Анализ экспериментальной теплоемкости HoBa₂Cu₃O₇-δ: электронная теплоемкость, характеристики фононного спектра

• Published in: Физика низких температур
• Date: 1996
• Main Authors: Наумов, В.Н., Фролова, Г.И., Амитин, Е.Б.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1996
• Subjects: Специальный выпуск Международная конференция "Сверхпроводимость. Физические аспекты"
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176387
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Анализ экспериментальной теплоемкости HoBa₂Cu₃O₇-δ: электронная теплоемкость, характеристики фононного спектра / В.Н. Наумов, Г.И. Фролова, Е.Б. Амитин // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 5. — С. 561-563. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Из экспериментальных данных по теплоемкости HoBa₂Cu₃O₇-δ в области нормального состояния (вышеТс) была выделена ее электронная компонента γТ. Для разделения теплоемкости на фононную и электронную компоненты была использована специальная методика. Она основана на представлении решеточной теплоемкости с помощью конечного числа моментов Оi- фононной плотности состояний. Кроме значения у, также были получены численные значения второго и четвертого моментов O2 и O4 соответственно и эффективного момента 0, , характеризующего верхнюю границу фононной плотности состояний. По сравнению с фононным спектром YBCO наблюдается общее смягчение фононного спектра НоВСО из-за замещения легкого иона Y тяжелым ионом Но. Такое смятение фононной плотности состояний открывает возможность для выделения в HoBa₂Cu₃O₇-δэлектронной теплоемкости в области сверхпроводящего перехода, а также скачка теплоемкости ΔС. З експериментальних даних про теплоємність HoBa₂Cu₃O₇-δ в області нормального стану (вище було відділеної! електронну компоненту γТ. Для розподілу теплоємності на фононну та електронну компоненти було використано спеціальну методику. Вона базується на уявленій гратково! теплоємності за допомогою кінцевої кількості моментів Н(- фононної густини етапів. Крім значення у, також було одержано чисельні значення другого та четвертой) моментів відповідно О2 О4 та ефективного моменту О , який характеризує верхню межу фононної густини станів. Порівняно з фононним спектром YBCO спостерігається запільне зм’якшення фононного спектра ПоВСО завдяки заміщенню легкого іона Y тяжким іоном По. Таке зм'якшення фононної густини станів відкриває можливість для виділення в HoBa₂Cu₃O₇-δ? Л електронної теплоємності в області надпровідного переходу, а також стрибка теплоємності ΔС.