Влияние условий синтеза и отжига на сверхпроводящие свойства Hg-ВТСП

• Published in: Физика низких температур
• Date: 1996
• Main Authors: Луцив, Р.В., Мясоедов, Ю.Н., Матвиив, М.В.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1996
• Subjects: Специальный выпуск Международная конференция "Сверхпроводимость. Физические аспекты"
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176385
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Влияние условий синтеза и отжига на сверхпроводящие свойства Hg-ВТСП / Р.В. Луцив, Ю.Н. Мясоедов, М.В. Матвиив // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 5. — С. 590-592. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.

В рамках ионной модели установлена корреляция между изменением температуры перехода Тс , степенью заполнения кислородом позиций в плоскости HgOδ и энергиями связи медь — кислород в плоскости CuO₂ и медь — апикальный кислород для высокотемпературных соединений ряда HgBa₂Can-₁CunO₂n+₂-δ. Показано, что Тс соединения HgBa₂Ca₂Cu₃O₈+δ с частичным замещением Hg²⁺ на Рb⁴⁺ изменяется в зависимости от степени легирования кислородом прекурсора Ва₂Са₂СизОа и условий отжига образцов. В рамках іонної моделі встановлено кореляцію між зміною температури переходу Тс , мірою заповнення киснем позицій в площині HgOδ і енергіями зв’язку мідь — кисень в площині СиO₂ і мідь — апікальний кисень для високотемпературних сполук ряду HgBa₂Can-₁CunO₂n+₂-δ. Показано, що Тс сполуки HgBa₂Ca₂Cu₃O₈+δ з частковим заміщенням Hg²⁺ на Рb⁴⁺ змінюється в залежності від ступеня легування киснем прекурсора Ва₂Са₂Сu₃Оδ і умов відпалу зразків. Within the framework of the ionic model the correlation between the changes of the superconduction transition temperature Tc, occupation rate of oxygen of the sites in the HgOδ plane and energies of copperoxygen and copper-apical oxygen coupling in the СиO₂ plane for high-temperature compounds of HgBa₂Can-₁CunO₂n+₂-δ series have been found. It is shown, that Tc of HgBa₂Ca₂Cu₃O₈+δ compound depends on the doping level of the precursor Ва₂Са₂Сu₃Оδ and specimen treatment conditions, when Hg²⁺ ions are partially replaced by Рb⁴⁺.