Инверсионные домены в вюртцитном нитриде бора
Методом просвечивающей электронной микроскопии изучена доменная структура, возникающая в вюртцитном нитриде бора при его ударно-волновом синтезе. Прослежены изменения доменной структуры при термообработках вюртцитного BN в условиях высоких статических давлений. Рассмотрены возможные механизмы анниги...
Gespeichert in:
| Datum: | 2008 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України
2008
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/17667 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Инверсионные домены в вюртцитном нитриде бора / В.Ф. Бритун, А.В. Курдюмов, А.И. Даниленко // Электронная микроскопия и прочность материалов: Сб. научн . тр. — К.: ІПМ НАН України, 2008. — Вип. 15. — С. 114-119. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-17667 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-176672025-02-09T14:36:44Z Инверсионные домены в вюртцитном нитриде бора Бритун, В.Ф. Курдюмов, А.В. Даниленко, А.И. Методом просвечивающей электронной микроскопии изучена доменная структура, возникающая в вюртцитном нитриде бора при его ударно-волновом синтезе. Прослежены изменения доменной структуры при термообработках вюртцитного BN в условиях высоких статических давлений. Рассмотрены возможные механизмы аннигиляции доменных границ. 2008 Article Инверсионные домены в вюртцитном нитриде бора / В.Ф. Бритун, А.В. Курдюмов, А.И. Даниленко // Электронная микроскопия и прочность материалов: Сб. научн . тр. — К.: ІПМ НАН України, 2008. — Вип. 15. — С. 114-119. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. XXXX-0048 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/17667 548.3:539.2 ru application/pdf Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
Методом просвечивающей электронной микроскопии изучена доменная структура, возникающая в вюртцитном нитриде бора при его ударно-волновом синтезе. Прослежены изменения доменной структуры при термообработках вюртцитного BN в условиях высоких статических давлений. Рассмотрены возможные механизмы аннигиляции доменных границ. |
| format |
Article |
| author |
Бритун, В.Ф. Курдюмов, А.В. Даниленко, А.И. |
| spellingShingle |
Бритун, В.Ф. Курдюмов, А.В. Даниленко, А.И. Инверсионные домены в вюртцитном нитриде бора |
| author_facet |
Бритун, В.Ф. Курдюмов, А.В. Даниленко, А.И. |
| author_sort |
Бритун, В.Ф. |
| title |
Инверсионные домены в вюртцитном нитриде бора |
| title_short |
Инверсионные домены в вюртцитном нитриде бора |
| title_full |
Инверсионные домены в вюртцитном нитриде бора |
| title_fullStr |
Инверсионные домены в вюртцитном нитриде бора |
| title_full_unstemmed |
Инверсионные домены в вюртцитном нитриде бора |
| title_sort |
инверсионные домены в вюртцитном нитриде бора |
| publisher |
Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України |
| publishDate |
2008 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/17667 |
| citation_txt |
Инверсионные домены в вюртцитном нитриде бора / В.Ф. Бритун, А.В. Курдюмов, А.И. Даниленко // Электронная микроскопия и прочность материалов: Сб. научн . тр. — К.: ІПМ НАН України, 2008. — Вип. 15. — С. 114-119. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT britunvf inversionnyedomenyvvûrtcitnomnitridebora AT kurdûmovav inversionnyedomenyvvûrtcitnomnitridebora AT danilenkoai inversionnyedomenyvvûrtcitnomnitridebora |
| first_indexed |
2025-11-26T21:41:53Z |
| last_indexed |
2025-11-26T21:41:53Z |
| _version_ |
1849890772415938560 |
| fulltext |
114
УДК 548.3:539.2
Инверсионные домены в вюртцитном нитриде бора
В. Ф. Бритун, А. В. Курдюмов, А. И. Даниленко
Методом просвечивающей электронной микроскопии изучена доменная
структура, возникающая в вюртцитном нитриде бора при его ударно-волновом
синтезе. Прослежены изменения доменной структуры при термообработках
вюртцитного BN в условиях высоких статических давлений. Рассмотрены
возможные механизмы аннигиляции доменных границ.
Введение
Для кристаллов соединений со структурами вюртцита или сфалерита
характерно наличие полярной оси, что приводит к существенным
различиям свойств полярно противоположных граней этих кристаллов.
В таких кристаллах могут образовываться домены, различающиеся
ориентацией полярной оси [1, 2]. Эти домены получили название
инверсионных доменов (ИД), а границы между ними ― инверсионных
границ (ИГ) [2, 3]. Экспериментально инверсионные домены обнаружены
в ряде соединений, имеющих структуру вюртцита: ZnO [4], AlN [5], BeO
[6], GaN [7]. В работах [1, 6, 7] представлены модели атомного строения
инверсионных границ в таких соединениях. В работе [8] авторы
обнаружили плоские дефекты в призматических плоскостях вюртцитного
BN (BNв) и предположили, что эти дефекты являются инверсионными
границами. Настоящая работа посвящена исследованию ИД в вюртцитном
нитриде бора, их атомной структуры, а также термостабильности этих
дефектов в BNв.
Образцы для исследований
Вюртцитный нитрид бора для исследований получали из порошка
графитоподобного нитрида бора (BNг) гексагональной модификации
двумя способами: в условиях ударного сжатия при давлении порядка
20 ГПа и в условиях высокого статического сжатия при давлении 7,7 ГПа.
Поскольку образование BNв происходит только в ходе мартенситных
превращений высокоупорядоченного графитоподобного BN [9], в
качестве исходного использовали BNг с высокой степенью трехмерного
упорядочения (Р3 > 0,95). Величину Р3 определяли по методике,
описанной в работе [10]. Для элекронно-микроскопических исследований
выбран BNг с достаточно крупным зерном (средний размер зерен около
10 мкм), а для уменьшения эффекта диспергирования BN ударной волной
сжатию подвергали смесь BNг с водой. После отмывки продуктов
ударного сжатия от остаточного BNг из порошка BNв приготовили 5
компактных образцов для исследований структуры. Образец № 1 получен
компактированием смеси порошка BNв с эпоксидной смолой. Образцы
№ 2―5 готовили прессованием порошка BNв без добавок при высоком
статическом давлении (время сжатия ― 90 с при давлении 7 ГПа и
температурах 500, 700, 1000 и 1200 оС соответственно). Еще три образца
© В. Ф. Бритун, А. В. Курдюмов, А. И. Даниленко, 2008
115
(образцы № 6―8), содержащие BNв, получены методом статического
сжатия исходного BNг (давление ― 7,7 ГПа, температура ― 700, 1000 и
1200 оС). Тонкие объекты для электронно-микроскопических исследо-
ваний готовили методом ионного распыления. Все образцы исследовали
методами рентгеновской дифрактометрии (дифрактометр HZG-4a) и
просвечивающей электронной микроскопии (микроскоп JEM-100CX).
Результаты и их обсуждение
Исследование структуры образцов № 6―8, в которых образование BNв
происходило при статическом сжатии, показало, что содержание
вюртцитной фазы составляло 5―20% (об.). В зернах вюртцитного BN
этих образцов наблюдались только базисные дефекты упаковки (ДУ), а
инверсионные границы не обнаружены.
В вюртцитном BN, полученном при ударном сжатии, присутствовали
многочисленные плоские дефекты, залегающие в призматических
плоскостях (рис. 1, а). Дефектная структура зерен BNв в образцах № 1 и 2
существенно не различается: очевидно, приготовление компактного
образца сжатием при 500 оС не приводит к заметному изменению де-
фектной структуры зерен. Линейная плотность призматических дефектов
в образцах № 1 и 2 достигает 108 м-1. (Отметим, что расстояние между
дефектами L ≈ 10 нм достаточно хорошо согласуется с размерами ОКР в
направлении [hk0], определенными рентгенографически в работе [9]).
В зернах BNв этих образцов встречаются также редкие ДУ, залегающие в
базисных плоскостях (0001). В зернах BNв образца № 3 наблюдается
заметное увеличение количества базисных ДУ и снижение плотности
призматических дефектов (рис. 2).
В образце № 4 плотность призматических дефектов уменьшилась
примерно на два порядка, тогда как плотность базисных ДУ резко возросла.
В образце № 5 выявлены только базисные дефекты упаковки, а дефекты в
призматических плоскостях отсутствовали (рис. 1, в). Идентификацию
дефектов в призматических плоскостях проводили по методике, описанной в
работе [11]. На доменах, разделенных призматическими дефектами,
наблюдались особенности электронно-микроскопического контраста,
характерные для ИД. Так, на светлопольных изображениях контраст
соседних доменов одинаков, контраст на границах доменов ― слабый. При
ориентировке зерна осью зоны [100] параллельно электронному пучку на
темнопольных изображениях, полученных в рефлексах hkl c нечетным l,
виден сильный контраст от границ между доменами (рис. 1, а), а в рефлексах
с четным l ― контраст на границах отсутствует (рис. 1, б). На темнопольных
изображениях наблюдается также изменение контраста при смене
действующего рефлекса g на –g (рис. 2, а, б). Наличие контраста на ИГ в
рефлексах 101, 103 и погасание контраста в рефлексах 002, 100 и 102
позволило определить вектор сдвига на ИГ как R
r
= 1/2 [001] (особенности
контраста определяются фазовым множителем R2
rr
⋅π=α g , где R
r
― вектор
сдвига на границе; g ― величина действующего вектора отражения). При
наблюдении ИГ в зернах BNв, ориентированных осью зоны [100]
параллельно электронному лучу, след ИГ на изображении параллелен оси
[001] BNв. А в зернах, ориентированных осью зоны [011] параллельно лучу,
след ИГ на изображении перпендикулярен направлению [210] BNв. Эти
116
Рис. 2. Контраст на инверсионных доменах. Изображения в рефлексах
g = 011 (а) и 110 (б). Область внутри треугольника АВС соответствует
эксцинкционному контуру.
данные показывают, что ИГ залегают в плоскостях типа {100} BNв.
Инверсионные домены имеют форму пластин толщиной 10―20 нм. Как
правило, зерно BNв оказывается разделенным на фрагменты, в каждом из
которых присутствует система параллельных ИГ.
Дифракционные эффекты, обусловленные наличием ИГ, показаны на
рис. 3, а. На электронограмме видно, что дифракционные максимумы с
нечетными l заметно уширены в направлении [210]* обратной решетки,
тогда как рефлексы с четными l практически не уширены. Для сравнения
на рис. 3, б показана электронограмма зерна BNв образца № 4,
подвергнутого термообработке при 1000 оС. В последнем концентрация
ИГ примерно на два порядка ниже, а концентрация ДУ на два порядка
выше, чем в образце № 1. Сравнение электронограмм показывает, что
отжиг ИГ и образование базисных ДУ меняют и характер уширения
117
Рис. 3. Микроэлектронограммы зерен BNв с высокой плотностью инверсионных
границ (а, образец № 1) и базисных дефектов упаковки деформационного типа
(б, образец № 4).
дифракционных максимумов. Уширение дифракционных максимумов в
направлении [210]* исчезает, но появляется уширение в направлении
[001]*. Отметим, что дифракционные эффекты наблюдаются и на
рентгеновских дифрактограммах вюртцитного BN с высокой плотностью
ИГ. На рис. 4 показана зависимость ширины дифракционных максимумов
от дифракционного угла для порошка BNв [9]. Видно, что максимумы с
нечетным l уширены заметно сильнее, чем с четным.
Возможные варианты атомной структуры ИГ, залегающих в
плоскостях {100} кристаллов со структурой вюртцита, рассмотрены
в работе [7]. При этом для границ с вектором сдвига R
r
= 1/2 [001]
предложено две модели структуры V1 и V2 (рис. 5). Отметим, что вектор
сдвига R
r
на ИГ типа V1 и V2 определяли в работах [7, 8 и 12] по атомным
моделям границ, при этом в отмеченных работах предложены разные
величины сдвига на границе. Различия обусловлены тем, что авторы
разных работ по-разному выбирают элементарные ячейки слева и справа
от ИГ (в работе [7] ячейки различаются сортом атомов в вершинах, а в [8
и 12] ― операцией инверсии относительно центра ячейки). Определенное
нами экспериментально значение R
r
соответствует величине,
приведенной в работе [7].
Анализ структурных перестроек кристаллической решетки в ходе
мартенситного превращения BNг → BNв, при котором плоскость (001) BNг
гофрируется и расщепляется на
два подслоя (этот процесс из-
вестен как процесс гофрировки
[13]), показывает, что в ходе
превращения могут образовы-
ваться оба типа границ: V1 и V2.
В обоих случаях появление ИГ
обусловлено двумя вариантами
Рис. 4. Зависимость ширины мак-
симума на рентгенограмме BNв от
угла дифракции [9].
118
расщепления плоскости (001) BNг, различающимися смещениями атомов
бора (азота) вверх или вниз, что и определяет образование доменов с
разной ориентацией полярной оси [001]. Проведенные в работе
эксперименты с компактированием исходного порошка BNв в условиях
высоких давлений и температур показали, что ИГ нестабильны при
температуре порядка 1000 оС и выше. Перестройку границ при отжиге
можно представить как процесс поворота рядов связей В1 и В2,
сопровождающийся разрывом связей В3 и образованием связей В4.
Перемещение границы V1 на расстояние L1 показано на рис. 5, где
пунктирные линии соответствуют положению связей после поворотов.
Заметим, что все эти перестройки не связаны с диффузией и по своему
характеру напоминают атомные перестройки при движении частичных
дислокаций Шокли в структуре вюртцита [14]. Когда перемещающаяся ИГ1
подходит к соседней ИГ2, происходит их аннигиляция, при этом три
инверсионных домена сливаются в один. Отметим, что описанные
повороты связей могут приводить не только к перемещению ИГ, но и к
перестройке ИГ типа V1 в ИГ типа V2 (рис. 5).
Наличие в монокристаллической частице большого количества ИД
может нивелировать различие макросвойств полярно противоположных
граней этой частицы. В свою очередь, это может оказать влияние на
процессы спекания таких частиц и особенности структуры межзеренных
границ, формирующихся при спекании. Для частиц BNв характерна
пластинчатая форма, при этом развитые поверхности соответствуют
полярно противоположным граням. Перед спеканием BNв в исходной
засыпке бόльшая доля межчастичных контактов соответствует контактам
по развитым базисным плоскостям (001). При этом примерно в половине
случаев контактируют грани B и N, а другая половина базисных контактов
соответствует контактам граней B―B и N―N. При контакте поверхностей
N―N или В―В могут формироваться границы со слабыми связями: N―N
или В―В. Для образования из таких контактов границ со связями
B―N необходим диффузионный перенос атомов на расстояния, соиз-
меримые с размерами частиц. В случае наличия в частицах инверсионных
доменов на всех гранях присутствуют как атомы бора, так и атомы азота
Рис. 5. Схема атомной структуры инверсионных границ V1 и V2.
Показана перестройка связей при перемещении границы V1 на
расстояние L, а также при превращении границы V1 в V2.
119
и для формирования связей B―N при спекании достаточно переноса
атомов на расстояния, соизмеримые с размером домена.
Выводы
Образование вюртцитного BN в результате бездиффузионного
фазового превращения BNг → BNв в условиях ударного сжатия
сопровождается формированием в зернах BNв инверсионных доменов,
которые разделены инверсионными границами, залегающими в
призматических плоскостях {100}. Границы характеризуются вектором
смещения R
r
= 1/2 [001] и относятся к границам типа V1 и V2. Домены
имеют плоскую форму, их толщина составляет 10―20 нм. Доменная
структура, образовавшаяся в вюртцитном BN при фазовом превращении,
нестабильна. При температурах порядка 1000 оС начинается интенсивный
отжиг ИГ, который связан с бездиффузионным перемещением и
аннигиляцией соседних ИГ. Прохождение ИГ через кристалл меняет
направление полярной оси в кристалле, а рассмотренный механизм
перемещения ИГ показывает, что такой “поворот” оси может происходить
за счет протекания бездиффузионных перестроек.
Образования инверсионных доменов при превращении BNг в BNв в
условиях статического сжатия не обнаружено. Возможно, это обусловлено
различиями процессов зарождения вюртцитной фазы при динамическом и
статическом сжатии.
1. Holt D. B. Antiphase boundaries in semiconducting compounds // J. Phys. Chem. Solids. ―
1969. ― 30. ― P. 1297―1308.
2. Holt D. B. Polarity reversal and symmetry in semiconducting compounds with
the sphalerite and wurtzite s tructures // J. of Mater. Science. ― 1984. ― 19. ―
P. 439―446.
3. Pond R. C., Holt D. B. Antisymmetry of surfaces and interfaces in polar material // J. de
Phys. ― 1982. ― 43, No. 10. ― P. C1―57―62.
4. Kim J. C. and Goo E. The inversion twine boundaries in zinc oxide // J. Amer. Ceram.
Soc. ― 1990. ― 73. ― P. 877―884.
5. Westwood A. D. and Notis M. R. Ynversion domain boundaries in aluminum nitride //
Ibid. ― 1991. ― 74. ― P. 1226―1239.
6. Austerman S. B. and Gehman W. G. The inversion twine prototype in beryllium oxide //
J. Mater. Sci. ― 1966. ― 1. ― P. 249―260.
7. Potin V., Ruterana P. and Nouet G. The atomic structure of {1010} inversion domain
boundaries in GaN/sapphire layers // J. Appl. Phys. ― 1997. ― 82. ― P. 2176―2183.
8. Britun V. F. and Kurdyumov A. V. Crystal defect generation during diffusionless
transformations of boron nitride by puckering mechanism // J. Mater. Sci. ― 1999. ―
34. ― P. 5677―5680.
9. Курдюмов А. В., Пилянкевич А. Н. Фазовые превращения в углероде и нитриде
бора. ― К.: Наук. думка, 1979. ― 188 с.
10. Курдюмов А. В. О дефектах упаковки в графитоподобном нитриде бора //
Кристаллография. ― 1975. ― 20, № 5. ― С. 969―973.
11. Snykers M., Serneels R., Delavignette P. et al. Diffraction contrast between inversion
domains and at inversion domen boundaries // Phys. Stat. Sol. (a). ― 1977. ― 41. ―
P. 51―63.
12. Dimitrakopulos P., Komninou Ph., Kioseoglou J. et al. Structural transition of inversion
domain boundaries through interactions with stacking faults in epitaxial GaN // Phys.
Rew. B. ― 2001. ― 64. ― P. 245325-1―245325-12.
13. Riter J. R. Interpretation of diamond and graphite compressibility data using
molecular force constants // J. Chem. Phys. ― 1970. ― 52, No. 10. ― P. 5008―5010.
14. Alexander H. Dislocations in Covalent Crystals // Dislocations in Solids / Ed. F. R. N.
Nabarro. ― Amsterdam: Elsevier. ― 1986. ― 7, Ch. 35. ― P. 114―234.
|