Berry phase in strained InSb whiskers
Strain influence on the longitudinal magnetoresistance for the n-type conductivity InSb whiskers doped by
 Sn to concentrations 6·10¹⁶–6·10¹⁷ сm⁻³ were studied at temperatures from 4.2 to 50 K and magnetic field up
 to 10 T. The Shubnikov–de Haas oscillations at low temperatures were...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 2018 |
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2018
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176492 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Berry phase in strained InSb whiskers/ A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Khoverko, N. Liakh-Kaguy, K. Rogacki // Физика низких температур. — 2018. — Т. 44, № 11. — С. 1521-1527. — Бібліогр.: 27 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862659697151049728 |
|---|---|
| author | Druzhinin, A. Ostrovskii, I. Khoverko, Yu. Liakh-Kaguy, N. Rogacki, K. |
| author_facet | Druzhinin, A. Ostrovskii, I. Khoverko, Yu. Liakh-Kaguy, N. Rogacki, K. |
| citation_txt | Berry phase in strained InSb whiskers/ A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Khoverko, N. Liakh-Kaguy, K. Rogacki // Физика низких температур. — 2018. — Т. 44, № 11. — С. 1521-1527. — Бібліогр.: 27 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Strain influence on the longitudinal magnetoresistance for the n-type conductivity InSb whiskers doped by
Sn to concentrations 6·10¹⁶–6·10¹⁷ сm⁻³ were studied at temperatures from 4.2 to 50 K and magnetic field up
to 10 T. The Shubnikov–de Haas oscillations at low temperatures were revealed in the strained and unstrained
samples with all range doping concentration. Some peaks of the longitudinal magnetoresistance split as a
doublet in the InSb whiskers with doping concentration in the vicinity to metal-insulator transition. Taking into account peak splitting giant g-factor from 30 to 60 was defined for strained and unstrained samples. The
magnetoresistance oscillation period of the InSb whiskers doesn’t differ under strain for all doping concentration, but Fermi energy increases and electron effective mass mс decreases and consists 0.02 m₀. Berry phase
presence was also revealed in strained n-InSb whiskers that shows their transition under a strain to topological
insulator phase.
Досліджено вплив деформації на поздовжній магнітоопір ниткоподібних кристалів InSb з провідністю n-типу,
легованих оловом в концентраціях 6·10¹⁶–6·10¹⁷ сm⁻³
, при
температурах від 4,2 до 50 К та магнітних полях до 10 Тл.
При низьких температурах осциляції Шубнікова–де Гааза
виявлено в деформованих й недеформованих зразках у
всьому діапазоні концентрацій допування. Деякі піки поздовжнього магнітоопору розщеплюються в дублети в
ниткоподібних кристалах InSb з концентрацією допанта,
близькою до переходу метал–ізолятор. Беручи до уваги
розщеплення піків, для деформованих та недеформованих
зразків визначено гігантський g-фактор від 30 до 60. Період
осциляцій магнітоопору ниткоподібних кристалів InSb не
змінюється в деформованому стані для всіх концентрацій
допанта, але енергія Фермі зростає, а ефективна маса електрона mс зменшується і становить 0,02 m₀. Присутність
фази Беррі було також виявлено в деформованих ниткоподібних кристалах n-InSb, які демонстрували перехід в
фазу топологічного ізолятора під дією деформації.
Исследовано влияние деформации на продольное магнитосопротивление нитевидных кристаллов InSb с проводимостью n-типа, легированных оловом в концентрациях 6·10¹⁶–6·10¹⁷ сm⁻³
, при температурах от 4,2 до 50 К и магнитных
полях до 10 Тл. При низких температурах осцилляции Шубникова–де Гааза обнаружены в деформированных и недеформированных образцах во всем диапазоне концентраций
допирования. Некоторые пики продольного магнитосопротивления расщепляются в дублеты в нитевидных кристаллах
InSb с концентрацией допанта, близкой к переходу металл–
изолятор. Принимая во внимание расщепление пиков, для
деформированных и недеформированных образцов определен гигантский g-фактор от 30 до 60. Период осцилляций
магнитосопротивления нитевидных кристаллов InSb не изменяется в деформированном состоянии для всех концентраций допанта, но энергия Ферми возрастает, а эффективная
масса электрона mс уменьшается и составляет 0,02 m₀. Присутствие фазы Берри было также обнаружено в деформированных нитевидных кристаллах n-InSb, которые демонстрировали переход в фазу топологического изолятора под
действием деформации.
|
| first_indexed | 2025-12-02T09:52:55Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-176492 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-02T09:52:55Z |
| publishDate | 2018 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Druzhinin, A. Ostrovskii, I. Khoverko, Yu. Liakh-Kaguy, N. Rogacki, K. 2021-02-04T19:30:27Z 2021-02-04T19:30:27Z 2018 Berry phase in strained InSb whiskers/ A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Khoverko, N. Liakh-Kaguy, K. Rogacki // Физика низких температур. — 2018. — Т. 44, № 11. — С. 1521-1527. — Бібліогр.: 27 назв. — англ. 0132-6414 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176492 Strain influence on the longitudinal magnetoresistance for the n-type conductivity InSb whiskers doped by
 Sn to concentrations 6·10¹⁶–6·10¹⁷ сm⁻³ were studied at temperatures from 4.2 to 50 K and magnetic field up
 to 10 T. The Shubnikov–de Haas oscillations at low temperatures were revealed in the strained and unstrained
 samples with all range doping concentration. Some peaks of the longitudinal magnetoresistance split as a
 doublet in the InSb whiskers with doping concentration in the vicinity to metal-insulator transition. Taking into account peak splitting giant g-factor from 30 to 60 was defined for strained and unstrained samples. The
 magnetoresistance oscillation period of the InSb whiskers doesn’t differ under strain for all doping concentration, but Fermi energy increases and electron effective mass mс decreases and consists 0.02 m₀. Berry phase
 presence was also revealed in strained n-InSb whiskers that shows their transition under a strain to topological
 insulator phase. Досліджено вплив деформації на поздовжній магнітоопір ниткоподібних кристалів InSb з провідністю n-типу,
 легованих оловом в концентраціях 6·10¹⁶–6·10¹⁷ сm⁻³
 , при
 температурах від 4,2 до 50 К та магнітних полях до 10 Тл.
 При низьких температурах осциляції Шубнікова–де Гааза
 виявлено в деформованих й недеформованих зразках у
 всьому діапазоні концентрацій допування. Деякі піки поздовжнього магнітоопору розщеплюються в дублети в
 ниткоподібних кристалах InSb з концентрацією допанта,
 близькою до переходу метал–ізолятор. Беручи до уваги
 розщеплення піків, для деформованих та недеформованих
 зразків визначено гігантський g-фактор від 30 до 60. Період
 осциляцій магнітоопору ниткоподібних кристалів InSb не
 змінюється в деформованому стані для всіх концентрацій
 допанта, але енергія Фермі зростає, а ефективна маса електрона mс зменшується і становить 0,02 m₀. Присутність
 фази Беррі було також виявлено в деформованих ниткоподібних кристалах n-InSb, які демонстрували перехід в
 фазу топологічного ізолятора під дією деформації. Исследовано влияние деформации на продольное магнитосопротивление нитевидных кристаллов InSb с проводимостью n-типа, легированных оловом в концентрациях 6·10¹⁶–6·10¹⁷ сm⁻³
 , при температурах от 4,2 до 50 К и магнитных
 полях до 10 Тл. При низких температурах осцилляции Шубникова–де Гааза обнаружены в деформированных и недеформированных образцах во всем диапазоне концентраций
 допирования. Некоторые пики продольного магнитосопротивления расщепляются в дублеты в нитевидных кристаллах
 InSb с концентрацией допанта, близкой к переходу металл–
 изолятор. Принимая во внимание расщепление пиков, для
 деформированных и недеформированных образцов определен гигантский g-фактор от 30 до 60. Период осцилляций
 магнитосопротивления нитевидных кристаллов InSb не изменяется в деформированном состоянии для всех концентраций допанта, но энергия Ферми возрастает, а эффективная
 масса электрона mс уменьшается и составляет 0,02 m₀. Присутствие фазы Берри было также обнаружено в деформированных нитевидных кристаллах n-InSb, которые демонстрировали переход в фазу топологического изолятора под
 действием деформации. en Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Низькотемпературний магнетизм Berry phase in strained InSb whiskers Фаза Беррі в деформованих ниткоподібних кристалах InSb Фаза Берри в деформированных нитевидных кристаллах InSb Article published earlier |
| spellingShingle | Berry phase in strained InSb whiskers Druzhinin, A. Ostrovskii, I. Khoverko, Yu. Liakh-Kaguy, N. Rogacki, K. Низькотемпературний магнетизм |
| title | Berry phase in strained InSb whiskers |
| title_alt | Фаза Беррі в деформованих ниткоподібних кристалах InSb Фаза Берри в деформированных нитевидных кристаллах InSb |
| title_full | Berry phase in strained InSb whiskers |
| title_fullStr | Berry phase in strained InSb whiskers |
| title_full_unstemmed | Berry phase in strained InSb whiskers |
| title_short | Berry phase in strained InSb whiskers |
| title_sort | berry phase in strained insb whiskers |
| topic | Низькотемпературний магнетизм |
| topic_facet | Низькотемпературний магнетизм |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176492 |
| work_keys_str_mv | AT druzhinina berryphaseinstrainedinsbwhiskers AT ostrovskiii berryphaseinstrainedinsbwhiskers AT khoverkoyu berryphaseinstrainedinsbwhiskers AT liakhkaguyn berryphaseinstrainedinsbwhiskers AT rogackik berryphaseinstrainedinsbwhiskers AT druzhinina fazaberrívdeformovanihnitkopodíbnihkristalahinsb AT ostrovskiii fazaberrívdeformovanihnitkopodíbnihkristalahinsb AT khoverkoyu fazaberrívdeformovanihnitkopodíbnihkristalahinsb AT liakhkaguyn fazaberrívdeformovanihnitkopodíbnihkristalahinsb AT rogackik fazaberrívdeformovanihnitkopodíbnihkristalahinsb AT druzhinina fazaberrivdeformirovannyhnitevidnyhkristallahinsb AT ostrovskiii fazaberrivdeformirovannyhnitevidnyhkristallahinsb AT khoverkoyu fazaberrivdeformirovannyhnitevidnyhkristallahinsb AT liakhkaguyn fazaberrivdeformirovannyhnitevidnyhkristallahinsb AT rogackik fazaberrivdeformirovannyhnitevidnyhkristallahinsb |