О новом механизме трения в наноэлектромеханических системах
Предложен новый механизм трения в наноэлектромеханических системах. Рассмотрена модель подвижного квантового дота, находящегося в электрическом поле и туннельно связанного с резервуаром электронов, поддерживаемом при постоянной температуре. Методом кинетических уравнений в рамках теории возмущений п...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 2018 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2018
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176215 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | О новом механизме трения в наноэлектромеханических системах / О.А. Ильинская // Физика низких температур. — 2018. — Т. 44, № 8. — С. 1041-1044. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862708543900090368 |
|---|---|
| author | Ильинская, О.А. |
| author_facet | Ильинская, О.А. |
| citation_txt | О новом механизме трения в наноэлектромеханических системах / О.А. Ильинская // Физика низких температур. — 2018. — Т. 44, № 8. — С. 1041-1044. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Предложен новый механизм трения в наноэлектромеханических системах. Рассмотрена модель подвижного квантового дота, находящегося в электрическом поле и туннельно связанного с резервуаром электронов, поддерживаемом при постоянной температуре. Методом кинетических уравнений в рамках теории возмущений по параметру отношения ширины уровня к температуре показано, что в системе возникает внутреннее трение с немонотонной температурной зависимостью. Обсуждается возможность применения полученного результата для нахождения области неустойчивости в шаттловских системах.
Запропоновано новий механізм тертя в наноелектромеханічних системах. Розглянуто модель рухливої
квантової точки, яка знаходиться в електричному полі й тунельно зв’язана з резервуаром електронів, що
підтримується при постійній температурі. Методом кінетичних рівнянь в теорії збурень за параметром
відношення ширини рівня до температури показано, що в системі виникає внутрішнє тертя з немонотонною температурною залежністю. Обговорюється можливість використання отриманого результату для
знаходження області нестійкості в шаттлівських системах.
A new friction mechanism in nanoelectromechanical
systems is proposed. The model considered comprises a
movable quantum dot, placed in electric field and tunnel
coupled to an electron reservoir held at fixed temperature. By using density operator method, in perturbation
theory over the parameter of level width divided by
temperature, it was shown that intrinsic friction with
non-monotonic temperature dependence appears in the
system. The feasibility of using the obtained result to
find an instability domain in shuttle structures is discussed.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:11:47Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-176215 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:11:47Z |
| publishDate | 2018 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Ильинская, О.А. 2021-02-04T07:35:37Z 2021-02-04T07:35:37Z 2018 О новом механизме трения в наноэлектромеханических системах / О.А. Ильинская // Физика низких температур. — 2018. — Т. 44, № 8. — С. 1041-1044. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 81.07.Oj, 73.23.Hk https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176215 Предложен новый механизм трения в наноэлектромеханических системах. Рассмотрена модель подвижного квантового дота, находящегося в электрическом поле и туннельно связанного с резервуаром электронов, поддерживаемом при постоянной температуре. Методом кинетических уравнений в рамках теории возмущений по параметру отношения ширины уровня к температуре показано, что в системе возникает внутреннее трение с немонотонной температурной зависимостью. Обсуждается возможность применения полученного результата для нахождения области неустойчивости в шаттловских системах. Запропоновано новий механізм тертя в наноелектромеханічних системах. Розглянуто модель рухливої
 квантової точки, яка знаходиться в електричному полі й тунельно зв’язана з резервуаром електронів, що
 підтримується при постійній температурі. Методом кінетичних рівнянь в теорії збурень за параметром
 відношення ширини рівня до температури показано, що в системі виникає внутрішнє тертя з немонотонною температурною залежністю. Обговорюється можливість використання отриманого результату для
 знаходження області нестійкості в шаттлівських системах. A new friction mechanism in nanoelectromechanical
 systems is proposed. The model considered comprises a
 movable quantum dot, placed in electric field and tunnel
 coupled to an electron reservoir held at fixed temperature. By using density operator method, in perturbation
 theory over the parameter of level width divided by
 temperature, it was shown that intrinsic friction with
 non-monotonic temperature dependence appears in the
 system. The feasibility of using the obtained result to
 find an instability domain in shuttle structures is discussed. Автор благодарит И.В. Криве, С.И. Кулинича и
 Р.И. Шехтера за ценные обсуждения. Выражается благодарность НАН Украины за финансовую поддержку
 (научная программа 1.4.10.26/Ф-26–4). ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Наноструктуры при низких температурах О новом механизме трения в наноэлектромеханических системах On new friction mechanism in nanoelectromechanical systems Article published earlier |
| spellingShingle | О новом механизме трения в наноэлектромеханических системах Ильинская, О.А. Наноструктуры при низких температурах |
| title | О новом механизме трения в наноэлектромеханических системах |
| title_alt | On new friction mechanism in nanoelectromechanical systems |
| title_full | О новом механизме трения в наноэлектромеханических системах |
| title_fullStr | О новом механизме трения в наноэлектромеханических системах |
| title_full_unstemmed | О новом механизме трения в наноэлектромеханических системах |
| title_short | О новом механизме трения в наноэлектромеханических системах |
| title_sort | о новом механизме трения в наноэлектромеханических системах |
| topic | Наноструктуры при низких температурах |
| topic_facet | Наноструктуры при низких температурах |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176215 |
| work_keys_str_mv | AT ilʹinskaâoa onovommehanizmetreniâvnanoélektromehaničeskihsistemah AT ilʹinskaâoa onnewfrictionmechanisminnanoelectromechanicalsystems |