Влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах YBa₂Cu₃O₇₋δ
Исследовано влияние облучения электронами при T ≲ 10 К (энергия 0,5–2,5 MэВ, доза 10¹⁸ cм⁻²) на параметры рассеяния носителей заряда и характеристики сверхпроводящего перехода в оптимально допированном монокристалле Y–Ba–Cu–O (Тс = 91,74 К). Облучение электронами приводит к значительному возрастанию...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 2018 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2018
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176227 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах YBa₂Cu₃O₇₋δ / Н.A. Aзaренков, В.Н. Вoeвoдин, Р.В. Вовк, Г.Я. Хаджай // Физика низких температур. — 2018. — Т. 44, № 8. — С. 1100-1103. — Бібліогр.: 34 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862716845064192000 |
|---|---|
| author | Aзaренков, Н.A. Вoeвoдин, В.Н. Вовк, Р.В. Хаджай, Г.Я. |
| author_facet | Aзaренков, Н.A. Вoeвoдин, В.Н. Вовк, Р.В. Хаджай, Г.Я. |
| citation_txt | Влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах YBa₂Cu₃O₇₋δ / Н.A. Aзaренков, В.Н. Вoeвoдин, Р.В. Вовк, Г.Я. Хаджай // Физика низких температур. — 2018. — Т. 44, № 8. — С. 1100-1103. — Бібліогр.: 34 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Исследовано влияние облучения электронами при T ≲ 10 К (энергия 0,5–2,5 MэВ, доза 10¹⁸ cм⁻²) на параметры рассеяния носителей заряда и характеристики сверхпроводящего перехода в оптимально допированном монокристалле Y–Ba–Cu–O (Тс = 91,74 К). Облучение электронами приводит к значительному возрастанию остаточного сопротивления и температуры Дебая. Последнее обусловлено изотропизацией фононного спектра из-за возрастания концентрации дефектов. Облучение приводит также к уменьшению Тс и увеличению длины когерентности.
Досліджено вплив опромінення електронами при T 10 К (енергія 0,5–2,5 MеВ, доза 10¹⁸ cм⁻²) на параметри розсіювання носіїв заряду та характеристики надпровідного переходу в оптимально допованому
монокристалі Y–Ba–Cu–O (Тс = 91,74 К). Опромінення електронами призводить до значного зростання
залишкового опору та температури Дебая. Останнє обумовлено ізотропізацією фононного спектра через
зростання концентрації дефектів. Опромінення призводить також до зменшення Тс та збільшення довжини когерентності.
The effect of electron irradiation at T 10 K (energy
0.5–2.5 MeV, dose 10¹⁸ cм⁻²) on the parameters of
charge carrier scattering and superconducting transition
characteristics in an optimally doped Y–Ba–Cu–O single
crystal (Tc = 91.74 K) was studied. Irradiation with electrons leads to a significant increase in the residual resistance and the Debye temperature. The latter is associated with the isotropization of the phonon spectrum due to
an increase in the concentration of defects. Irradiation also leads to a decrease in Tc and an increase in the coherence length.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:07:39Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-176227 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:07:39Z |
| publishDate | 2018 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Aзaренков, Н.A. Вoeвoдин, В.Н. Вовк, Р.В. Хаджай, Г.Я. 2021-02-04T07:38:40Z 2021-02-04T07:38:40Z 2018 Влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах YBa₂Cu₃O₇₋δ / Н.A. Aзaренков, В.Н. Вoeвoдин, Р.В. Вовк, Г.Я. Хаджай // Физика низких температур. — 2018. — Т. 44, № 8. — С. 1100-1103. — Бібліогр.: 34 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 74.72.–h, 74.62.Dh, 74.72.Ek. https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176227 Исследовано влияние облучения электронами при T ≲ 10 К (энергия 0,5–2,5 MэВ, доза 10¹⁸ cм⁻²) на параметры рассеяния носителей заряда и характеристики сверхпроводящего перехода в оптимально допированном монокристалле Y–Ba–Cu–O (Тс = 91,74 К). Облучение электронами приводит к значительному возрастанию остаточного сопротивления и температуры Дебая. Последнее обусловлено изотропизацией фононного спектра из-за возрастания концентрации дефектов. Облучение приводит также к уменьшению Тс и увеличению длины когерентности. Досліджено вплив опромінення електронами при T 10 К (енергія 0,5–2,5 MеВ, доза 10¹⁸ cм⁻²) на параметри розсіювання носіїв заряду та характеристики надпровідного переходу в оптимально допованому
 монокристалі Y–Ba–Cu–O (Тс = 91,74 К). Опромінення електронами призводить до значного зростання
 залишкового опору та температури Дебая. Останнє обумовлено ізотропізацією фононного спектра через
 зростання концентрації дефектів. Опромінення призводить також до зменшення Тс та збільшення довжини когерентності. The effect of electron irradiation at T 10 K (energy
 0.5–2.5 MeV, dose 10¹⁸ cм⁻²) on the parameters of
 charge carrier scattering and superconducting transition
 characteristics in an optimally doped Y–Ba–Cu–O single
 crystal (Tc = 91.74 K) was studied. Irradiation with electrons leads to a significant increase in the residual resistance and the Debye temperature. The latter is associated with the isotropization of the phonon spectrum due to
 an increase in the concentration of defects. Irradiation also leads to a decrease in Tc and an increase in the coherence length. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Кpаткие сообщения Влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах YBa₂Cu₃O₇₋δ Effect of electron irradiation on the scattering of carriers in YBa₂Cu₃O₇₋δ single crystalls Article published earlier |
| spellingShingle | Влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах YBa₂Cu₃O₇₋δ Aзaренков, Н.A. Вoeвoдин, В.Н. Вовк, Р.В. Хаджай, Г.Я. Кpаткие сообщения |
| title | Влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах YBa₂Cu₃O₇₋δ |
| title_alt | Effect of electron irradiation on the scattering of carriers in YBa₂Cu₃O₇₋δ single crystalls |
| title_full | Влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах YBa₂Cu₃O₇₋δ |
| title_fullStr | Влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах YBa₂Cu₃O₇₋δ |
| title_full_unstemmed | Влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах YBa₂Cu₃O₇₋δ |
| title_short | Влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах YBa₂Cu₃O₇₋δ |
| title_sort | влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах yba₂cu₃o₇₋δ |
| topic | Кpаткие сообщения |
| topic_facet | Кpаткие сообщения |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176227 |
| work_keys_str_mv | AT azarenkovna vliânieoblučeniâélektronaminarasseânienositeleizarâdavmonokristallahyba2cu3o7δ AT voevodinvn vliânieoblučeniâélektronaminarasseânienositeleizarâdavmonokristallahyba2cu3o7δ AT vovkrv vliânieoblučeniâélektronaminarasseânienositeleizarâdavmonokristallahyba2cu3o7δ AT hadžaigâ vliânieoblučeniâélektronaminarasseânienositeleizarâdavmonokristallahyba2cu3o7δ AT azarenkovna effectofelectronirradiationonthescatteringofcarriersinyba2cu3o7δsinglecrystalls AT voevodinvn effectofelectronirradiationonthescatteringofcarriersinyba2cu3o7δsinglecrystalls AT vovkrv effectofelectronirradiationonthescatteringofcarriersinyba2cu3o7δsinglecrystalls AT hadžaigâ effectofelectronirradiationonthescatteringofcarriersinyba2cu3o7δsinglecrystalls |