Температурные зависимости порога параметрического возбуждения и параметра релаксации спиновых волн в гранатовых структурах

• Datum: 1996
• Hauptverfasser: Данилов, В.В, Нечипорук, А.Ю., Чевнюк, Л.В.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1996
• Schriftenreihe: Физика низких температур
• Schlagworte: Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176292
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Температурные зависимости порога параметрического возбуждения и параметра релаксации спиновых волн в гранатовых структурах / В.В. Данилов, А.Ю. Нечипорук, Л.В. Чевнюк // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 9. — С. 1052-1055. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Обсуждаются результаты экспериментального исследования температурных зависимостей порога параметрического возбуждения и параметра релаксации спиновых волн (СВ) в монокристаллических пластинах и эпитаксиальных пленках железо-иттриевого граната (ЖИГ). Показано, что затухание СВ в эпитаксиальном слое ЖИГ больше, чем в монокристаллической пластине, причем различие увеличивается с понижением температуры. Этот факт объясняется влиянием парамагнитной подложки и большим содержанием примесей растворителя и тигля, связанным с особенностями эпитаксиальной технологии. Исследования проводились при температурах 4,2-300 К в трехсантиметровом диапазоне длин волн.