Effect of an ac electric field on weak electron localization in Bi films

• Veröffentlicht in: Физика низких температур
• Datum: 1996
• Hauptverfasser: Belevtsev, B.I., Hasse, J., Anopchenko, A.S., Beliayev, E.Yu.
• Format: Artikel
• Sprache: Englisch
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1996
• Schlagworte: По всем тематикам журнала
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176409
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Effect of an ac electric field on weak electron localization in Bi films / B.I. Belevtsev, J. Hasse, A.S. Anopchenko, E.Yu. Beliayev // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 1. — С. 79-85. — Бібліогр.: 16 назв. — англ.

We have studied the effects of weak localization and electron-electron interaction in the conductivity of Bi films at temperatures between 1.1 and 4.2 К in the presence of a high-frequency electric field ( - 9.4 GHz). The experiments were carried out under conditions of no appreciable overheating of...