . Обговорюються можливі варіанти пояснення таких спостережень.
|
| first_indexed | 2025-12-01T05:26:50Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-176210 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-01T05:26:50Z |
| publishDate | 2018 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Berkutov, I.B. Andrievskii, V.V. Kolesnichenko, Yu.A. Komnik, Yu.F. Mironov, O.A. 2021-02-04T07:34:33Z 2021-02-04T07:34:33Z 2018 The overheating effects in germanium quantum well with two subbands occupied / I.B. Berkutov, V.V. Andrievskii, Yu.A. Kolesnichenko, Yu.F. Komnik, O.A. Mironov // Физика низких температур. — 2018. — Т. 44, № 8. — С. 1018-1024. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. 0132-6414 PACS: 72.15.Lh, 72.20.My, 72.20.–i https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176210 The charge carrier overheating effect was studied in the p-type Si₀.₄Ge₀.₆/Ge/Si₀.₄Ge₀.₆ heterostructure with two subband occupy. The temperature dependences of hole-phonon relaxation time τh-ph at weak magnetic fields demonstrated transition of the 2D system from regime of “partial inelasticity” characterized by dependence τ⁻¹h-ph ∝ T² to regime of small-angle scattering, described by dependence τ-1h-ph ∝ T⁵ with temperature increase. But in higher magnetic fields the dependence τ⁻¹h-ph ∝ T³ manifests itself on dependences τh-ph(Th-ph). The possible explanations of such dependences are discussed. Ефект перегріву носіїв заряду вивчався в гетероструктурі Si₀.₄Ge₀.₆/Ge/Si₀.₄Ge₀.₆ p-типу з двома
 зайнятими підзонами. В слабких магнітних полях
 температурні залежності часу дірково-фононної
 релаксації h-ph τ демонструють перехід двовимірної системи з режиму «часткової непружності»,
 яка характеризується залежністю τ⁻¹h-ph ∝ T² до режиму малокутового розсіювання, що описується залежністю τ-1h-ph ∝ T⁵ з підвищенням температури. В більш високих магнітних полях залежність τ⁻¹h-ph ∝ T³ змінюється на -ph -ph ( ) τh hT . Обговорюються можливі варіанти пояснення таких спостережень. en Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Электронные свойства проводящих систем The overheating effects in germanium quantum well with two subbands occupied Ефекти перегріву в квантовій ямі германію з двома зайнятими підзонами Article published earlier |
| spellingShingle | The overheating effects in germanium quantum well with two subbands occupied Berkutov, I.B. Andrievskii, V.V. Kolesnichenko, Yu.A. Komnik, Yu.F. Mironov, O.A. Электронные свойства проводящих систем |
| title | The overheating effects in germanium quantum well with two subbands occupied |
| title_alt | Ефекти перегріву в квантовій ямі германію з двома зайнятими підзонами |
| title_full | The overheating effects in germanium quantum well with two subbands occupied |
| title_fullStr | The overheating effects in germanium quantum well with two subbands occupied |
| title_full_unstemmed | The overheating effects in germanium quantum well with two subbands occupied |
| title_short | The overheating effects in germanium quantum well with two subbands occupied |
| title_sort | overheating effects in germanium quantum well with two subbands occupied |
| topic | Электронные свойства проводящих систем |
| topic_facet | Электронные свойства проводящих систем |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176210 |
| work_keys_str_mv | AT berkutovib theoverheatingeffectsingermaniumquantumwellwithtwosubbandsoccupied AT andrievskiivv theoverheatingeffectsingermaniumquantumwellwithtwosubbandsoccupied AT kolesnichenkoyua theoverheatingeffectsingermaniumquantumwellwithtwosubbandsoccupied AT komnikyuf theoverheatingeffectsingermaniumquantumwellwithtwosubbandsoccupied AT mironovoa theoverheatingeffectsingermaniumquantumwellwithtwosubbandsoccupied AT berkutovib efektiperegrívuvkvantovíiâmígermaníûzdvomazainâtimipídzonami AT andrievskiivv efektiperegrívuvkvantovíiâmígermaníûzdvomazainâtimipídzonami AT kolesnichenkoyua efektiperegrívuvkvantovíiâmígermaníûzdvomazainâtimipídzonami AT komnikyuf efektiperegrívuvkvantovíiâmígermaníûzdvomazainâtimipídzonami AT mironovoa efektiperegrívuvkvantovíiâmígermaníûzdvomazainâtimipídzonami AT berkutovib overheatingeffectsingermaniumquantumwellwithtwosubbandsoccupied AT andrievskiivv overheatingeffectsingermaniumquantumwellwithtwosubbandsoccupied AT kolesnichenkoyua overheatingeffectsingermaniumquantumwellwithtwosubbandsoccupied AT komnikyuf overheatingeffectsingermaniumquantumwellwithtwosubbandsoccupied AT mironovoa overheatingeffectsingermaniumquantumwellwithtwosubbandsoccupied |