Влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах YBa₂Cu₃O₇₋δ
Исследовано влияние облучения электронами при T ≲ 10 К (энергия 0,5–2,5 MэВ, доза 10¹⁸ cм⁻²) на параметры рассеяния носителей заряда и характеристики сверхпроводящего перехода в оптимально допированном монокристалле Y–Ba–Cu–O (Тс = 91,74 К). Облучение электронами приводит к значительному возрастанию...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 2018 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2018
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176227 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах YBa₂Cu₃O₇₋δ / Н.A. Aзaренков, В.Н. Вoeвoдин, Р.В. Вовк, Г.Я. Хаджай // Физика низких температур. — 2018. — Т. 44, № 8. — С. 1100-1103. — Бібліогр.: 34 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1860194511908503552 |
|---|---|
| author | Aзaренков, Н.A. Вoeвoдин, В.Н. Вовк, Р.В. Хаджай, Г.Я. |
| author_facet | Aзaренков, Н.A. Вoeвoдин, В.Н. Вовк, Р.В. Хаджай, Г.Я. |
| citation_txt | Влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах YBa₂Cu₃O₇₋δ / Н.A. Aзaренков, В.Н. Вoeвoдин, Р.В. Вовк, Г.Я. Хаджай // Физика низких температур. — 2018. — Т. 44, № 8. — С. 1100-1103. — Бібліогр.: 34 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Исследовано влияние облучения электронами при T ≲ 10 К (энергия 0,5–2,5 MэВ, доза 10¹⁸ cм⁻²) на параметры рассеяния носителей заряда и характеристики сверхпроводящего перехода в оптимально допированном монокристалле Y–Ba–Cu–O (Тс = 91,74 К). Облучение электронами приводит к значительному возрастанию остаточного сопротивления и температуры Дебая. Последнее обусловлено изотропизацией фононного спектра из-за возрастания концентрации дефектов. Облучение приводит также к уменьшению Тс и увеличению длины когерентности.
Досліджено вплив опромінення електронами при T 10 К (енергія 0,5–2,5 MеВ, доза 10¹⁸ cм⁻²) на параметри розсіювання носіїв заряду та характеристики надпровідного переходу в оптимально допованому
монокристалі Y–Ba–Cu–O (Тс = 91,74 К). Опромінення електронами призводить до значного зростання
залишкового опору та температури Дебая. Останнє обумовлено ізотропізацією фононного спектра через
зростання концентрації дефектів. Опромінення призводить також до зменшення Тс та збільшення довжини когерентності.
The effect of electron irradiation at T 10 K (energy
0.5–2.5 MeV, dose 10¹⁸ cм⁻²) on the parameters of
charge carrier scattering and superconducting transition
characteristics in an optimally doped Y–Ba–Cu–O single
crystal (Tc = 91.74 K) was studied. Irradiation with electrons leads to a significant increase in the residual resistance and the Debye temperature. The latter is associated with the isotropization of the phonon spectrum due to
an increase in the concentration of defects. Irradiation also leads to a decrease in Tc and an increase in the coherence length.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:07:39Z |
| format | Article |
| fulltext |
Low Temperature Physics/Фізика низьких температур, 2018, т. 44, № 8, c. 1100–1103
Краткие сообщения
Влияние облучения электронами на рассеяние
носителей заряда в монокристаллах YBa2Cu3O7−δ
Н.A. Aзaренков1, В.Н. Вoeвoдин1,2, Р.В. Вовк1, Г.Я. Хаджай1
1Харьковский национальный университет им. В.Н. Каразина, пл. Свободы, 4, г. Харьков, 61022, Украина
E-mail: rvvovk2017@gmail.com; gkhadjai@univer.kharkov.ua
2Институт физики твердого тела, материаловедения и технологий, ННЦ «ХФТИ»
ул. Академическая, 1, г. Харьков, 61108, Украина
Статья поступила в редакцию 13 марта 2018 г., опубликована онлайн 27 июня 2018 г.
Исследовано влияние облучения электронами при T 10 К (энергия 0,5–2,5 MэВ, доза 1018 cм−2) на
параметры рассеяния носителей заряда и характеристики сверхпроводящего перехода в оптимально до-
пированном монокристалле Y–Ba–Cu–O (Тс = 91,74 К). Облучение электронами приводит к значитель-
ному возрастанию остаточного сопротивления и температуры Дебая. Последнее обусловлено изотропи-
зацией фононного спектра из-за возрастания концентрации дефектов. Облучение приводит также к
уменьшению Тс и увеличению длины когерентности.
Досліджено вплив опромінення електронами при T 10 К (енергія 0,5–2,5 MеВ, доза 1018 cм−2) на па-
раметри розсіювання носіїв заряду та характеристики надпровідного переходу в оптимально допованому
монокристалі Y–Ba–Cu–O (Тс = 91,74 К). Опромінення електронами призводить до значного зростання
залишкового опору та температури Дебая. Останнє обумовлено ізотропізацією фононного спектра через
зростання концентрації дефектів. Опромінення призводить також до зменшення Тс та збільшення довжи-
ни когерентності.
PACS: 74.72.–h Купратные сверхпроводники;
74.62.Dh Влияние дефектов кристаллической структуры, допирования и примесей замещения;
74.72.Ek Электронно-допированный.
Ключевые слова: ВТСП, электрическое сопротивление, облучение, электроны, фононы, температура Де-
бая, сверхпроводящий переход.
Модификация электронным облучением структурных
и электрофизических свойств современных материалов
полифункционального назначения [1,2] и, в частности,
высокотемпературных сверхпроводящих купратов
(ВТСП) [3,4] является актуальной задачей современной
физики твердого тела. Наряду с применением высоких
давлений [5,6], быстрого [7,8] и долговременного [9,10]
отжига, электромагнитной и плазменной обработки [11]
применение облучения быстрыми электронами позволяет
не только проверить адекватность многочисленных тео-
ретических моделей, но и находить эмпирические пути
улучшения технологических характеристик ВТСП мате-
риалов [11,12]. Последнее является особенно важным с
точки зрения их практического применения [11].
С фундаментальной точки зрения представляет ин-
терес выяснение механизма и степени влияния облуче-
ния на ряд необычных явлений, наблюдаемых в ВТСП
соединениях в нормальном состоянии [13], таких как
псевдощелевая аномалия (ПЩ) [14,15], флуктуацион-
ная парапроводимость (ФП) [16,17], некогерентный
электротранспорт [18,19], переходы вида «металл–
изолятор» (МИ) [20,21] и др. Согласно современным
представлениям [13,22], именно эти явления могут
служить ключом к пониманию микроскопической при-
роды ВТСП, которая остается невыясненной, несмотря
© Н.A. Aзaренков, В.Н. Вoeвoдин, Р.В. Вовк, Г.Я. Хаджай, 2018
Влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах YBa2Cu3O7−δ
на более чем тридцатилетнюю историю интенсивных
экспериментальных и теоретических исследований
[11,23]. Важнейшую роль при этом играет точное по-
нимание механизмов рассеяния нормальных [24] и
флуктуационных [22,25,26] носителей заряда.
Ранее [27] мы исследовали влияние облучения элек-
тронами на избыточную проводимость и псевдощеле-
вое состояние оптимально допированного монокри-
сталла Y–Ba–Cu–O с Тс = 91,74 К и обнаружили
некоторое расширение температурного интервала су-
ществования псевдощелевого состояния.
В данном сообщении проанализировано влияние
облучения электронами на параметры рассеяния носи-
телей заряда и сверхпроводящий переход в этом же
монокристалле.
Облучение проводили электронами с энергиями
0,5–2,5 MэВ при T 10 К, использованная доза 1018 cм−2
вызывает концентрацию дефектов 10−4 dpa [28].
Для адекватного описания температурной зависи-
мости сопротивления в ab-плоскости в нормальном
состоянии, ( )nab Tρ , оказалось достаточным учесть
рассеяние носителей заряда на фононах и дефектах, а
также избыточную проводимость:
1/
1
0 ph
1( )
1 (e 1)
nab
T T
T
b
ρ =
+ ⋅ −
ρ +ρ
. (1)
Здесь 0ρ характеризует рассеяние носителей заряда на
дефектах,
/3 3
ph 3 2
0
e
(e 1)
T x
x
T x dxС
θ
ρ = ⋅ θ −∫ (2)
— соотношение Блоха–Грюнайзена [29]. Член
1/
1 (e 1)T Tb ⋅ − описывает избыточную проводимость [27].
На рис. 1 указанная аппроксимация показана линиями.
В таблице 1 приведены подгоночные параметры,
обеспечивающие погрешность указанной аппроксима-
ции не хуже чем 1%.
Температура Дебая θ увеличивается из-за облучения
примерно в 5 раз, что также может быть связано с уве-
личением дефектности образца. Дело в том, что малая
величина θ обусловлена, вероятно, анизотропией образ-
ца, так как взаимодействие между слоями намного
меньше, чем взаимодействие внутри слоев. Поэтому θ,
связанная с поперечными колебаниями, распространяю-
щимися вдоль оси с, намного меньше, чем θ, связанная
с поперечными колебаниями, распространяющимися в
слоях [30]. Резкое увеличение дефектности образца при-
водит к изотропизации фононного спектра, что и вызы-
вает увеличение температуры Дебая. Отметим, что ус-
редненная по элементам с учетом стехиометрии
температура Дебая составляет θ ≈ 345 К.
Коэффициент фононного сопротивления C3 также
возрастает после облучения, что хорошо согласуется
с данными, приведенными в [31] для переходных
металлов.
Облучение практически не влияет на параметры b1
и T1, характеризующие избыточную проводимость.
Поэтому можно предположить, что избыточная прово-
димость слабо зависит от дефектности образца.
На вставке в рис. 1 приведены производные, / ,d dTρ
в области сверхпроводящего перехода. Кривые
( )/d T dTρ были аппроксимированы соотношением [32]
1
2
e( )
(1 e )
z
z
d T
dT w
−
−
ρρ
=
+
, где сТ Т
z
w
−
= . (3)
На вставке в рис. 1 и из табл. 1 видно, что из-за об-
лучения ширина сверхпроводящего перехода на поло-
вине высоты, ∆Тс0,5 ≈ 3,5w, значительно увеличилась,
величина 1
4T Tc
d
dT w=
ρρ
= существенно уменьшилась, но
максимум остался симметричным. Такие изменения
свидетельствуют о том, что вследствие облучения об-
разовалось некоторое число дефектов, но их простран-
ственное распределение осталось макроскопически
однородным.
В [33] для флуктуационной проводимости в плоскости
слоев в непосредственной близости СП перехода получе-
но выражение
2 1
16 [ ( )]ab
e
d r
σ =
ε ε +
, (4)
где d = 11,7 Å — межслоевое расстояние [34];
1c
c
T T
T
−
ε = ;
2
2
4 (0)cr
d
ξ
= .
Рис. 1. Температурные зависимости сопротивления ВТСП
Y–Ba–Cu–O. (□) — исходное состояние (Тс = 91,74 К); (○) —
после облучения (Тс = 86,79 К). Линии — аппроксимации по
(1)–(2). На вставке: производные dρ/dT в области сверхпро-
водящего перехода.
Low Temperature Physics/Фізика низьких температур, 2018, т. 44, № 8 1101
Н.A. Aзaренков, В.Н. Вoeвoдин, Р.В. Вовк, Г.Я. Хаджай
Формула (4) описывает 2D–3D кроссовер, происхо-
дящий в некотором интервале температур: при ε << r
σab ∝(ε, r)–1/2 (3D режим), но при ε >> r σab ∝ε
–1 (2D
режим).
На рис. 2 изображены зависимости ∆σab(ε) при
различных r как полученные из (4), так и определен-
ные экспериментально из соотношения ∆σabexp(T) =
= 1/ρexp(T)–1/ρnab(T) до и после облучения.
Видно, что в исходном состоянии ∆σab(ε) ≈ ∆σabexp(ε)
для r ≈ 0,02–0,03 в интервале ε ≤ 0,01 (91,7 < T < 92,5 К).
Это дает ξc(0) = 0,5dr1/2 ≈ 0,5–0,8 Å. После облучения
∆σab(ε) ≈ ∆σabexp(ε) для r ≈ 0,5–5 в том же интервале
ε ≤ 0,01 (86,8 < T < 87,5 К) получаем ξc(0) ≈ 4–13 Å.
Таким образом, облучение приводит к существенному
увеличению длины когерентности ξc(0).
Отметим, что как в исходном состоянии, так и по-
сле облучения r >> ε, т.е. движение флуктуационных
пар является трехмерным.
Суммируя полученные результаты, можно сде-
лать вывод, что облучение электронами приводит к
возникновению значительного числа дефектов, а это
вызывает существенное снижение анизотропии,
ощутимое возрастание рассеяния на фононах,
уменьшение Тс и увеличение длины когерентности.
Избыточная проводимость при использованном об-
лучении не изменяется.
________
1. O.V. Dobrovolskiy, M. Huth, V.A.Shklovskij, and R.V.
Vovk, Scientific Rep. 7, 13740 (2017).
2. O.V. Dobrovolskiy, V.V. Sosedkin, R. Sachser, V.A.
Shklovskij, R.V. Vovk, and M.J. Huth, Supercond. Nov.
Magn. 30, 735 (2017).
3. J.M. Valles, Jr., A.E. White, K.T. Short, R.C. Dynes, J.P. Garno,
A.F.J. Levi, M. Anzlowar, and K. Baldwin, Phys. Rev. В 39,
11599 (1989).
4. T. Siegrist, S. Sunshine, D.W. Murphy, R.J. Cava, and
S.M. Zahurak, Phys. Rev. B 35, 7137 (1987).
5. S. Sadewasser, J.S. Schilling, A.P. Paulicas, and B.M. Veal,
Phys. Rev. B 61, 741 (2000).
6. R.V. Vovk, N.R. Vovk, G.Ya. Khadzhai, O.V. Dobrovolskiy,
and Z.F. Nazyrov, Current Appl. Phys. 14, 1779 (2014).
7. J.D. Jorgencen, P. Shiyou, P. Lightfoot, H. Shi, A.P.
Paulikas, and B.M.W. Veal, Physica C 167, 571 (1990).
8. R.V. Vovk, N.R. Vovk, and O.V. Dobrovolskiy, J. Low
Temp. Phys. 75, 614 (2014).
9. B. Martinez, F. Sandiumenge, S. Pinol, N. Vilalta,
J. Fontcuberta, and X. Obradors, Appl. Phys. Lett. 66, 772
(1995).
10. D.A. Lotnyk, R.V. Vovk, M.A. Obolenskii, A.A.
Zavgorodniy, J. Kováč, M. Kaňuchová, M. Šefciková, V.
Antal, P. Diko, A. Feher, and A. Chroneos, J. Low Temp.
Phys. 161, 387 (2010).
11. С.И. Бондаренко, В.П. Коверя, А.В. Кревсун, С.И. Линк,
ФНТ 43, 1411 (2017) [Low Temp. Phys. 43, 1125 (2017)].
12. И.В. Берман, Н.Б. Брандт, ФНТ 16, 1227 (1990) [Low
Temp. Phys. 16, 707 (1990)].
13. J. Ashkenazi, J. Supercond. Nov. Magn. 24, 1281 (2011).
14. M.V. Sadovskii, I.A. Nekrasov, E.Z. Kuchinskii, Th. Pruschke,
and V.I. Anisimov, Phys. Rev. B 72, 155105 (2005).
15. R.V. Vovk, N.R. Vovk, G.Ya. Khadzhai, and O.V. Dobrovolskiy,
Solid State Commun. 204, 64 (2015).
16. T.A.Friedmann, J.P. Rice, J. Giapintzakis, and D.M.
Ginsberg, Phys. Rev. B 39, 4258 (1989).
17. R.V. Vovk, M.A. Obolenskii, A.A. Zavgorodniy, A.V.
Bondarenko, I.L. Goulatis, and A.A. Chroneos, J. Mater.
Sci: Mater. Electron. 18, 811 (2007).
18. P.W. Anderson and Z. Zou, Phys. Rev. Lett. 60, 132 (1988).
19. R.V. Vovk, G.Ya. Khadzhai, and O.V. Dobrovolskiy, Appl.
Phys. A 117, 997 (2014).
20. K. Widdera, D. Bernera, H.P. Geserich, W. Widder, and H.F.
Braun, Physica C 251, 274 (1995).
Таблица 1. Подгоночные параметры ρnab(Т) по (1), (2) и dρ/dT в области сверхпроводящего перехода по (3)
YBa2Cu3O7−δ Tc, К ρ0, мкОм⋅см θ, К C3, мкОм⋅см T1, К b1⋅10–8 ∆T, К ρ1(4w), мкОм⋅см/К
Исходный образец 91,74 1,95 41,5 54,6 1132 3,2 0,093 323
После облучения 86,79 29,05 198 408,4 1065 3,2 0,365 148
Рис. 2. Зависимость флуктуационной проводимости, ∆σab,
от приведенной температуры ε. (○) — исходное состоя-
ние, ∆ — после облучения, вычислено как ∆σabexp(T) =
= 1/ρexp(T) –1/ρnab(T); линии — вычислено по (4) для r =
= 0,02 (1), r = 0,03 (2), r = 0,5 (3), r = 5,0 (4).
1102 Low Temperature Physics/Фізика низьких температур, 2018, т. 44, № 8
https://doi.org/10.1038/s41598-017-14232-z.
https://doi.org/10.1007/s10948-016-3642-8
https://doi.org/10.1007/s10948-016-3642-8
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.39.11599
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.35.7137
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.61.741
http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0038109814001549
http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0038109814001549
http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0038109814001549
https://doi.org/10.1016/j.cap.2014.10.002
https://doi.org/10.1016/0921-4534(90)90676-6
https://doi.org/10.1007/s10909-014-1121-9
https://doi.org/10.1007/s10909-014-1121-9
https://doi.org/10.1063/1.114089
https://www.researchgate.net/author/D.+A.+Lotnyk
https://www.researchgate.net/author/R.+V.+Vovk
https://doi.org/10.1007/s10909-010-0198-z
https://doi.org/10.1007/s10909-010-0198-z
https://doi.org/10.1063/1.5008405
https://doi.org/10.1007/s10948-010-0823-8
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.72.155105
https://doi.org/10.1016/j.ssc.2014.12.008
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.39.4258
https://doi.org/10.1007/s10854-006-9086-3
https://doi.org/10.1007/s10854-006-9086-3
https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.60.132
https://doi.org/10.1007/s00339-014-8670-2
https://doi.org/10.1007/s00339-014-8670-2
https://doi.org/10.1016/0921-4534(95)00423-8
Влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах YBa2Cu3O7−δ
21. R.V. Vovk, M.A. Obolenskii, A.A. Zavgorodniy, I.L. Goulatis,
and A.I. Chroneos, J. Mater. Sci: Mater. Electron. 22, 20
(2011).
22. Р.В. Вовк, А.Л. Соловьев, ФНТ 44, 111 (2018) [Low Temp.
Phys. 44, 81 (2018)].
23. A.L. Solovyov, L.V. Omelchenko, V.B. Stepanov, R.V. Vovk,
H.-U. Habermeier, P. Przyslupski, and K. Rogacki, Phys.
Rev. B 94, 224505 (2016).
24. R.V. Vovk, N.R. Vovk, G.Ya. Khadzhai, I.L. Goulatis,
A. Chroneos, Solid State Commun. 190, 18 (2014).
25. R.V. Vovk, N.R. Vovk, G.Ya. Khadzhai, O.V. Dobrovolskiy,
and Z.F. Nazyrov, J. Mater. Sci: Mater. Electron. 25, 5226
(2014).
26. R.V. Vovk, N.R. Vovk, G.Ya. Khadzhai, O.V. Dobrovolskiy,
and Z.F. Nazyrov, J. Mater. Sci: Mater. Electron. 26, 1435
(2015).
27. N.A. Azarenkov, V.N. Voevodin, R.V. Vovk, G.Ya.
Khadzhai, S.V. Lebedev, V.V. Sklyar, S.N. Kamchatnaya,
and O.V. Dobrovolskiy, J. Mater. Sci: Mater. Electron. 28,
15886 (2017).
28. A.V. Bondarenko, A.A. Prodan, Y.T. Petrusenko, V.N.
Borisenko, F. Dworschak, and U. Dedek, Phys. Rev. B 64,
092513 (2001).
29. L. Colquitt, J. Appl. Phys. 36, 2454 (1965).
30. Н.В. Аншукова, Ю.В. Бугославский, В.Г. Веселаго, А.И.
Головашкин, О.В. Ершов, И.А. Зайцев, О.М. Иваненко,
А.А. Кордюк, А.А. Минаков, К.В. Мицен, Письма в ЖЭТФ
48, 152 (1988).
31. В.И. Хоткевич, Б.А. Мерисов, А.М. Ермолаев, А.В.
Краснокутский, ФНТ 6, 1056 (1983) [Low Temp. Phys. 6,
546 (1983)].
32. Б.Н. Ролов, В.Э. Юркевич, Физика размытых фазовых
переходов, Изд-во РГУ, Ростов н/Д. (1983).
33. A. Larkin and A. Varlamov, Theory of Fluctuations in
Superconductors, Oxford University Press, USA (2009).
34. A. Kebede, C.S. Jee, J. Schwegler, J.E. Crow, T. Mihalisin,
G.H. Myer, R.E. Salomon, P. Schlottmann, M.V. Kuric, S.H.
Bloom, and R.P. Guertin, Phys. Rev. B 40, 4453 (1989).
___________________________
Effect of electron irradiation on the scattering
of carriers in YBa2Cu3O7–δ single crystalls
N.A. Azarenkov, V.N. Voevodin, R.V. Vovk,
and G.Ya. Khadzhai
The effect of electron irradiation at T 10 K (energy
0.5–2.5 MeV, dose 1018 cm–2) on the parameters of
charge carrier scattering and superconducting transition
characteristics in an optimally doped Y–Ba–Cu–O single
crystal (Tc = 91.74 K) was studied. Irradiation with elec-
trons leads to a significant increase in the residual re-
sistance and the Debye temperature. The latter is associat-
ed with the isotropization of the phonon spectrum due to
an increase in the concentration of defects. Irradiation al-
so leads to a decrease in Tc and an increase in the coher-
ence length.
PACS: 74.72.–h Cuprate superconductors;
74.62.Dh Effects of crystal defects, doping
and substitution;
74.72.Ek Electron-doped.
Keywords: high-temperature superconductors, electri-
cal resistivity, irradiation, electrons, phonons, Debye
temperature, superconducting transition.
Low Temperature Physics/Фізика низьких температур, 2018, т. 44, № 8 1103
https://doi.org/10.1007/s10854-010-0076-0
https://doi.org/10.1063/1.5020905
https://doi.org/10.1063/1.5020905
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.94.224505
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.94.224505
https://doi.org/10.1016/j.ssc.2014.04.004
https://doi.org/10.1007/s10854-014-2292-5
https://doi.org/10.1007/s10854-014-2558-y
https://doi.org/10.1007/s10854-017-7483-4
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.64.092513
https://doi.org/10.1063/1.1714510
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.40.4453
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-176227 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:07:39Z |
| publishDate | 2018 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Aзaренков, Н.A. Вoeвoдин, В.Н. Вовк, Р.В. Хаджай, Г.Я. 2021-02-04T07:38:40Z 2021-02-04T07:38:40Z 2018 Влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах YBa₂Cu₃O₇₋δ / Н.A. Aзaренков, В.Н. Вoeвoдин, Р.В. Вовк, Г.Я. Хаджай // Физика низких температур. — 2018. — Т. 44, № 8. — С. 1100-1103. — Бібліогр.: 34 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 74.72.–h, 74.62.Dh, 74.72.Ek. https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176227 Исследовано влияние облучения электронами при T ≲ 10 К (энергия 0,5–2,5 MэВ, доза 10¹⁸ cм⁻²) на параметры рассеяния носителей заряда и характеристики сверхпроводящего перехода в оптимально допированном монокристалле Y–Ba–Cu–O (Тс = 91,74 К). Облучение электронами приводит к значительному возрастанию остаточного сопротивления и температуры Дебая. Последнее обусловлено изотропизацией фононного спектра из-за возрастания концентрации дефектов. Облучение приводит также к уменьшению Тс и увеличению длины когерентности. Досліджено вплив опромінення електронами при T 10 К (енергія 0,5–2,5 MеВ, доза 10¹⁸ cм⁻²) на параметри розсіювання носіїв заряду та характеристики надпровідного переходу в оптимально допованому
 монокристалі Y–Ba–Cu–O (Тс = 91,74 К). Опромінення електронами призводить до значного зростання
 залишкового опору та температури Дебая. Останнє обумовлено ізотропізацією фононного спектра через
 зростання концентрації дефектів. Опромінення призводить також до зменшення Тс та збільшення довжини когерентності. The effect of electron irradiation at T 10 K (energy
 0.5–2.5 MeV, dose 10¹⁸ cм⁻²) on the parameters of
 charge carrier scattering and superconducting transition
 characteristics in an optimally doped Y–Ba–Cu–O single
 crystal (Tc = 91.74 K) was studied. Irradiation with electrons leads to a significant increase in the residual resistance and the Debye temperature. The latter is associated with the isotropization of the phonon spectrum due to
 an increase in the concentration of defects. Irradiation also leads to a decrease in Tc and an increase in the coherence length. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Кpаткие сообщения Влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах YBa₂Cu₃O₇₋δ Effect of electron irradiation on the scattering of carriers in YBa₂Cu₃O₇₋δ single crystalls Article published earlier |
| spellingShingle | Влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах YBa₂Cu₃O₇₋δ Aзaренков, Н.A. Вoeвoдин, В.Н. Вовк, Р.В. Хаджай, Г.Я. Кpаткие сообщения |
| title | Влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах YBa₂Cu₃O₇₋δ |
| title_alt | Effect of electron irradiation on the scattering of carriers in YBa₂Cu₃O₇₋δ single crystalls |
| title_full | Влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах YBa₂Cu₃O₇₋δ |
| title_fullStr | Влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах YBa₂Cu₃O₇₋δ |
| title_full_unstemmed | Влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах YBa₂Cu₃O₇₋δ |
| title_short | Влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах YBa₂Cu₃O₇₋δ |
| title_sort | влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах yba₂cu₃o₇₋δ |
| topic | Кpаткие сообщения |
| topic_facet | Кpаткие сообщения |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176227 |
| work_keys_str_mv | AT azarenkovna vliânieoblučeniâélektronaminarasseânienositeleizarâdavmonokristallahyba2cu3o7δ AT voevodinvn vliânieoblučeniâélektronaminarasseânienositeleizarâdavmonokristallahyba2cu3o7δ AT vovkrv vliânieoblučeniâélektronaminarasseânienositeleizarâdavmonokristallahyba2cu3o7δ AT hadžaigâ vliânieoblučeniâélektronaminarasseânienositeleizarâdavmonokristallahyba2cu3o7δ AT azarenkovna effectofelectronirradiationonthescatteringofcarriersinyba2cu3o7δsinglecrystalls AT voevodinvn effectofelectronirradiationonthescatteringofcarriersinyba2cu3o7δsinglecrystalls AT vovkrv effectofelectronirradiationonthescatteringofcarriersinyba2cu3o7δsinglecrystalls AT hadžaigâ effectofelectronirradiationonthescatteringofcarriersinyba2cu3o7δsinglecrystalls |