Recombination and long-term relaxation of photoconductivity in р⁺–р–р⁻ structures of CdxHg₁₋xTe
The paper presents the results of a study of the photoconductivity of р⁺–р–р⁻ structures of CdxHg₁₋xTe (0.24 ≤ x ≤ 0.29) single crystals obtained by thermal diffusion of copper at T = 130°C. The long-term relaxation (LR) of photoconductivity with a duration of up to 10 ms in the presence of a therma...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 2018 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2018
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176222 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Recombination and long-term relaxation of photoconductivity in р⁺–р–р⁻ structures of CdxHg₁₋xTe (0.24 ≤ x ≤ 0.29) / N.J. Ismayilov, A.A. Rajabli, M.A. Musayev, I.I. Abbasov // Физика низких температур. — 2018. — Т. 44, № 8. — С. 1058-1061. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-176222 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Ismayilov, N.J. Rajabli, A.A. Musayev, M.A. Abbasov, I.I. 2021-02-04T07:37:26Z 2021-02-04T07:37:26Z 2018 Recombination and long-term relaxation of photoconductivity in р⁺–р–р⁻ structures of CdxHg₁₋xTe (0.24 ≤ x ≤ 0.29) / N.J. Ismayilov, A.A. Rajabli, M.A. Musayev, I.I. Abbasov // Физика низких температур. — 2018. — Т. 44, № 8. — С. 1058-1061. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. 0132-6414 PACS: 71.22.+i, 72.40.+w, 73.50.–h, 78.30.–j, 84.60.Jt https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176222 The paper presents the results of a study of the photoconductivity of р⁺–р–р⁻ structures of CdxHg₁₋xTe (0.24 ≤ x ≤ 0.29) single crystals obtained by thermal diffusion of copper at T = 130°C. The long-term relaxation (LR) of photoconductivity with a duration of up to 10 ms in the presence of a thermal background of intensity Φ = 10¹⁶–10¹⁷ cm⁻²⋅s⁻¹ is observed for the first time in narrow-gap materials in the T = 77–150 K range. Recombination, diffusion-drift processes in the sample are analyzed, which cause LR and spectral features of photoconductivity. The obtained structures are promising for the development of various highly sensitive IR detectors with an elevated operating temperature. Представлено результати дослідження фотопровідності р⁺–р–р⁻ структур монокристалів CdxHg₁₋xTe (0,24 ≤ x ≤ 0,29), отриманих термічною дифузією міді при T = 130 °C. Довгострокова релаксація (ДР) фотопровідності з тривалістю до 10 мс при наявності теплового фону інтенсивності Φ = 10¹⁶–10¹⁷ cm⁻²⋅s⁻¹ вперше спостерігається в вузькощілинних матеріалах в діапазоні Т = 77–150 К. Проаналізовано рекомбінацію, дифузійно-дрейфові процеси в зразку, які викликають ДР та спектральні особливості фотопровідності. Отримані структури є перспективними для розробки різних високочутливих ІК-детекторів з підвищеною робочою температурою. en Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Recombination and long-term relaxation of photoconductivity in р⁺–р–р⁻ structures of CdxHg₁₋xTe Рекомбінація та тривала релаксація фотопровідності в р⁺–р–р⁻ структурах CdxHg₁₋xTe (0,24 ≤ x ≤ 0,29) Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Recombination and long-term relaxation of photoconductivity in р⁺–р–р⁻ structures of CdxHg₁₋xTe |
| spellingShingle |
Recombination and long-term relaxation of photoconductivity in р⁺–р–р⁻ structures of CdxHg₁₋xTe Ismayilov, N.J. Rajabli, A.A. Musayev, M.A. Abbasov, I.I. Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
| title_short |
Recombination and long-term relaxation of photoconductivity in р⁺–р–р⁻ structures of CdxHg₁₋xTe |
| title_full |
Recombination and long-term relaxation of photoconductivity in р⁺–р–р⁻ structures of CdxHg₁₋xTe |
| title_fullStr |
Recombination and long-term relaxation of photoconductivity in р⁺–р–р⁻ structures of CdxHg₁₋xTe |
| title_full_unstemmed |
Recombination and long-term relaxation of photoconductivity in р⁺–р–р⁻ structures of CdxHg₁₋xTe |
| title_sort |
recombination and long-term relaxation of photoconductivity in р⁺–р–р⁻ structures of cdxhg₁₋xte |
| author |
Ismayilov, N.J. Rajabli, A.A. Musayev, M.A. Abbasov, I.I. |
| author_facet |
Ismayilov, N.J. Rajabli, A.A. Musayev, M.A. Abbasov, I.I. |
| topic |
Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
| topic_facet |
Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
| publishDate |
2018 |
| language |
English |
| container_title |
Физика низких температур |
| publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Рекомбінація та тривала релаксація фотопровідності в р⁺–р–р⁻ структурах CdxHg₁₋xTe (0,24 ≤ x ≤ 0,29) |
| description |
The paper presents the results of a study of the photoconductivity of р⁺–р–р⁻ structures of CdxHg₁₋xTe (0.24 ≤ x ≤ 0.29) single crystals obtained by thermal diffusion of copper at T = 130°C. The long-term relaxation (LR) of photoconductivity with a duration of up to 10 ms in the presence of a thermal background of intensity Φ = 10¹⁶–10¹⁷ cm⁻²⋅s⁻¹ is observed for the first time in narrow-gap materials in the T = 77–150 K range. Recombination, diffusion-drift processes in the sample are analyzed, which cause LR and spectral features of photoconductivity. The obtained structures are promising for the development of various highly sensitive IR detectors with an elevated operating temperature.
Представлено результати дослідження фотопровідності р⁺–р–р⁻ структур монокристалів
CdxHg₁₋xTe (0,24 ≤ x ≤ 0,29), отриманих термічною
дифузією міді при T = 130 °C. Довгострокова
релаксація (ДР) фотопровідності з тривалістю до
10 мс при наявності теплового фону інтенсивності
Φ = 10¹⁶–10¹⁷ cm⁻²⋅s⁻¹ вперше спостерігається в
вузькощілинних матеріалах в діапазоні Т = 77–150 К.
Проаналізовано рекомбінацію, дифузійно-дрейфові
процеси в зразку, які викликають ДР та спектральні
особливості фотопровідності. Отримані структури є
перспективними для розробки різних високочутливих
ІК-детекторів з підвищеною робочою температурою.
|
| issn |
0132-6414 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176222 |
| citation_txt |
Recombination and long-term relaxation of photoconductivity in р⁺–р–р⁻ structures of CdxHg₁₋xTe (0.24 ≤ x ≤ 0.29) / N.J. Ismayilov, A.A. Rajabli, M.A. Musayev, I.I. Abbasov // Физика низких температур. — 2018. — Т. 44, № 8. — С. 1058-1061. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. |
| work_keys_str_mv |
AT ismayilovnj recombinationandlongtermrelaxationofphotoconductivityinrrrstructuresofcdxhg1xte AT rajabliaa recombinationandlongtermrelaxationofphotoconductivityinrrrstructuresofcdxhg1xte AT musayevma recombinationandlongtermrelaxationofphotoconductivityinrrrstructuresofcdxhg1xte AT abbasovii recombinationandlongtermrelaxationofphotoconductivityinrrrstructuresofcdxhg1xte AT ismayilovnj rekombínacíâtatrivalarelaksacíâfotoprovídnostívrrrstrukturahcdxhg1xte024x029 AT rajabliaa rekombínacíâtatrivalarelaksacíâfotoprovídnostívrrrstrukturahcdxhg1xte024x029 AT musayevma rekombínacíâtatrivalarelaksacíâfotoprovídnostívrrrstrukturahcdxhg1xte024x029 AT abbasovii rekombínacíâtatrivalarelaksacíâfotoprovídnostívrrrstrukturahcdxhg1xte024x029 |
| first_indexed |
2025-12-07T17:42:52Z |
| last_indexed |
2025-12-07T17:42:52Z |
| _version_ |
1850872297172238336 |