Berry phase in strained InSb whiskers

Strain influence on the longitudinal magnetoresistance for the n-type conductivity InSb whiskers doped by Sn to concentrations 6·10¹⁶–6·10¹⁷ сm⁻³ were studied at temperatures from 4.2 to 50 K and magnetic field up to 10 T. The Shubnikov–de Haas oscillations at low temperatures were revealed in the...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Физика низких температур
Date:2018
Main Authors: Druzhinin, A., Ostrovskii, I., Khoverko, Yu., Liakh-Kaguy, N., Rogacki, K.
Format: Article
Language:English
Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2018
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176492
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Berry phase in strained InSb whiskers/ A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Khoverko, N. Liakh-Kaguy, K. Rogacki // Физика низких температур. — 2018. — Т. 44, № 11. — С. 1521-1527. — Бібліогр.: 27 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-176492
record_format dspace
spelling Druzhinin, A.
Ostrovskii, I.
Khoverko, Yu.
Liakh-Kaguy, N.
Rogacki, K.
2021-02-04T19:30:27Z
2021-02-04T19:30:27Z
2018
Berry phase in strained InSb whiskers/ A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Khoverko, N. Liakh-Kaguy, K. Rogacki // Физика низких температур. — 2018. — Т. 44, № 11. — С. 1521-1527. — Бібліогр.: 27 назв. — англ.
0132-6414
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176492
Strain influence on the longitudinal magnetoresistance for the n-type conductivity InSb whiskers doped by Sn to concentrations 6·10¹⁶–6·10¹⁷ сm⁻³ were studied at temperatures from 4.2 to 50 K and magnetic field up to 10 T. The Shubnikov–de Haas oscillations at low temperatures were revealed in the strained and unstrained samples with all range doping concentration. Some peaks of the longitudinal magnetoresistance split as a doublet in the InSb whiskers with doping concentration in the vicinity to metal-insulator transition. Taking into account peak splitting giant g-factor from 30 to 60 was defined for strained and unstrained samples. The magnetoresistance oscillation period of the InSb whiskers doesn’t differ under strain for all doping concentration, but Fermi energy increases and electron effective mass mс decreases and consists 0.02 m₀. Berry phase presence was also revealed in strained n-InSb whiskers that shows their transition under a strain to topological insulator phase.
Досліджено вплив деформації на поздовжній магнітоопір ниткоподібних кристалів InSb з провідністю n-типу, легованих оловом в концентраціях 6·10¹⁶–6·10¹⁷ сm⁻³ , при температурах від 4,2 до 50 К та магнітних полях до 10 Тл. При низьких температурах осциляції Шубнікова–де Гааза виявлено в деформованих й недеформованих зразках у всьому діапазоні концентрацій допування. Деякі піки поздовжнього магнітоопору розщеплюються в дублети в ниткоподібних кристалах InSb з концентрацією допанта, близькою до переходу метал–ізолятор. Беручи до уваги розщеплення піків, для деформованих та недеформованих зразків визначено гігантський g-фактор від 30 до 60. Період осциляцій магнітоопору ниткоподібних кристалів InSb не змінюється в деформованому стані для всіх концентрацій допанта, але енергія Фермі зростає, а ефективна маса електрона mс зменшується і становить 0,02 m₀. Присутність фази Беррі було також виявлено в деформованих ниткоподібних кристалах n-InSb, які демонстрували перехід в фазу топологічного ізолятора під дією деформації.
Исследовано влияние деформации на продольное магнитосопротивление нитевидных кристаллов InSb с проводимостью n-типа, легированных оловом в концентрациях 6·10¹⁶–6·10¹⁷ сm⁻³ , при температурах от 4,2 до 50 К и магнитных полях до 10 Тл. При низких температурах осцилляции Шубникова–де Гааза обнаружены в деформированных и недеформированных образцах во всем диапазоне концентраций допирования. Некоторые пики продольного магнитосопротивления расщепляются в дублеты в нитевидных кристаллах InSb с концентрацией допанта, близкой к переходу металл– изолятор. Принимая во внимание расщепление пиков, для деформированных и недеформированных образцов определен гигантский g-фактор от 30 до 60. Период осцилляций магнитосопротивления нитевидных кристаллов InSb не изменяется в деформированном состоянии для всех концентраций допанта, но энергия Ферми возрастает, а эффективная масса электрона mс уменьшается и составляет 0,02 m₀. Присутствие фазы Берри было также обнаружено в деформированных нитевидных кристаллах n-InSb, которые демонстрировали переход в фазу топологического изолятора под действием деформации.
en
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Низькотемпературний магнетизм
Berry phase in strained InSb whiskers
Фаза Беррі в деформованих ниткоподібних кристалах InSb
Фаза Берри в деформированных нитевидных кристаллах InSb
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Berry phase in strained InSb whiskers
spellingShingle Berry phase in strained InSb whiskers
Druzhinin, A.
Ostrovskii, I.
Khoverko, Yu.
Liakh-Kaguy, N.
Rogacki, K.
Низькотемпературний магнетизм
title_short Berry phase in strained InSb whiskers
title_full Berry phase in strained InSb whiskers
title_fullStr Berry phase in strained InSb whiskers
title_full_unstemmed Berry phase in strained InSb whiskers
title_sort berry phase in strained insb whiskers
author Druzhinin, A.
Ostrovskii, I.
Khoverko, Yu.
Liakh-Kaguy, N.
Rogacki, K.
author_facet Druzhinin, A.
Ostrovskii, I.
Khoverko, Yu.
Liakh-Kaguy, N.
Rogacki, K.
topic Низькотемпературний магнетизм
topic_facet Низькотемпературний магнетизм
publishDate 2018
language English
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt Фаза Беррі в деформованих ниткоподібних кристалах InSb
Фаза Берри в деформированных нитевидных кристаллах InSb
description Strain influence on the longitudinal magnetoresistance for the n-type conductivity InSb whiskers doped by Sn to concentrations 6·10¹⁶–6·10¹⁷ сm⁻³ were studied at temperatures from 4.2 to 50 K and magnetic field up to 10 T. The Shubnikov–de Haas oscillations at low temperatures were revealed in the strained and unstrained samples with all range doping concentration. Some peaks of the longitudinal magnetoresistance split as a doublet in the InSb whiskers with doping concentration in the vicinity to metal-insulator transition. Taking into account peak splitting giant g-factor from 30 to 60 was defined for strained and unstrained samples. The magnetoresistance oscillation period of the InSb whiskers doesn’t differ under strain for all doping concentration, but Fermi energy increases and electron effective mass mс decreases and consists 0.02 m₀. Berry phase presence was also revealed in strained n-InSb whiskers that shows their transition under a strain to topological insulator phase. Досліджено вплив деформації на поздовжній магнітоопір ниткоподібних кристалів InSb з провідністю n-типу, легованих оловом в концентраціях 6·10¹⁶–6·10¹⁷ сm⁻³ , при температурах від 4,2 до 50 К та магнітних полях до 10 Тл. При низьких температурах осциляції Шубнікова–де Гааза виявлено в деформованих й недеформованих зразках у всьому діапазоні концентрацій допування. Деякі піки поздовжнього магнітоопору розщеплюються в дублети в ниткоподібних кристалах InSb з концентрацією допанта, близькою до переходу метал–ізолятор. Беручи до уваги розщеплення піків, для деформованих та недеформованих зразків визначено гігантський g-фактор від 30 до 60. Період осциляцій магнітоопору ниткоподібних кристалів InSb не змінюється в деформованому стані для всіх концентрацій допанта, але енергія Фермі зростає, а ефективна маса електрона mс зменшується і становить 0,02 m₀. Присутність фази Беррі було також виявлено в деформованих ниткоподібних кристалах n-InSb, які демонстрували перехід в фазу топологічного ізолятора під дією деформації. Исследовано влияние деформации на продольное магнитосопротивление нитевидных кристаллов InSb с проводимостью n-типа, легированных оловом в концентрациях 6·10¹⁶–6·10¹⁷ сm⁻³ , при температурах от 4,2 до 50 К и магнитных полях до 10 Тл. При низких температурах осцилляции Шубникова–де Гааза обнаружены в деформированных и недеформированных образцах во всем диапазоне концентраций допирования. Некоторые пики продольного магнитосопротивления расщепляются в дублеты в нитевидных кристаллах InSb с концентрацией допанта, близкой к переходу металл– изолятор. Принимая во внимание расщепление пиков, для деформированных и недеформированных образцов определен гигантский g-фактор от 30 до 60. Период осцилляций магнитосопротивления нитевидных кристаллов InSb не изменяется в деформированном состоянии для всех концентраций допанта, но энергия Ферми возрастает, а эффективная масса электрона mс уменьшается и составляет 0,02 m₀. Присутствие фазы Берри было также обнаружено в деформированных нитевидных кристаллах n-InSb, которые демонстрировали переход в фазу топологического изолятора под действием деформации.
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176492
citation_txt Berry phase in strained InSb whiskers/ A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Khoverko, N. Liakh-Kaguy, K. Rogacki // Физика низких температур. — 2018. — Т. 44, № 11. — С. 1521-1527. — Бібліогр.: 27 назв. — англ.
work_keys_str_mv AT druzhinina berryphaseinstrainedinsbwhiskers
AT ostrovskiii berryphaseinstrainedinsbwhiskers
AT khoverkoyu berryphaseinstrainedinsbwhiskers
AT liakhkaguyn berryphaseinstrainedinsbwhiskers
AT rogackik berryphaseinstrainedinsbwhiskers
AT druzhinina fazaberrívdeformovanihnitkopodíbnihkristalahinsb
AT ostrovskiii fazaberrívdeformovanihnitkopodíbnihkristalahinsb
AT khoverkoyu fazaberrívdeformovanihnitkopodíbnihkristalahinsb
AT liakhkaguyn fazaberrívdeformovanihnitkopodíbnihkristalahinsb
AT rogackik fazaberrívdeformovanihnitkopodíbnihkristalahinsb
AT druzhinina fazaberrivdeformirovannyhnitevidnyhkristallahinsb
AT ostrovskiii fazaberrivdeformirovannyhnitevidnyhkristallahinsb
AT khoverkoyu fazaberrivdeformirovannyhnitevidnyhkristallahinsb
AT liakhkaguyn fazaberrivdeformirovannyhnitevidnyhkristallahinsb
AT rogackik fazaberrivdeformirovannyhnitevidnyhkristallahinsb
first_indexed 2025-12-02T09:52:55Z
last_indexed 2025-12-02T09:52:55Z
_version_ 1850862185335488512