Влияние давления на линейный фон туннельной проводимости сверхпроводящих металлооксидов

• Published in: Физика низких температур
• Date: 1996
• Main Authors: Таренков, В.Ю., Дьяченко, А.И., Абалешев, А.В., Свистунов, В.М.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1996
• Subjects: Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176437
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Влияние давления на линейный фон туннельной проводимости сверхпроводящих металлооксидов / В.Ю. Таренков, А.И. Дьяченко, А.В. Абалешев, В.М. Свистунов // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 3. — С. 267-270. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Исследовано влияние гидростатического (для 10 кбар) давления на туннельную проводимость G(V) контактов на основе висмутовой Вi2223 (Тс = 110 К) керамики. Показано, что изменения линейного, пропорционального напряжению IVI фона в G(V) под давлением происходят существенно быстрее, чем изменения проводимости G₀ при нулевом напряжении смещения V = 0. Этот результат указывает на отсутствие прямой связи аномального, пропорционального IVI фона в туннельных кривых ВТСП со спецификой высокотемпературной сверхпроводимости. Досліджено вплив гідростатичного (до 10 кбар) тиску на тунельну провідність G(V) контактів на основі вісмутової ВІ2223 (Тс = ПО К) кераміки. Показано, що зміна лінійного, пропорційного напрузі IVI фону в G(V) під тиском проходить значно швидше, ніж зміна провідності G₀ при нульовій напрузі зміщення V = 0. Цей результат вказує на відсутність прямого зв’язку аномального, пропорційного ІVI фону в тунельних кривих ВТНП з спеціфікою високотемпературної надпровідності. The effect of high pressures (up to 10 kbar) on the tunnel conductivity G(V) of contacts based on bismuth Bi 2223 (Tc= 110 K) ceramics is investigated. It is shown that the linear background in the differential conductivity increases more quickly than the conductivity G₀ at zero-bias voltage that is the evidence for the absence of direct relation between an anomalous background (proportional to IVI) in the HTS tunnel curves and HTS mechanisms.