Анизотропное туннельное магнитосопротивление прессованных нанопорошков диоксида хрома

Исследованы резистивные, магниторезистивные и магнитные свойства нанопорошков диоксида хрома CrO₂. Порошки состояли либо из сферических, либо из игольчатых наночастиц. Наночастицы были покрыты диэлектрическими оболочками разного состава и разной толщины. Для всех порошков была обнаружена анизотропи...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2018
Автори:	Далакова, Н.В., Беляев, Е.Ю., Блудов, А.Н., Горелый, В.А., Осмоловская, О.М., Осмоловский, М.Г.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2018
Назва видання:	Физика низких температур
Теми:	Низькотемпературний магнетизм
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176478
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Анизотропное туннельное магнитосопротивление прессованных нанопорошков диоксида хрома / Н.В. Далакова, Е.Ю. Беляев, А.Н. Блудов, В.А. Горелый, О.М. Осмоловская, М.Г. Осмоловский // Физика низких температур. — 2018. — Т. 44, № 11. — С. 1510-1520. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-176478
record_format	dspace
spelling	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-1764782025-02-23T18:23:51Z Анизотропное туннельное магнитосопротивление прессованных нанопорошков диоксида хрома Анізотропний тунельний магнітоопір пресованих нанопорошків діоксиду хрому Anisotropic tunnel magnetoresistance of pressed nanopowders of chromium dioxide Далакова, Н.В. Беляев, Е.Ю. Блудов, А.Н. Горелый, В.А. Осмоловская, О.М. Осмоловский, М.Г. Низькотемпературний магнетизм Исследованы резистивные, магниторезистивные и магнитные свойства нанопорошков диоксида хрома CrO₂. Порошки состояли либо из сферических, либо из игольчатых наночастиц. Наночастицы были покрыты диэлектрическими оболочками разного состава и разной толщины. Для всех порошков была обнаружена анизотропия туннельного магнитосопротивления. Показано, что анизотропия туннельного магнитосопротивления порошков CrO₂ связана с формированием наведенной магнитной текстуры и определяется различием в скорости намагничивания образца вдоль и перпендикулярно плоскости прессования порошков. Досліджено резистивні, магніторезистивні та магнітні властивості нанопорошків діоксиду хрому CrO₂. Порошки складалися або з сферичних, або з голчастих наночастинок. Наночастинки були покриті діелектричними оболонками різного складу та різної товщини. Для всіх порошків було виявлено анізотропію тунельного магнітоопору. Показано, що анізотропія тунельного магнітоопору порошків CrO₂ пов'язана з формуванням наведеної магнітної текстури і визначається різницею в швидкості намагнічування зразка вздовж і перпендикулярно площині пресування порошків. Resistive, magnetoresistive and magnetic properties of chromium dioxide nanopowders CrO₂ are investigated. The powders consisted of either spherical or needle-shaped nanoparticles. The nanoparticles were covered with dielectric shells of different composition and thickness. Anisotropy of the tunnel magnetoresistance was observed for all the powders. It is shown that the anisotropy of the tunnel magnetoresistance of CrO₂ powders is explained by the formation of an induced magnetic texture and is determined by the difference in the magnetization rate of the sample along and perpendicular to the plane of compaction of the powders. 2018 Article Анизотропное туннельное магнитосопротивление прессованных нанопорошков диоксида хрома / Н.В. Далакова, Е.Ю. Беляев, А.Н. Блудов, В.А. Горелый, О.М. Осмоловская, М.Г. Осмоловский // Физика низких температур. — 2018. — Т. 44, № 11. — С. 1510-1520. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 0132-6414 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176478 ru Физика низких температур application/pdf Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
topic	Низькотемпературний магнетизм Низькотемпературний магнетизм
spellingShingle	Низькотемпературний магнетизм Низькотемпературний магнетизм Далакова, Н.В. Беляев, Е.Ю. Блудов, А.Н. Горелый, В.А. Осмоловская, О.М. Осмоловский, М.Г. Анизотропное туннельное магнитосопротивление прессованных нанопорошков диоксида хрома Физика низких температур
description	Исследованы резистивные, магниторезистивные и магнитные свойства нанопорошков диоксида хрома CrO₂. Порошки состояли либо из сферических, либо из игольчатых наночастиц. Наночастицы были покрыты диэлектрическими оболочками разного состава и разной толщины. Для всех порошков была обнаружена анизотропия туннельного магнитосопротивления. Показано, что анизотропия туннельного магнитосопротивления порошков CrO₂ связана с формированием наведенной магнитной текстуры и определяется различием в скорости намагничивания образца вдоль и перпендикулярно плоскости прессования порошков.
format	Article
author	Далакова, Н.В. Беляев, Е.Ю. Блудов, А.Н. Горелый, В.А. Осмоловская, О.М. Осмоловский, М.Г.
author_facet	Далакова, Н.В. Беляев, Е.Ю. Блудов, А.Н. Горелый, В.А. Осмоловская, О.М. Осмоловский, М.Г.
author_sort	Далакова, Н.В.
title	Анизотропное туннельное магнитосопротивление прессованных нанопорошков диоксида хрома
title_short	Анизотропное туннельное магнитосопротивление прессованных нанопорошков диоксида хрома
title_full	Анизотропное туннельное магнитосопротивление прессованных нанопорошков диоксида хрома
title_fullStr	Анизотропное туннельное магнитосопротивление прессованных нанопорошков диоксида хрома
title_full_unstemmed	Анизотропное туннельное магнитосопротивление прессованных нанопорошков диоксида хрома
title_sort	анизотропное туннельное магнитосопротивление прессованных нанопорошков диоксида хрома
publisher	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate	2018
topic_facet	Низькотемпературний магнетизм
url	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176478
citation_txt	Анизотропное туннельное магнитосопротивление прессованных нанопорошков диоксида хрома / Н.В. Далакова, Е.Ю. Беляев, А.Н. Блудов, В.А. Горелый, О.М. Осмоловская, М.Г. Осмоловский // Физика низких температур. — 2018. — Т. 44, № 11. — С. 1510-1520. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.
series	Физика низких температур
work_keys_str_mv	AT dalakovanv anizotropnoetunnelʹnoemagnitosoprotivleniepressovannyhnanoporoškovdioksidahroma AT belâeveû anizotropnoetunnelʹnoemagnitosoprotivleniepressovannyhnanoporoškovdioksidahroma AT bludovan anizotropnoetunnelʹnoemagnitosoprotivleniepressovannyhnanoporoškovdioksidahroma AT gorelyjva anizotropnoetunnelʹnoemagnitosoprotivleniepressovannyhnanoporoškovdioksidahroma AT osmolovskaâom anizotropnoetunnelʹnoemagnitosoprotivleniepressovannyhnanoporoškovdioksidahroma AT osmolovskijmg anizotropnoetunnelʹnoemagnitosoprotivleniepressovannyhnanoporoškovdioksidahroma AT dalakovanv anízotropnijtunelʹnijmagnítoopírpresovanihnanoporoškívdíoksiduhromu AT belâeveû anízotropnijtunelʹnijmagnítoopírpresovanihnanoporoškívdíoksiduhromu AT bludovan anízotropnijtunelʹnijmagnítoopírpresovanihnanoporoškívdíoksiduhromu AT gorelyjva anízotropnijtunelʹnijmagnítoopírpresovanihnanoporoškívdíoksiduhromu AT osmolovskaâom anízotropnijtunelʹnijmagnítoopírpresovanihnanoporoškívdíoksiduhromu AT osmolovskijmg anízotropnijtunelʹnijmagnítoopírpresovanihnanoporoškívdíoksiduhromu AT dalakovanv anisotropictunnelmagnetoresistanceofpressednanopowdersofchromiumdioxide AT belâeveû anisotropictunnelmagnetoresistanceofpressednanopowdersofchromiumdioxide AT bludovan anisotropictunnelmagnetoresistanceofpressednanopowdersofchromiumdioxide AT gorelyjva anisotropictunnelmagnetoresistanceofpressednanopowdersofchromiumdioxide AT osmolovskaâom anisotropictunnelmagnetoresistanceofpressednanopowdersofchromiumdioxide AT osmolovskijmg anisotropictunnelmagnetoresistanceofpressednanopowdersofchromiumdioxide
first_indexed	2025-11-24T09:23:45Z
last_indexed	2025-11-24T09:23:45Z
_version_	1849663134635130880
fulltext	Low Temperature Physics/Фізика низьких температур, 2018, т. 44, № 11, c. 1510–1520 Анизотропное туннельное магнитосопротивление прессованных нанопорошков диоксида хрома Н.В. Далакова, Е.Ю. Беляев, А.Н. Блудов, В.А. Горелый Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Науки, 47, г. Харьков, 61103, Украина E-mail: dalakova@ilt.kharkov.ua О.М. Осмоловская, М.Г. Осмоловский Санкт-Петербургский государственный университет, химический факультет, г. Санкт-Петербург, 198504, Россия Статья поступила в редакцию 23 мая 2018 г., опубликована онлайн 26 сентября 2018 г. Исследованы резистивные, магниторезистивные и магнитные свойства нанопорошков диоксида хрома CrO2. Порошки состояли либо из сферических, либо из игольчатых наночастиц. Наночастицы были по- крыты диэлектрическими оболочками разного состава и разной толщины. Для всех порошков была обна- ружена анизотропия туннельного магнитосопротивления. Показано, что анизотропия туннельного маг- нитосопротивления порошков CrO2 связана с формированием наведенной магнитной текстуры и определяется различием в скорости намагничивания образца вдоль и перпендикулярно плоскости прес- сования порошков. Ключевые слова: половинные металлы, диоксид хрома, гранулированные магнитные материалы, тун- нельное магнитосопротивление, магнитная анизотропия. 1. Введение Получение новых магнитных материалов, магнит- ных туннельных структур с эффектом туннельного магнитосопротивления (МС) и спин-вентильных структур с эффектом гигантского МС — одна из акту- альных задач современной нанотехнологии. Открытие эффекта гигантского МС послужило толчком в разви- тии новой области электроники — спинтроники. По- скольку функциональность и эффективность работы устройств спинтроники в значительной степени зависит от максимально достижимой величины туннельного МС, изучению туннельного сопротивления магнитных туннельных структур и ферромагнитных материалов уделяется большое внимание. В этой связи представ- ляет интерес всестороннее исследование влияния тех- нологических факторов на магниторезистивные свой- ства уже известных магнитных материалов. Помимо различного рода многослойных туннельных структур эффект туннельного МС может наблюдаться в грану- лированных материалах, таких как керамические сис- темы, состоящие из ферромагнитных зерен, или мел- кодисперсные порошки ферромагнитного металла с наночастицами, разделенными диэлектрическими про- слойками. Такие системы известны как кооперативные системы магнитных туннельных контактов. Эффект туннельного МС обусловлен различием в вероятности прохождения туннельного барьера элек- тронами с противоположной ориентацией спина. Ве- личина туннельного МС зависит от ориентации маг- нитных моментов соседних гранул (или частиц) и от свойств туннельного барьера между ферромагнитными гранулами. Отрицательное туннельное МС максималь- но, когда магнитные моменты соседних гранул ориен- тированы параллельно. Ранее в рамках решения про- блемы повышения величины туннельного МС мы исследовали резистивные и магниторезистивные свой- ства нескольких видов прессованных нанопорошков диоксида хрома CrO2. Было показано, что сопротивле- ние и спин-зависящее туннельное МС в значительной степени определяются формой частиц (игольчатая или округленная), а также толщиной и типом диэлектриче- ского покрытия частиц [1]. В настоящей работе рас- смотрено возможное влияние плотности упаковки час- © Н.В. Далакова, Е.Ю. Беляев, А. Блудов, В.А. Горелый, О.М. Осмоловская, М.Г. Осмоловский, 2018 Анизотропное туннельное магнитосопротивление прессованных нанопорошков диоксида хрома тиц CrO2, влияние магнитной текстуры, формируемой в процессе приготовления образцов, и влияние приме- сей в туннельном барьере на величину МС. С этой це- лью была измерена величина магниторезистивного эффекта нескольких порошков CrO2 при разной ориен- тации магнитного поля относительно оси прессования. Диоксид хрома известен как половинный металл (half metal) типа IA, у которого на уровне Ферми EF имеются только электроны со спинами, направленны- ми вверх (↑). Главным образом, это t2g электроны хро- ма [2]. CrO2 имеет тетрагональную структуру типа ру- тила пространственной группы P42/mnm с параметрами решетки a = 0,4422 нм и c = 0,2917 нм. Объемный CrO2 обычно рассматривается как неаксиальный ферромаг- нетик с заметным неаксиальным вкладом второго по- рядка, у которого ось c является осью легкого намагни- чивания. Температура Кюри диоксида хрома TC ≈ 390 К. Начиная с 1968 года, высокодисперсный порошок диок- сида хрома получил промышленное применение в каче- стве рабочего материала для магнитных носителей. Его доля до сих пор составляет около 70% в мировом про- изводстве жестких дисков. Перспективы дальнейшего применения порошка CrO2 в качестве функционально- го материала связаны с развитием технологии увели- чения туннельного МС этого порошка. Кроме практи- ческого применения порошки CrO2 представляют интерес как модельный материал при изучении спин- зависимых транспортных явлений в кооперативных системах магнитных туннельных контактов. Как известно, собственное (intrinsic) МС кристалли- ческого CrO2 очень мало (около 1%/Тл при комнатной температуре) [3] и незначительно изменяется при по- нижении температуры. В то же время МС прессован- ных порошков с достаточно слабыми связями между ферромагнитными (ФМ) гранулами может достигать значительной величины (30% и более) при низких тем- пературах [4,5]. Это МС обусловлено внешними фак- торами. Оно определяется технологией приготовления прессованных порошков, состоящих из ФМ наноча- стиц CrO2, покрытых диэлектрическими оболочками. Достаточно тонкие изолирующие прослойки препятст- вуют прямому ФМ обмену между соседними гранула- ми, допуская, однако, межгранульное туннелирование. Вероятность туннелирования зависит от относитель- ной ориентации вектора намагниченности в соседних гранулах [3] и от свойств магнитных туннельных кон- тактов между ФМ гранулами. Вероятность туннелиро- вания очень чувствительна к приложенному магнит- ному полю. Исследованные в этой работе порошки диоксида хрома отличались формой, размерами частиц и типом диэлектрических прослоек между частицами. Основ- ные характеристики порошков приведены в табл. 1. Порошок № 1 состоял из округленных частиц CrO2 со средним диаметром d ≈ 120 нм. Порошки № 2–4 со- стояли из игольчатых частиц. Средний диаметр частиц составлял 23 нм, а длина ≈ 302 нм. В порошках № 5 и № 6 частицы имели призматическую форму с диамет- ром частиц 24 и 34 нм соответственно. Соотношение диаметра частицы к ее длине в последних двух порош- ках составляло ∼1:10. Порошок № 6 представлял собой твердый раствор диоксида хрома с примесью железа. Содержание железа составляло 75 ммоль на 1 моль Cr. 2. Синтез, методики приготовления и исследования образцов Порошки диоксида хрома были приготовлены и всесторонне протестированы на кафедре общей и не- органической химии Санкт-Петербургского государст- венного университета. Синтез диоксида хрома прово- дился гидротермальным методом. Общие особенности использованной технологии описаны в работе [6]. В качестве основной стадии диоксид хрома синтезирован из смеси CrO3, воды и специальных модифицирующих Таблица 1. Основные характеристики образцов Образец Форма частиц Оболочка d, нм HP, Тл HС, Tл Mmax, А м2 кг–1 Amax, % T = 4,2 К Amax, % T = 5,21 К 1 Сферические β–CrOOH 3,6 0,0169 0,0149 88,8 –6,4 –2,7 2 Игловидные β–CrOOH 1,8 0,0195 0,0429 91,2 –13,03 ∼ –9,97 3 Игловидные β–CrOOH ~1,3 0,0220 0,0429 93,6 –15,7 –13,5 4 Игловидные Cr2O3 2,1 0,021 0,0422 82,2 –13,4 5 Призматические β–CrOOH 0,8 0,025 \|\|H 0,0076 H⊥ 0,0522 99,97 –12,2 6 Призматические β–CrOOH 1,2 0,0484 \|\|H 0,0142 H⊥ 0,0761 76,2 –15,9 d — толщина диэлектрической оболочки, HP – коэрцитивное поле при T = 5 К, найденное из магниторезистивных измерений в поле \|\|H , HС — коэрцитивная сила при T = 293 К, Mmax — максимальная намагниченность образца при T = 5 К в поле 5 Тл, Amax — максимальная величина анизотропии МС Low Temperature Physics/Фізика низьких температур, 2018, т. 44, № 11 1511 http://www.chem.spbu.ru/inorganic-chemistry-department.html http://www.chem.spbu.ru/inorganic-chemistry-department.html Н.В. Далакова, Е.Ю. Беляев, А. Блудов, В.А. Горелый, О.М. Осмоловская, М.Г. Осмоловский добавок, количество и вид которых определяют заро- дышеобразование, рост, размеры и форму частиц [6,7]. Синтез проводили в автоклаве из нержавеющей стали при давлении 32 МПа при температуре Т, не превы- шающей 330 °C. Роль добавок при синтезе — создание зародышевых частиц абсолютно другого состава, но со структурой, как у диоксида хрома, и с параметрами ре- шетки, отличными от диоксида хрома до 5%. В присут- ствии добавок из упомянутого раствора впрямую (без примеси «промежуточных» оксидов хрома) идет обра- зование диоксида хрома на зародышевых инородных частицах — гетероэпитаксиальный процесс кристалли- зации. Создаются эти зародыши за счет образования смешанных оксидов со структурой типа рутила или трирутила, которые содержат хром(3) или молибден(6) (в скобках — валентность) и т.д. Эти фазы образуются в области температур Т = 140–200 °С, и их можно по- следовательно наращивать одну на другую, доводя раз- мер зародыша до оптимального. Сам диоксид хрома начинает образовываться (на зародышах) при Т = 220– 230 °С и заканчивает при Т = 320–350 °С, в зависимости от количества воды. В момент окончания синтеза в ав- токлаве имеется диоксид хрома, в который включены частицы зародышей, а также вода в виде пара и жидко- сти. На этой стадии синтеза частицы CrO2 покрыты ес- тественным деградированным слоем, состоящим из смеси аморфного β–CrOOH и некоторого количества окклюдированной хромовой кислоты. Эти соединения образуются при взаимодействии диоксида хрома и па- ров воды в ходе охлаждения препарата в автоклаве. Деградированный поверхностный слой частицы CrO2, хотя и довольно рыхлый, уже обеспечивает тун- нелирование электронов. Полученный таким образом порошок служит исходным материалом для приготов- ления других порошков посредством термической и химической обработки. Дальнейшие стадии синтеза заключались в следующем. Часть полученного исход- ного порошка прогревали на воздухе при Т = 320 °C, в результате чего содержание β–CrOOH и хромовой ки- слоты резко уменьшалось за счет их взаимодействия друг с другом с образованием CrO2 и за счет окисления β–CrOOH до CrO2 кислородом воздуха. В конечном итоге поверхностный слой состоял практически только из CrO2 (эта стадия обработки называется обогащени- ем). Далее часть порошка была обработана раствором восстановителя [7], в результате чего частицы были покрыты стабилизирующим плотным слоем кристал- лического орторомбического β–CrOOH (стадия стаби- лизации). Стадия стабилизации, за счет изменения со- става поверхностного слоя, приводит к образованию на поверхности частиц плотной, хорошо защищающей от внешней среды диэлектрической неферромагнитной оболочки β–CrOOH. Образующаяся в процессе стаби- лизации диэлектрическая оболочка не имеет пор. Тол- щина диэлектрической оболочки определяется концен- трацией компонентов раствора восстановителя. По- рошки № 1, 2, 3, 5, 6 имели диэлектрическую оболочку β–CrOOH, полученную по этой технологии (см. табл. 1). Прокаливание при T = 270 °С в потоке гелия превра- щает оксигидроксидную оболочку в оксидную (Cr2O3). Эта процедура была применена для части исходного порошка после стадий обогащения и стабилизации. Полученный в результате материал был назван порош- ком № 4. Синтез порошка № 6 проводили обычным об- разом. В данном случае в качестве модифицирующих добавок использованы H6TeO6, SnO2·nH2O. Продуктом гидротермального синтеза в присутствии соединений железа является твердый раствор Cr1–xFexO2. Кроме того, в порошке № 6 методом рентгенофлуоресцентного ана- лиза регистрируется примесь (Cr1–xFex)2O3. Первое со- единение обеспечивает высокую коэрцитивную силу. Вторая фаза балластная. Она присутствует в виде от- дельных малых частиц. Эти частицы антиферромагнит- ны или имеют намагниченность на два порядка ниже, чем у CrO2. Фаза (Cr1–xFex)2O3 не дает вклада в прово- димость. Концентрация железа меняется по толщине частицы, на поверхности она существенно выше, по- этому перемагничивание контролируется составом по- верхности. В работе [8] методом мессбауэровской спек- троскопии на атомах 57Fe было установлено, что ионы Fe3+ в порошках диоксида хрома присутствуют также в оксигидроксиде хрома β–CrOOH, который входит в со- став диэлектрической оболочки. В образцах № 5 и № 6 частицы не содержат специ- ально сконструированной оболочки. Частицы этих по- рошков имеют естественную деградированную аморф- ную оболочку β–CrOOH. Из полученных порошков посредством холодного прессования были сформированы таблетки, имеющие форму параллелепипедов с размерами 3×5×12 мм. Плотность таблеток составляла примерно 40% от рент- геновской плотности материала в случае игольчатых частиц, и примерно 60% от рентгеновской плотности в случае округленных частиц. Более сильное прессова- ние производится обычно, если частицы имеют слабо выраженную анизотропию формы. Игольчатые части- цы CrO2 представляют собой монокристаллические образования, в большинстве своем состоящие из двух доменов, разориентированных на небольшой угол α. Вектор, направленный вдоль длины игольчатой части- цы, примерно совпадает с направлением тетрагональ- ной оси c, являющейся осью легкого намагничивания. При прессовании таблеток частицы, имеющие игольча- тую форму, преимущественно ориентируются в плоско- стях, перпендикулярных приложенной нагрузке. При этом ориентация частиц в плоскостях может быть до- вольно беспорядочной. Таким образом, для порошков с игольчатыми частицами имеется выделенное направле- ние (параллельное вектору приложенной нагрузки или оси прессования), в котором среднее расстояние между 1512 Low Temperature Physics/Фізика низьких температур, 2018, т. 44, № 11 Анизотропное туннельное магнитосопротивление прессованных нанопорошков диоксида хрома частицами существенно меньше, чем между частицами, лежащими в плоскости прессования. Тяжелая ось на- правлена вдоль оси прессования. Средние размеры частиц определяли по электрон- ным микрофотографиям. Обычно это делалось для 30 частиц. Затем рассчитывали средние арифметические размеры. Разброс показаний составлял не более 4–5%. Например, для среднего диаметра игольчатых частиц получено значение (22,9 ± 0,8) нм. Иногда измерения проводили для большего числа частиц (до 400). Разница данных по сравнению с использованием 30 частиц со- ставляла не более 5%. Толщины диэлектрических про- слоек определялись как непосредственно (с помощью просвечивающего электронного микроскопа высокого разрешения), так и косвенным образом, например по расходу реагентов при образовании диэлектрических слоев или по удельной намагниченности. Порошки были протестированы электронно-микро- скопическим, рентгеновским и магнитным методами. Найденные параметры решетки игольчатых частиц (a = = 0,4424 нм, c = 0,2916 нм для решетки типа рутила) соответствуют известным данным для чистого CrO2 [4]. Микрофотографии двух порошков, полученные в про- свечивающем электронном микроскопе, показаны на рис. 1. Магнитные свойства порошков были измерены на вибрационном (77 Гц) и SQUID (Quantum Design) магнитометрах. Резистивные измерения всех порошков CrO2 прово- дили по четырехзондовой схеме в режиме заданного тока в области выполнения закона Ома. Измерительный ток I = 100 мкА. Образцы имели форму параллелепипе- дов размерами 3×5×12 мм. При измерении температур- ной зависимости сопротивления ток пропускался вдоль максимальной длины образца в плоскости прессования. Расстояние между потенциальными контактами состав- ляло ≈ 8 мм. Для регистрации напряжения и тока ис- пользовались нановольтметр Keithley-2182 и мульти- метры Keithley-2000. Температурная зависимость сопро- тивления снималась при нагреве образца после его охлаждения до гелиевой температуры в нулевом магнит- ном поле при выключенном токе. Гистерезисные кривые МС записывали согласно обычному протоколу записи гистерезисных циклов намагниченности после ввода поля до максимального значения Hmax (≈ 1,2–1,4 Тл). Запись гистерезисных кривых проводилась в последовательно- сти + Hmax → 0 → – Hmax → 0 → + Hmax → 0, что анало- гично измерениям гистерезисных кривых намагничен- ности. При записи гистерезисных кривых МС скорость ввода магнитного поля составляла dH/dt = 0,021 Тл/с. 3. Результаты исследований Примеры температурных зависимостей намагни- ченностей, записанные в режимах ZFC и FC, показаны на рис. 2. Для определения температуры Кюри были использованы FC зависимости M(T). Процедура опре- деления M(T) описана в [9]. Температура Кюри порош- ков CrO2 составила около 390 К. Для порошка с при- месью железа (порошок № 6) температура Кюри оказалась несколько выше (TС = (414 ± 5) К). На рис. 3 и 4 показаны температурные зависимости удельного сопротивления пяти образцов. Наибольшим сопротивлением обладал образец № 1 с наибольшей толщиной межгранульных прослоек (3,6 нм). Зависи- мость ( )Tρ для этого образца близка к экспоненциаль- ной (рис. 3), однако точный функциональный вид этой зависимости определить не удалось. Для образцов с Рис. 1. Типичные микроснимки двух порошков, полученные в просвечивающем электронном микроскопе: округленные частицы (а); игольчатые частицы (б). (а) (б) Рис. 2. Типичные примеры температурной зависимости на- магниченности, записанные в режимах ZFC и FC в поле H = 100 Э. Номера кривых M(T) соответствуют номерам об- разцов в табл. 1. Low Temperature Physics/Фізика низьких температур, 2018, т. 44, № 11 1513 Н.В. Далакова, Е.Ю. Беляев, А. Блудов, В.А. Горелый, О.М. Осмоловская, М.Г. Осмоловский игольчатыми и призматическими частицами CrO2 за- висимость ( )Tρ при T ≤ 50 К соответствует закону Мотта прыжковой проводимости с переменной длиной прыжка для 3D систем: 1/4 0 0exp( / )T Tρ ≈ ρ . Выполне- ние закона Мотта указывает на то, что туннелирование осуществляется через цепочку локализованных со- стояний вблизи уровня Ферми в туннельном барьере. Источником локализованных состояний могут быть примеси, различного рода дефекты структуры внутри диэлектрического барьера, а также дефекты структуры на границе раздела металл–диэлектрик. При T > 50 К наблюдается отклонение от закона Мотта, и при даль- нейшем повышении температуры (при T ≥ 144 К) про- исходит переход к термически активированному тун- нелированию: начинает выполняться закон Аррениуса 0 0exp( / )T Tρ ≈ ρ (рис. 4). Исключение составляет об- разец № 5. Однако и для этого образца при T ≥ 200 К сопротивление уменьшается с повышением температу- ры гораздо быстрее, чем при T < 200 К. Экспериментальные зависимости ( )Tρ , представ- ленные на рис. 3 для пяти образцов, показывают, что уменьшение толщины диэлектрического покрытия частиц приводит к уменьшению сопротивления (росту проводимости). Исключение из этого правила состав- ляет только образец № 6. Эти результаты соответству- ют выводам работы [1], в которой подробно рассмат- ривалось влияние толщины диэлектрических прослоек на туннельное сопротивление и туннельное МС по- рошков диоксида хрома. Существенно более низкие значения ρ(T) образцов № 5 и № 6 объясняются как более тонким диэлектрическим покрытием частиц, так и возможной неоднородностью толщины нестабилизи- рованных аморфных оболочек β–CrOOH. В прессован- ных порошках диэлектрические прослойки не облада- ют строго одинаковой толщиной. Имеет место определенный статистический и, соответственно, про- странственный разброс этих величин. В результате часть межгранульных контактов может представлять собой слабые барьеры, для прохождения которых не нужно активированное туннелирование. Не исключено также наличие прямых электрических межгранульных контактов («закороток»). В случае достаточно тонких прослоек β–CrOOH неоднородность прослоек по тол- щине может приводить к образованию изолированных перколяционных каналов (цепочек), состоящих из по- следовательности металлических гранул CrO2 со сла- быми барьерами с неактивированным туннелировани- ем или просто металлическими «закоротками». В этом Рис. 3. Температурные зависимости удельного сопротивле- ния нескольких прессованных порошков CrO2, построенные в координатах Мотта. Номера кривых ρ(T) соответствуют номерам образцов в табл. 1. Рис. 4. Температурные зависимости удельного сопротивле- ния прессованных порошков CrO2 в области высоких темпе- ратур. Номера кривых ρ(T) соответствуют номерам образцов в табл. 1. 1514 Low Temperature Physics/Фізика низьких температур, 2018, т. 44, № 11 Анизотропное туннельное магнитосопротивление прессованных нанопорошков диоксида хрома случае общая проводимость определяется как туннель- ной проводимостью между ферромагнитными гранула- ми, так и туннельной проводимостью между проводя- щими кластерами, состоящими из последовательности частиц CrO2. Это приводит к уменьшению полного сопротивления кооперативной системы туннельных контактов. Более низкие, чем у образца № 5, значения ρ(T) образца № 6, по-видимому, связаны с образовани- ем в туннельном барьере дополнительных локализо- ванных состояний на примесях железа. Магниторезистивные измерения, выполненные с ис- пользованием вращающегося магнита Капицы, обнару- жили сильную зависимость величины МС, ( ) / (0)R H R∆ = [ ( ) (0)] / (0)R H R R= − , от ориентации магнитного поля относительно плоскости образца или плоскости прессо- вания. Пример такой зависимости демонстрируют гис- терезисные кривые туннельного МС порошка № 2, за- писанные при температуре T = 4,3 К для разных нап- равлений магнитного поля (см. рис. 5). Как видно на рис. 5, наибольших значений отрицательное ( )R H∆ дос- тигает в малых полях H ≤ 0,2 Тл при продольной ориен- тации магнитного поля относительно плоскости образца ( \|\|H , угол ϕ = 0 º, 180 º). В этом случае максимальная ве- личина \|\|( ) / (0)R H R∆ в поле 0,16 Тл составляет 36%. Наименьшие значения ( ) / (0)R H R∆ соответствуют попе- речной ориентации поля относительно плоскости образца (H⊥ , ϕ = 90 º, 270 º). Эта закономерность отчетливо прослеживается на графиках зависимости ( , ) / (0)iR H R∆ φ (рис. 6). Таким образом, образец № 2 демонстрирует анизотропное отрицательное туннельное МС. Согласно данным, представленным на рис. 5, максимальная веро- ятность туннелирования носителей для этого образца достигается при продольной ориентации магнитного поля за счет того, что затраты на намагничивание вдоль плоскости образца минимальны. Немонотонная зависимость ( )R H∆ на рис. 5 в воз- растающем поле связана с перколяционным характером низкотемпературной проводимости [1]. Увеличение внешнего магнитного поля понижает потенциальные барьеры между ФМ гранулами и приводит к удлине- нию проводящих цепочек-кластеров с пониженной энергией активации [10]. В результате происходит рез- кий рост отрицательного МС в малых полях. Однако процесс увеличения протяженности кластеров посте- пенно изменяет соотношение между внешним магнит- ным полем, полем анизотропии и полем диполь- дипольного взаимодействия [11]. При H = H(∆Rmax) размагничивающий фактор становится сильнее дейст- вия внешнего поля и МС начинает уменьшаться. При температурах T ≥ 8 К эффект уменьшения МС с ростом поля исчезает. Впервые анизотропия МС прессованных порошков CrO2 была обнаружена нами в работе [1]. Анизотропия \|\|[ ( ) ( )] / (0)A R H R H R⊥= − в [1] существенно превыша- ла характерную величину анизотропии объемных фер- ромагнетиков (∼ 1%), обусловленную спин-орбитальным взаимодействием [12]. Это дает основание предполо- жить существование и других вкладов в анизотропию МС порошков CrO2. В частности, несмотря на то, что гранулированные прессованные порошки изотропны, на микроуровне может иметь место анизотропия свойств, Рис. 5. (Онлайн в цвете) Гистерезисные кривые туннельного МС порошка № 2 при разных направлениях магнитного поля относительно плоскости образца и тока. Ток I = 100 мкА направлен в плоскости образца вдоль длинной его оси. T = 4,3 К. Направление магнитного поля относительно на- правления тока указано на рисунке. Стрелки показывают направление ввода и вывода магнитного поля. Рис. 6. Зависимость туннельного МС порошка № 2 от угла между направлением магнитного поля и плоскостью образца в разных магнитных полях. T = 4,3 К. I = 100 мкА направлен вдоль плоскости образца в направлении его длинной оси. Low Temperature Physics/Фізика низьких температур, 2018, т. 44, № 11 1515 Н.В. Далакова, Е.Ю. Беляев, А. Блудов, В.А. Горелый, О.М. Осмоловская, М.Г. Осмоловский связанная с формированием магнитной текстуры. Из- вестно, что магнитная текстура часто является следст- вием кристаллографической текстуры. В поликристал- лах кристаллографическая текстура возникает при кристаллизации или пластической деформации. В по- рошковых материалах текстура может возникать в ре- зультате прессования в магнитном поле. Чтобы выяс- нить природу обнаруженной в [1] анизотропии МС, в настоящей работе было измерено туннельное МС не- скольких образцов CrO2 с наночастицами разной фор- мы и разного размера. Измерения МС проводились при продольной и поперечной ориентации магнитного по- ля относительно плоскости образца. Результаты низко- температурных измерений гистерезиса МС порошков CrO2 с наночастицами округленной и игольчатой или призматической формы представлены на рис. 7 и 8. Геометрия измерений показана на вставках к рисун- кам. Хорошо видно, что для кривых ввода магнитного поля в полях H < 1,5 Тл выполняется неравенство \|\|( ) ( )R H R H⊥∆ > ∆ . Это неравенство нарушается только для порошка № 1 при H > 0,25 Тл (рис. 7). В последнем случае разница \|\|( ) ( )R H R H⊥∆ − ∆ находится в преде- лах погрешности эксперимента. Наиболее заметные различия между \|\|( )R H∆ и ( )R H⊥∆ наблюдаются для порошков с игольчатыми или призматическими части- цами в достаточно малых полях H < 0,2 Тл (рис. 7(б), 8(б), 8(в)). Максимальная величина анизотропии МС (Amax) порошков № 2–6 в несколько раз превышает анизотропию МС порошка № 1 с округленными части- цами (см. табл. 1). Характерно, что зависимость анизо- тропии A(H) от магнитного поля немонотонна и корре- лирует с поведением намагниченности ( )M H . Увели- чение анизотропии A(H) с ростом поля в малых полях сменяется ее уменьшением, и при дальнейшем увели- чении поля анизотропия стремится к небольшой по- стоянной величине (см. рис. 9 и 10). Намагниченность CrO2, как известно, резко возрастает с ростом поля в результате усиления спиновой поляризации в сравни- тельно слабых полях (H < 0,2 Тл), а затем быстро дос- тигает насыщения. Изменение производной dM(H)/dH на рис. 9 и 10 отражает поведение намагниченности. Согласованное изменение функций A(H), ( )M H и dM(H)/dH указывает на то, что анизотропия туннельно- го МС порошков CrO2 может быть следствием магнит- ной анизотропии. Считается, что в изотропных мате- риалах магнитная анизотропия в макромасштабе не Рис. 7. (Онлайн в цвете) Гистерезисы туннельного МС прессо- ванных порошков CrO2, записанные в поле H⊥ I при T = 5,21 К: порошок № 1 с округленными частицами (а), порошок № 4 с игольчатыми частицами (б). Ориентация тока и магнитного поля показана на вставке рис. 7(а). I = 100 мкА. Рис. 8. (Онлайн в цвете) Гистерезисы туннельного МС прес- сованных порошков CrO2, записанные при T = 4,2 К: поро- шок № 1 с округленными частицами (а), порошок № 5 (б), порошок № 6 (в), Ориентация тока и магнитного поля пока- зана на вставке рис. 8(а). I = 100 мкА. 1516 Low Temperature Physics/Фізика низьких температур, 2018, т. 44, № 11 Анизотропное туннельное магнитосопротивление прессованных нанопорошков диоксида хрома проявляется. Однако магнитные измерения образца № 3, выполненные в продольном и поперечном поле, показа- ли, что при низких температурах удельная намагничен- ность M(T) и скорость намагничивания (dM(H)/dH) в малых полях больше в продольном поле (см. рис. 11 и рис. 12). Необходимо, однако, отметить, что обнару- женная анизотропия магнитных свойств не отражает симметрию решетки CrO2, и поэтому она не совпадает с естественной магнитокристаллической анизотропией монокристаллического CrO2. Подобного рода магнитная анизотропия называется наведенной. Наведенная анизо- тропия, как правило, возникает в процессе приготовления и обработки материала и зависит от ряда технологиче- ских факторов. Выявление этих факторов представляет практический интерес. Зная индуцирующие анизотро- пию факторы, можно управлять константами анизотро- пии, магнитными и магниторезистивными параметрами. 4. Обсуждение результатов Рассмотрим возможные технологические причины анизотропии туннельного МС прессованных порошков CrO2. Прежде всего, необходимо учесть влияние спин- орбитального взаимодействия. При измерении гисте- резиса туннельного МС образцов № 1 и № 4 (рис. 7) ток был направлен перпендикулярно магнитному по- лю, как при продольной, так и при поперечной ориен- тации поля H, поэтому вклад спин-орбитального взаи- модействия в полную анизотропию МС образцов № 1 и № 4 при 5,21 К можно считать пренебрежимо малым. В геометрии, показанной на вставке к рис. 8, неболь- шой вклад в МС от спин-орбитального взаимодействия имел место только при поперечной ориентации маг- нитного поля. В этом случае полная анизотропия МС образцов № 1, 5 и 6 (см. рис. 10) включает вклад и от спин-орбитального взаимодействия. Однако макси- мальная величина A(H) этих образцов многократно превышает спин-орбитальный вклад (~ 1%). Таким образом, анизотропию туннельного МС прессованных порошков CrO2 невозможно объяснить влиянием толь- ко спин-орбитального взаимодействия. Магниторези- стивные характеристики, записанные при разной ори- ентации магнитного поля (рис. 7–10), а также пред- ставленные в табл. 1 численные данные величины Amax(H), показывают, что для порошков CrO2 сущест- венный фактор, влияющий на величину анизотропии МС — анизотропия формы наночастиц. Роль анизо- Рис. 9. Зависимость анизотропии \|\|[ ( ) ( )] / (0)A R H R H R⊥= − (левая ось ординат) и производной намагниченности по полю dM/dH (правая ось ординат) от магнитного поля H при T = 5,21 К: порошок № 1 (а), порошок № 4 (б). Значения A рассчитывались по данным рис. 7. При измерении намагни- ченности магнитное поле было направлено в плоскости об- разца. Рис. 10. Зависимость анизотропии \|\|[ ( ) ( )] / (0)A R H R H R⊥= − (левая ось ординат) и производной намагниченности по полю dM/dH (правая ось ординат) от магнитного поля H при T = 4,2 К: порошок № 1 (а), порошок № 5 (б), порошок № 6 (в). Значения A рассчитывались по данным рис. 8. При измере- нии намагниченности магнитное поле было направлено в плоскости образца. Low Temperature Physics/Фізика низьких температур, 2018, т. 44, № 11 1517 Н.В. Далакова, Е.Ю. Беляев, А. Блудов, В.А. Горелый, О.М. Осмоловская, М.Г. Осмоловский тропии формы наночастицы в возникновении анизо- тропии МС рассматривалась нами ранее в работе [1]. На основании косвенных данных в [1] был сделан вы- вод о формировании магнитной текстуры в порошках, состоящих из игольчатых частиц. Поскольку при фор- мировании магнитной текстуры происходит преиму- щественная ориентация осей лёгкого намагничивания ферромагнитного материала в определенном направ- лении, это приводит к анизотропии его магнитных и магниторезистивных свойств. Данные электронно- микроскопических исследований наших порошков по- казывают, что игольчатые (и призматические) частицы CrO2 преимущественно ориентировались в плоскости образца. При такой ориентации частиц проекция лег- кой оси c на направление внешнего магнитного поля существенно больше в продольном поле \|\|H , что при- водит к более высокому значению спонтанной намаг- ниченности M в этом направлении. Таким образом, наблюдаемая магнитная анизотропия образцов № 2–6 в настоящей работе может быть результатом формиро- вания магнитной текстуры в процессе прессования порошков. В то же время мы наблюдаем и довольно заметную анизотропию МС порошка, состоящего из сферических частиц (порошок № 1): Amax ≈ –2,7 при 5,1 К и –6,4 при 4,2 К. Отсюда следует, что механизм возникновения анизотропии МС прессованных порош- ков до конца не ясен. Можно предположить, что в связи с более высокой плотностью прессованных порошков в направлении оси прессования процессы намагничивания и перемаг- ничивания в этом направлении могут быть затруднены. По этой причине общая спиновая поляризация образ- цов вдоль оси прессования оказывается ниже, чем в поперечном направлении. Это приводит к более высо- кому значению сопротивления и к более низкому зна- чению отрицательного МС как для порошков с иголь- чатыми частицами, так и для порошков с округлен- ными частицами. Важный результат — зависимость величины A(H) от скорости намагничивания dM/dH (рис. 9,10). Эта зави- симость означает, что скорость изменения МС с маг- нитным полем ( ( )) /d R H dH∆ зависит от скорости на- магничивания dM/dH в данном направлении (рис. 13). Примечательно, что поле максимума [ \|\|( ) / ]d R H dH∆ совпадает с полем максимума [ \|\| max \|\|( ) / ] : ( )dM H dH H = 0,1 Тл.= Отсюда следует, что величина МС и характер изменения МС в магнитном поле полностью отражают поведение намагниченности. Рис. 11. Температурные зависимости удельной намагниченно- сти порошка № 3, записанные в поле 100 Э в режиме ZFC (а) и FC (б). Темные точки соответствуют случаю продольной ориентации поля относительно плоскости образца ( \|\|H ), свет- лые точки соответствуют поперечной ориентации поля ( ).H⊥ Рис. 12. (Онлайн в цвете) Гистерезисные петли намагничен- ности порошка № 3 при T = 5 К. \|\|H — магнитное поле ориен- тировано в плоскости образца, H⊥ — магнитное поле ориен- тировано перпендикулярно плоскости образца. 1518 Low Temperature Physics/Фізика низьких температур, 2018, т. 44, № 11 Анизотропное туннельное магнитосопротивление прессованных нанопорошков диоксида хрома 5. Выводы Проведенные исследования показали следующее. 1. Прессованные порошки CrO2 обладают наведен- ной магнитной анизотропией. 2. Основной причиной магнитной анизотропии в исследованных образцах CrO2 является магнитная тек- стура, которая формируется при прессовании частиц с анизотропией формы. 3. Величина анизотропии МС связана с различием в скорости намагничивания образца вдоль оси легкого намагничивания и перпендикулярно этой оси. 4. Величину спиновой поляризации и, следователь- но, величину туннельного МС прессованных порошков можно контролировать как путём изменения анизотро- пии формы частиц, так и изменением направления магнитного поля относительно оси прессования. _______ 1. Н.В. Далакова, Б.И. Белевцев, Е.Ю. Беляев, А.Н. Блудов, В.Н. Пащенко, М.Г. Осмоловский, О.М. Осмоловская, ФНТ 38, 1422 (2012) [Low Temp. Phys. 38, 1121 (2012). 2. S.P. Lewis, P.B. Allen, and T. Sasaki, Phys. Rev. B 55, 10253 (1997). 3. M. Ziese, Rep. Prog. Phys. 65, 143 (2002). 4. J.M.D. Coey and M. Venkatesan, J. Appl. Phys. 91, 8345 (2002). 5. J.M.D. Coey, A.E. Berkowitz, Ll. Balcells, F.F. Putris, and A. Barry, Phys. Rev. Lett. 80, 3815 (1998). 6. М.Г. Осмоловский, И.И. Кожина, Л.Ю. Иванова, О.Л. Байдакова, Журн. прикл. химии 74, 3 (2001). 7. B.I. Belevtsev, N.V. Dalakova, M.G. Osmolowsky, E.Yu. Beliayev, and A.A. Selutin, J. Alloys Comp. 479, 11 (2009). 8. С.И. Бондаревский, В.В. Еремин, В.В. Панчук, В.Г. Семенов, М.Г. Осмоловский, ФТТ 68, 77 (2016). 9. Ю.А. Колесниченко, Н.В. Далакова, Е.Ю. Беляев, А.Н. Блудов, В.А. Горелый, О.М. Осмоловская, М.Г. Осмоловский, ФНТ 43, 772 (2017) [Low Temp. Phys. 43, 617 (2017)]. 10. S. Ju, T.-Y. Cai, and Z.Y. Li, Appl. Phys. Lett. 87, 172504 (2005). 11. S. Sankar, A.E. Berkowitz, and D.J. Smith, Phys. Rev. B 62, 14273 (2000). 12. J.M.D. Coey, J. Appl. Phys. 85, 5576 (1999). ___________________________ Анізотропний тунельний магнітоопір пресованих нанопорошків діоксиду хрому Н.В. Далакова, Е.Ю. Біляєв, О.М. Блудов, В.О. Горєлий, О.М. Осмоловська, М.Г. Осмоловський Досліджено резистивні, магніторезистивні та магнітні властивості нанопорошків діоксиду хрому CrO2. Порошки складалися або з сферичних, або з голчастих наночастинок. Рис. 13. (Онлайн в цвете) Зависимости от магнитного поля производных [ ( ) / (0)] /d R H R dH∆ (а) и dM/dH (б) для образца № 3. \|\|H — поле направлено вдоль плоскости образца, H⊥ — поле направлено перпендикулярно плоскости образца. T = 5 К. Low Temperature Physics/Фізика низьких температур, 2018, т. 44, № 11 1519 https://doi.org/10.1063/1.4770508 https://doi.org/10.1103/PhysRevB.55.10253 https://doi.org/10.1088/0034-4885/65/2/202 https://doi.org/10.1063/1.1447879 https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.80.3815 https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2008.12.082 http://dx.doi.org/10.1063/1.4985216 https://doi.org/10.1063/1.2084318 https://doi.org/10.1103/PhysRevB.62.14273 https://doi.org/10.1063/1.369899 Н.В. Далакова, Е.Ю. Беляев, А. Блудов, В.А. Горелый, О.М. Осмоловская, М.Г. Осмоловский Наночастинки були покриті діелектричними оболонками різного складу та різної товщини. Для всіх порошків було виявлено анізотропію тунельного магнітоопору. Показано, що анізотропія тунельного магнітоопору порошків CrO2 по- в'язана з формуванням наведеної магнітної текстури і визна- чається різницею в швидкості намагнічування зразка вздовж і перпендикулярно площині пресування порошків. Ключові слова: половинні метали, діоксид хрому, гранульо- вані магнітні матеріали, тунельний магнітоопір, магнітна анізотропія. Anisotropic tunnel magnetoresistance of pressed nanopowders of chromium dioxide N.V. Dalakova, E.Yu. Belyaev, O.M. Bludov, V.A. Gorelyi, O.M. Osmolovskaya, and M.G. Osmolovskiy Resistive, magnetoresistive and magnetic properties of chro- mium dioxide nanopowders CrO2 are investigated. The powders consisted of either spherical or needle-shaped nanoparticles. The nanoparticles were covered with dielectric shells of different composition and thickness. Anisotropy of the tunnel magnetoresistance was observed for all the powders. It is shown that the anisotropy of the tunnel magnetoresistance of CrO2 pow- ders is explained by the formation of an induced magnetic texture and is determined by the difference in the magnetization rate of the sample along and perpendicular to the plane of compaction of the powders. Keywords: half metals, chromium dioxide, granular magnetic materials, tunnel magnetoresistance, magnetic anisotropy. 1520 Low Temperature Physics/Фізика низьких температур, 2018, т. 44, № 11 1. Введение 2. Синтез, методики приготовления и исследования образцов 3. Результаты исследований 4. Обсуждение результатов 5. Выводы

Анизотропное туннельное магнитосопротивление прессованных нанопорошков диоксида хрома

Репозитарії

Схожі ресурси