Влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах YBa₂Cu₃O₇₋δ

Исследовано влияние облучения электронами при T ≲ 10 К (энергия 0,5–2,5 MэВ, доза 10¹⁸ cм⁻²) на параметры рассеяния носителей заряда и характеристики сверхпроводящего перехода в оптимально допированном монокристалле Y–Ba–Cu–O (Тс = 91,74 К). Облучение электронами приводит к значительному возрастанию...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Физика низких температур
Дата:	2018
Автори:	Aзaренков, Н.A., Вoeвoдин, В.Н., Вовк, Р.В., Хаджай, Г.Я.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2018
Теми:	Кpаткие сообщения
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176227
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах YBa₂Cu₃O₇₋δ / Н.A. Aзaренков, В.Н. Вoeвoдин, Р.В. Вовк, Г.Я. Хаджай // Физика низких температур. — 2018. — Т. 44, № 8. — С. 1100-1103. — Бібліогр.: 34 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-176227
record_format	dspace
spelling	Aзaренков, Н.A. Вoeвoдин, В.Н. Вовк, Р.В. Хаджай, Г.Я. 2021-02-04T07:38:40Z 2021-02-04T07:38:40Z 2018 Влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах YBa₂Cu₃O₇₋δ / Н.A. Aзaренков, В.Н. Вoeвoдин, Р.В. Вовк, Г.Я. Хаджай // Физика низких температур. — 2018. — Т. 44, № 8. — С. 1100-1103. — Бібліогр.: 34 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 74.72.–h, 74.62.Dh, 74.72.Ek. https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176227 Исследовано влияние облучения электронами при T ≲ 10 К (энергия 0,5–2,5 MэВ, доза 10¹⁸ cм⁻²) на параметры рассеяния носителей заряда и характеристики сверхпроводящего перехода в оптимально допированном монокристалле Y–Ba–Cu–O (Тс = 91,74 К). Облучение электронами приводит к значительному возрастанию остаточного сопротивления и температуры Дебая. Последнее обусловлено изотропизацией фононного спектра из-за возрастания концентрации дефектов. Облучение приводит также к уменьшению Тс и увеличению длины когерентности. Досліджено вплив опромінення електронами при T  10 К (енергія 0,5–2,5 MеВ, доза 10¹⁸ cм⁻²) на параметри розсіювання носіїв заряду та характеристики надпровідного переходу в оптимально допованому монокристалі Y–Ba–Cu–O (Тс = 91,74 К). Опромінення електронами призводить до значного зростання залишкового опору та температури Дебая. Останнє обумовлено ізотропізацією фононного спектра через зростання концентрації дефектів. Опромінення призводить також до зменшення Тс та збільшення довжини когерентності. The effect of electron irradiation at T  10 K (energy 0.5–2.5 MeV, dose 10¹⁸ cм⁻²) on the parameters of charge carrier scattering and superconducting transition characteristics in an optimally doped Y–Ba–Cu–O single crystal (Tc = 91.74 K) was studied. Irradiation with electrons leads to a significant increase in the residual resistance and the Debye temperature. The latter is associated with the isotropization of the phonon spectrum due to an increase in the concentration of defects. Irradiation also leads to a decrease in Tc and an increase in the coherence length. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Кpаткие сообщения Влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах YBa₂Cu₃O₇₋δ Effect of electron irradiation on the scattering of carriers in YBa₂Cu₃O₇₋δ single crystalls Article published earlier
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
title	Влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах YBa₂Cu₃O₇₋δ
spellingShingle	Влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах YBa₂Cu₃O₇₋δ Aзaренков, Н.A. Вoeвoдин, В.Н. Вовк, Р.В. Хаджай, Г.Я. Кpаткие сообщения
title_short	Влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах YBa₂Cu₃O₇₋δ
title_full	Влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах YBa₂Cu₃O₇₋δ
title_fullStr	Влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах YBa₂Cu₃O₇₋δ
title_full_unstemmed	Влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах YBa₂Cu₃O₇₋δ
title_sort	влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах yba₂cu₃o₇₋δ
author	Aзaренков, Н.A. Вoeвoдин, В.Н. Вовк, Р.В. Хаджай, Г.Я.
author_facet	Aзaренков, Н.A. Вoeвoдин, В.Н. Вовк, Р.В. Хаджай, Г.Я.
topic	Кpаткие сообщения
topic_facet	Кpаткие сообщения
publishDate	2018
language	Russian
container_title	Физика низких температур
publisher	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format	Article
title_alt	Effect of electron irradiation on the scattering of carriers in YBa₂Cu₃O₇₋δ single crystalls
description	Исследовано влияние облучения электронами при T ≲ 10 К (энергия 0,5–2,5 MэВ, доза 10¹⁸ cм⁻²) на параметры рассеяния носителей заряда и характеристики сверхпроводящего перехода в оптимально допированном монокристалле Y–Ba–Cu–O (Тс = 91,74 К). Облучение электронами приводит к значительному возрастанию остаточного сопротивления и температуры Дебая. Последнее обусловлено изотропизацией фононного спектра из-за возрастания концентрации дефектов. Облучение приводит также к уменьшению Тс и увеличению длины когерентности. Досліджено вплив опромінення електронами при T  10 К (енергія 0,5–2,5 MеВ, доза 10¹⁸ cм⁻²) на параметри розсіювання носіїв заряду та характеристики надпровідного переходу в оптимально допованому монокристалі Y–Ba–Cu–O (Тс = 91,74 К). Опромінення електронами призводить до значного зростання залишкового опору та температури Дебая. Останнє обумовлено ізотропізацією фононного спектра через зростання концентрації дефектів. Опромінення призводить також до зменшення Тс та збільшення довжини когерентності. The effect of electron irradiation at T  10 K (energy 0.5–2.5 MeV, dose 10¹⁸ cм⁻²) on the parameters of charge carrier scattering and superconducting transition characteristics in an optimally doped Y–Ba–Cu–O single crystal (Tc = 91.74 K) was studied. Irradiation with electrons leads to a significant increase in the residual resistance and the Debye temperature. The latter is associated with the isotropization of the phonon spectrum due to an increase in the concentration of defects. Irradiation also leads to a decrease in Tc and an increase in the coherence length.
issn	0132-6414
url	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176227
citation_txt	Влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах YBa₂Cu₃O₇₋δ / Н.A. Aзaренков, В.Н. Вoeвoдин, Р.В. Вовк, Г.Я. Хаджай // Физика низких температур. — 2018. — Т. 44, № 8. — С. 1100-1103. — Бібліогр.: 34 назв. — рос.
work_keys_str_mv	AT azarenkovna vliânieoblučeniâélektronaminarasseânienositeleizarâdavmonokristallahyba2cu3o7δ AT voevodinvn vliânieoblučeniâélektronaminarasseânienositeleizarâdavmonokristallahyba2cu3o7δ AT vovkrv vliânieoblučeniâélektronaminarasseânienositeleizarâdavmonokristallahyba2cu3o7δ AT hadžaigâ vliânieoblučeniâélektronaminarasseânienositeleizarâdavmonokristallahyba2cu3o7δ AT azarenkovna effectofelectronirradiationonthescatteringofcarriersinyba2cu3o7δsinglecrystalls AT voevodinvn effectofelectronirradiationonthescatteringofcarriersinyba2cu3o7δsinglecrystalls AT vovkrv effectofelectronirradiationonthescatteringofcarriersinyba2cu3o7δsinglecrystalls AT hadžaigâ effectofelectronirradiationonthescatteringofcarriersinyba2cu3o7δsinglecrystalls
first_indexed	2025-12-07T18:07:39Z
last_indexed	2025-12-07T18:07:39Z
_version_	1850873856361758720

Влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах YBa₂Cu₃O₇₋δ

Репозитарії

Схожі ресурси