Пленки Мо и сверхрешетки Mo/Si: сопоставление сверхпроводящих и кинетических характеристик
Приведены результаты сравнительных измерений зависимостей ряда сверхпроводящих и кинетических характеристик от толщины слоя на пленках молибдена и сверхрешетках Mo/Si на их основе. Обнаружено, что на единичных пленках отсутствуют размерные осцилляции, наблюдающиеся на свехрешетках Mo/Si. Из сопостав...
Gespeichert in:
| Datum: | 1996 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1996
|
| Schriftenreihe: | Физика низких температур |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176468 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Пленки Мо и сверхрешетки Mo/Si: сопоставление сверхпроводящих и кинетических характеристик / Н.Я. Фогель, Е.Н. Бухштаб, О.А. Корецкая, А.С. Похила, В.Г. Черкасова, С.А. Юлин // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 4. — С. 359-363. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Приведены результаты сравнительных измерений зависимостей ряда сверхпроводящих и кинетических характеристик от толщины слоя на пленках молибдена и сверхрешетках Mo/Si на их основе. Обнаружено, что на единичных пленках отсутствуют размерные осцилляции, наблюдающиеся на свехрешетках Mo/Si. Из сопоставления данных на пленках и сверхрешетках сделано заключение, что осцилляционные эффекты, наблюдающиеся на сверхрешетках Mo/Si, нельзя объяснить в терминах обычного квантового размерного эффекта. Этот эффект отсутствует на пленках из-за высокой степени разупорядочения слоев Мо, в которых длины свободного пробега электронов намного меньше, чем толщина пленок. Размерные осцилляции, связанные с пространственным квантованием спектра носителей, не должны наблюдаться и на сверхрешетках, в которых слои молибдена разупорядочены столь же сильно, как и в единичных пленках. Объяснение осцилля-ционных эффектов на сверхрешетках следует, по-видимому, искать, основываясь на туннельных свойствах полупроводниковых барьеров, разделяющих металлические слои. |
|---|