Исследование однофотонного сверхизлучения в монокристаллической полупроводниковой пленке в режиме насыщения
Проведено исследование однофотонного сверхизлучения при циклотронном резонансе в идеальной монокристаллической полупроводниковой пленке p-типа с кубической структурой, помещенной в однородное статическое сильное магнитное поле, перпендикулярное к поверхности пленки. Рассмотрение проведено при низкой...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 2018 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2018
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176220 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Исследование однофотонного сверхизлучения в монокристаллической полупроводниковой пленке в режиме насыщения / А.Г. Моисеев, Я.С. Гринберг // Физика низких температур. — 2018. — Т. 44, № 8. — С. 1052-1057. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862665405302046720 |
|---|---|
| author | Моисеев, А.Г. Гринберг, Я.С. |
| author_facet | Моисеев, А.Г. Гринберг, Я.С. |
| citation_txt | Исследование однофотонного сверхизлучения в монокристаллической полупроводниковой пленке в режиме насыщения / А.Г. Моисеев, Я.С. Гринберг // Физика низких температур. — 2018. — Т. 44, № 8. — С. 1052-1057. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Проведено исследование однофотонного сверхизлучения при циклотронном резонансе в идеальной монокристаллической полупроводниковой пленке p-типа с кубической структурой, помещенной в однородное статическое сильное магнитное поле, перпендикулярное к поверхности пленки. Рассмотрение проведено при низкой температуре, когда плотность дырок на уровне Ландау n = 0 равна максимально возможной величине, а плотность дырок на уровне Ландау n = 1 равна нулю. С помощью уравнения Линдблада для матрицы плотности рассчитана плотность тока в пленке и исследованы параметры элект-ромагнитного поля излучения пленки в режиме насыщения, когда напряженность электрического поля возбуждения велика. Показано, что универсальная мощность потерь, приходящаяся на единицу площади пленки, зависит только от фундаментальных постоянных c, qe, me и индукции магнитного поля. Приведен расчет проводимости пленки.
Проведено дослідження однофотонного надвипромінювання при циклотронному резонансі в ідеальній
монокристалічній напівпровідниковій плівці p-типу з кубічною структурою, яку вміщено в однорідне статичне сильне магнітне поле, яке перпендикулярно до поверхні плівки. Розгляд проведено при низькій температурі, коли щільність дірок на рівні Ландау n = 0 дорівнює максимально можливій величині, а щільність
дірок на рівні Ландау n = 1 дорівнює нулю. За допомогою рівняння Ліндблада для матриці щільності розраховано щільність струму в плівці та досліджено параметри електромагнітного поля випромінювання плівки
у режимі насичення, коли напруженість електричного поля збудження велика. Показано, що універсальна
потужність втрат, яка припадає на одиницю площі плівки, залежить тільки від фундаментальних постійних
c, qe, me та індукції магнітного поля. Наведено розрахунок провідності плівки.
The paper investigates single-photon superradiance
at cyclotron resonance in an ideal single-crystal semiconductor p-type film with a cubic structure placed in
a homogeneous static strong magnetic field perpendicular to the film surface. The analysis is performed
at a low temperature, when the holes density is maximum at the Landau level n = 0 and is zero at the Landau level n = 1. Using the Lindblad equation for the
density matrix, we calculated the current density in the
film and the parameters of the electromagnetic field
radiated by the film as a function of the electric field
strength. It is shown that at the saturation mode when
the electric field strength is high the universal loss
power per unit area of the film depends only on the
fundamental constants c, qe, me and on the induction of
the magnetic field.
|
| first_indexed | 2025-12-07T15:16:40Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-176220 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T15:16:40Z |
| publishDate | 2018 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Моисеев, А.Г. Гринберг, Я.С. 2021-02-04T07:36:56Z 2021-02-04T07:36:56Z 2018 Исследование однофотонного сверхизлучения в монокристаллической полупроводниковой пленке в режиме насыщения / А.Г. Моисеев, Я.С. Гринберг // Физика низких температур. — 2018. — Т. 44, № 8. — С. 1052-1057. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 78.67.Bf, 76.40.+b, 73.20.– r, 78.47.jh https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176220 Проведено исследование однофотонного сверхизлучения при циклотронном резонансе в идеальной монокристаллической полупроводниковой пленке p-типа с кубической структурой, помещенной в однородное статическое сильное магнитное поле, перпендикулярное к поверхности пленки. Рассмотрение проведено при низкой температуре, когда плотность дырок на уровне Ландау n = 0 равна максимально возможной величине, а плотность дырок на уровне Ландау n = 1 равна нулю. С помощью уравнения Линдблада для матрицы плотности рассчитана плотность тока в пленке и исследованы параметры элект-ромагнитного поля излучения пленки в режиме насыщения, когда напряженность электрического поля возбуждения велика. Показано, что универсальная мощность потерь, приходящаяся на единицу площади пленки, зависит только от фундаментальных постоянных c, qe, me и индукции магнитного поля. Приведен расчет проводимости пленки. Проведено дослідження однофотонного надвипромінювання при циклотронному резонансі в ідеальній
 монокристалічній напівпровідниковій плівці p-типу з кубічною структурою, яку вміщено в однорідне статичне сильне магнітне поле, яке перпендикулярно до поверхні плівки. Розгляд проведено при низькій температурі, коли щільність дірок на рівні Ландау n = 0 дорівнює максимально можливій величині, а щільність
 дірок на рівні Ландау n = 1 дорівнює нулю. За допомогою рівняння Ліндблада для матриці щільності розраховано щільність струму в плівці та досліджено параметри електромагнітного поля випромінювання плівки
 у режимі насичення, коли напруженість електричного поля збудження велика. Показано, що універсальна
 потужність втрат, яка припадає на одиницю площі плівки, залежить тільки від фундаментальних постійних
 c, qe, me та індукції магнітного поля. Наведено розрахунок провідності плівки. The paper investigates single-photon superradiance
 at cyclotron resonance in an ideal single-crystal semiconductor p-type film with a cubic structure placed in
 a homogeneous static strong magnetic field perpendicular to the film surface. The analysis is performed
 at a low temperature, when the holes density is maximum at the Landau level n = 0 and is zero at the Landau level n = 1. Using the Lindblad equation for the
 density matrix, we calculated the current density in the
 film and the parameters of the electromagnetic field
 radiated by the film as a function of the electric field
 strength. It is shown that at the saturation mode when
 the electric field strength is high the universal loss
 power per unit area of the film depends only on the
 fundamental constants c, qe, me and on the induction of
 the magnetic field. Авторы выражают благодарность М.В. Энтину за
 полезные обсуждения.
 Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки Российской федерации
 в рамках государственного задания № 3.4571.2017/6.7. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Исследование однофотонного сверхизлучения в монокристаллической полупроводниковой пленке в режиме насыщения Single-photon superradiance in a single-crystal semiconductor film in the saturation mode Article published earlier |
| spellingShingle | Исследование однофотонного сверхизлучения в монокристаллической полупроводниковой пленке в режиме насыщения Моисеев, А.Г. Гринберг, Я.С. Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
| title | Исследование однофотонного сверхизлучения в монокристаллической полупроводниковой пленке в режиме насыщения |
| title_alt | Single-photon superradiance in a single-crystal semiconductor film in the saturation mode |
| title_full | Исследование однофотонного сверхизлучения в монокристаллической полупроводниковой пленке в режиме насыщения |
| title_fullStr | Исследование однофотонного сверхизлучения в монокристаллической полупроводниковой пленке в режиме насыщения |
| title_full_unstemmed | Исследование однофотонного сверхизлучения в монокристаллической полупроводниковой пленке в режиме насыщения |
| title_short | Исследование однофотонного сверхизлучения в монокристаллической полупроводниковой пленке в режиме насыщения |
| title_sort | исследование однофотонного сверхизлучения в монокристаллической полупроводниковой пленке в режиме насыщения |
| topic | Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
| topic_facet | Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176220 |
| work_keys_str_mv | AT moiseevag issledovanieodnofotonnogosverhizlučeniâvmonokristalličeskoipoluprovodnikovoiplenkevrežimenasyŝeniâ AT grinbergâs issledovanieodnofotonnogosverhizlučeniâvmonokristalličeskoipoluprovodnikovoiplenkevrežimenasyŝeniâ AT moiseevag singlephotonsuperradianceinasinglecrystalsemiconductorfilminthesaturationmode AT grinbergâs singlephotonsuperradianceinasinglecrystalsemiconductorfilminthesaturationmode |