Магнитные транспортные свойства полумагнитного полупроводника Hg₁₋x₋yCrxMnySe
Представлены экспериментальные результаты исследования монокристаллических образцов твердого раствора Hg₁₋x₋yCrxMnySe, которые свидетельствуют, во-первых, о существенном влиянии атомов марганца, введенных в Hg₁₋xCrxSe, на абсолютные значения таких физических параметров, как магнитная восприимчивость...
Saved in:
| Published in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Date: | 1998 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1998
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176641 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Магнитные транспортные свойства полумагнитного полупроводника Hg₁₋x₋yCrxMnySe / В.Д. Прозоровский, И.Ю. Решидова, А.И. Пузыня, С.Ю. Паранчич // Физика низких температур. — 1998. — Т. 24, № 9. — С. 851-855. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-176641 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Прозоровский, В.Д. Решидова, И.Ю. Пузыня, А.И. Паранчич, С.Ю. 2021-02-06T14:38:08Z 2021-02-06T14:38:08Z 1998 Магнитные транспортные свойства полумагнитного полупроводника Hg₁₋x₋yCrxMnySe / В.Д. Прозоровский, И.Ю. Решидова, А.И. Пузыня, С.Ю. Паранчич // Физика низких температур. — 1998. — Т. 24, № 9. — С. 851-855. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 71.55.Gs, 76.30.Fc https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176641 Представлены экспериментальные результаты исследования монокристаллических образцов твердого раствора Hg₁₋x₋yCrxMnySe, которые свидетельствуют, во-первых, о существенном влиянии атомов марганца, введенных в Hg₁₋xCrxSe, на абсолютные значения таких физических параметров, как магнитная восприимчивость, температура фазового перехода, подвижность электронов проводимости и промежуток времени, за который образцы приходят в равновесное состояние, и, во-вторых, о получении материала с улучшенной электрофизической и ярко выраженной магнитной характеристиками по сравнению с образцами Hg₁₋xCrxSe, с такой же концентрацией ионов хрома. Представлено експериментальні результати дослідження монокристалічних зразків твердого розчину Hg₁₋x₋yCrxMnySe, які свідчать, по-перше, про суттєвий вплив атомів марганцю, впроваджених в Hg1-xCrxSe, на абсолютні значення таких фізичних параметрів, як магнітна сприйнятливість, температура фазового переходу, рухливість електронів провідності та проміжок часу, за який зразки приходять у рівноважний стан, і, по-друге, про одержання матеріалу з поліпшеною електрофізичною та яскраво виявленою магнітною характеристиками у порівнянні із зразками Hg1-xCrxSe з тією самою концентрацією іонів хрому. Experimental results of investigations of monocrystalline samples of Hg1-x-yCrxMnySe solid solution indicate, first, a considerable influence of manganese atoms introduced in Hg₁₋xCrxSe on the absolute values of physical parameters such as magnetic susceptibility, phase-transition temperature, mobility of conduction electrons, and the period of time during which the samples go over to the equilibrium state, and second, the formation of materials with improved electrophysical and clearly pronounced magnetic characteristics as compared with Hg₁₋xCrxSe samples with the same concentration of chromium ions. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Низкотемпеpатуpный магнетизм Магнитные транспортные свойства полумагнитного полупроводника Hg₁₋x₋yCrxMnySe Magnetic transport properties of semimagnetic semiconductor Hg₁₋x₋yCrxMnySe Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Магнитные транспортные свойства полумагнитного полупроводника Hg₁₋x₋yCrxMnySe |
| spellingShingle |
Магнитные транспортные свойства полумагнитного полупроводника Hg₁₋x₋yCrxMnySe Прозоровский, В.Д. Решидова, И.Ю. Пузыня, А.И. Паранчич, С.Ю. Низкотемпеpатуpный магнетизм |
| title_short |
Магнитные транспортные свойства полумагнитного полупроводника Hg₁₋x₋yCrxMnySe |
| title_full |
Магнитные транспортные свойства полумагнитного полупроводника Hg₁₋x₋yCrxMnySe |
| title_fullStr |
Магнитные транспортные свойства полумагнитного полупроводника Hg₁₋x₋yCrxMnySe |
| title_full_unstemmed |
Магнитные транспортные свойства полумагнитного полупроводника Hg₁₋x₋yCrxMnySe |
| title_sort |
магнитные транспортные свойства полумагнитного полупроводника hg₁₋x₋ycrxmnyse |
| author |
Прозоровский, В.Д. Решидова, И.Ю. Пузыня, А.И. Паранчич, С.Ю. |
| author_facet |
Прозоровский, В.Д. Решидова, И.Ю. Пузыня, А.И. Паранчич, С.Ю. |
| topic |
Низкотемпеpатуpный магнетизм |
| topic_facet |
Низкотемпеpатуpный магнетизм |
| publishDate |
1998 |
| language |
Russian |
| container_title |
Физика низких температур |
| publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Magnetic transport properties of semimagnetic semiconductor Hg₁₋x₋yCrxMnySe |
| description |
Представлены экспериментальные результаты исследования монокристаллических образцов твердого раствора Hg₁₋x₋yCrxMnySe, которые свидетельствуют, во-первых, о существенном влиянии атомов марганца, введенных в Hg₁₋xCrxSe, на абсолютные значения таких физических параметров, как магнитная восприимчивость, температура фазового перехода, подвижность электронов проводимости и промежуток времени, за который образцы приходят в равновесное состояние, и, во-вторых, о получении материала с улучшенной электрофизической и ярко выраженной магнитной характеристиками по сравнению с образцами Hg₁₋xCrxSe, с такой же концентрацией ионов хрома.
Представлено експериментальні результати дослідження монокристалічних зразків твердого розчину Hg₁₋x₋yCrxMnySe, які свідчать, по-перше, про суттєвий вплив атомів марганцю, впроваджених в Hg1-xCrxSe, на абсолютні значення таких фізичних параметрів, як магнітна сприйнятливість, температура фазового переходу, рухливість електронів провідності та проміжок часу, за який зразки приходять у рівноважний стан, і, по-друге, про одержання матеріалу з поліпшеною електрофізичною та яскраво виявленою магнітною характеристиками у порівнянні із зразками Hg1-xCrxSe з тією самою концентрацією іонів хрому.
Experimental results of investigations of monocrystalline samples of Hg1-x-yCrxMnySe solid solution indicate, first, a considerable influence of manganese atoms introduced in Hg₁₋xCrxSe on the absolute values of physical parameters such as magnetic susceptibility, phase-transition temperature, mobility of conduction electrons, and the period of time during which the samples go over to the equilibrium state, and second, the formation of materials with improved electrophysical and clearly pronounced magnetic characteristics as compared with Hg₁₋xCrxSe samples with the same concentration of chromium ions.
|
| issn |
0132-6414 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176641 |
| fulltext |
|
| citation_txt |
Магнитные транспортные свойства полумагнитного полупроводника Hg₁₋x₋yCrxMnySe / В.Д. Прозоровский, И.Ю. Решидова, А.И. Пузыня, С.Ю. Паранчич // Физика низких температур. — 1998. — Т. 24, № 9. — С. 851-855. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT prozorovskiivd magnitnyetransportnyesvoistvapolumagnitnogopoluprovodnikahg1xycrxmnyse AT rešidovaiû magnitnyetransportnyesvoistvapolumagnitnogopoluprovodnikahg1xycrxmnyse AT puzynâai magnitnyetransportnyesvoistvapolumagnitnogopoluprovodnikahg1xycrxmnyse AT parančičsû magnitnyetransportnyesvoistvapolumagnitnogopoluprovodnikahg1xycrxmnyse AT prozorovskiivd magnetictransportpropertiesofsemimagneticsemiconductorhg1xycrxmnyse AT rešidovaiû magnetictransportpropertiesofsemimagneticsemiconductorhg1xycrxmnyse AT puzynâai magnetictransportpropertiesofsemimagneticsemiconductorhg1xycrxmnyse AT parančičsû magnetictransportpropertiesofsemimagneticsemiconductorhg1xycrxmnyse |
| first_indexed |
2025-11-24T04:59:53Z |
| last_indexed |
2025-11-24T04:59:53Z |
| _version_ |
1850840859846639616 |