О новом механизме трения в наноэлектромеханических системах

Предложен новый механизм трения в наноэлектромеханических системах. Рассмотрена модель подвижного квантового дота, находящегося в электрическом поле и туннельно связанного с резервуаром электронов, поддерживаемом при постоянной температуре. Методом кинетических уравнений в рамках теории возмущений п...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Физика низких температур
Дата:2018
Автор: Ильинская, О.А.
Формат: Стаття
Мова:Російська
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2018
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176215
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:О новом механизме трения в наноэлектромеханических системах / О.А. Ильинская // Физика низких температур. — 2018. — Т. 44, № 8. — С. 1041-1044. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Предложен новый механизм трения в наноэлектромеханических системах. Рассмотрена модель подвижного квантового дота, находящегося в электрическом поле и туннельно связанного с резервуаром электронов, поддерживаемом при постоянной температуре. Методом кинетических уравнений в рамках теории возмущений по параметру отношения ширины уровня к температуре показано, что в системе возникает внутреннее трение с немонотонной температурной зависимостью. Обсуждается возможность применения полученного результата для нахождения области неустойчивости в шаттловских системах. Запропоновано новий механізм тертя в наноелектромеханічних системах. Розглянуто модель рухливої
 квантової точки, яка знаходиться в електричному полі й тунельно зв’язана з резервуаром електронів, що
 підтримується при постійній температурі. Методом кінетичних рівнянь в теорії збурень за параметром
 відношення ширини рівня до температури показано, що в системі виникає внутрішнє тертя з немонотонною температурною залежністю. Обговорюється можливість використання отриманого результату для
 знаходження області нестійкості в шаттлівських системах. A new friction mechanism in nanoelectromechanical
 systems is proposed. The model considered comprises a
 movable quantum dot, placed in electric field and tunnel
 coupled to an electron reservoir held at fixed temperature. By using density operator method, in perturbation
 theory over the parameter of level width divided by
 temperature, it was shown that intrinsic friction with
 non-monotonic temperature dependence appears in the
 system. The feasibility of using the obtained result to
 find an instability domain in shuttle structures is discussed.
ISSN:0132-6414