О влиянии дислокационных скоплений на критическую температуру высокотемпературных сверхпроводников
Показано, что скопления краевых дислокаций с параллельными векторами Бюргерса в плоскости скольжения могут приводить к существенным локальным изменениям критической температуры Tc в деформированных кристаллах высокотемпературных сверхпроводников вследствие перераспределения свободных носителей тока...
Saved in:
| Published in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Date: | 1998 |
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1998
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176685 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | О влиянии дислокационных скоплений на критическую температуру высокотемпературных сверхпроводников / А.В. Гуревич, Э.А. Пашицкий // Физика низких температур. — 1998. — Т. 24, № 11. — С. 1058-1062. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862579651417735168 |
|---|---|
| author | Гуревич, А.В. Пащицкий, Э.А. |
| author_facet | Гуревич, А.В. Пащицкий, Э.А. |
| citation_txt | О влиянии дислокационных скоплений на критическую температуру высокотемпературных сверхпроводников / А.В. Гуревич, Э.А. Пашицкий // Физика низких температур. — 1998. — Т. 24, № 11. — С. 1058-1062. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Показано, что скопления краевых дислокаций с параллельными векторами Бюргерса в плоскости скольжения могут приводить к существенным локальным изменениям критической температуры Tc в деформированных кристаллах высокотемпературных сверхпроводников вследствие перераспределения свободных носителей тока в полях упругой деформации ионной кристаллической решетки и сильной немонотонной зависимости Tc от концентрации носителей, если линейные размеры дислокационных скоплений значительно превышают длину когерентности и радиус экранирования.
Показано, що скупчення крайових дислокацій з паралельними векторами Бюргерса у площині проковзування можуть призводити до суттєвих локальних змін критичної температури Тс у деформованих кристалах високотемпературних надпровідників внаслідок перерозподілу вільних носіїв струму в полях пружної деформації іонної кристалічної гратки та сильної немонотонно!' залежності Т від концентрації носіїв, якщо лінійні розміри дислокаційних скупчень значно перевищують довжину когерентності та радіус екранування зарядів.
It is shown that arrays of edge dislocations with parallel Burgers vectors in the slip plane can lead to significant local changes in the transition temperature Tc of the deformed crystals of high-temperature superconductors. These changes are due to the redistribution of free charge carriers in the elastic strain fields of the ionic crystal lattice and a strong nonmonotonic dependence of Tc on the concentration of charge carriers if the characteristic length of dislocation arrays is much larger than the coherence length and screening radius.
|
| first_indexed | 2025-11-26T19:23:00Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-176685 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-26T19:23:00Z |
| publishDate | 1998 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Гуревич, А.В. Пащицкий, Э.А. 2021-02-06T19:40:31Z 2021-02-06T19:40:31Z 1998 О влиянии дислокационных скоплений на критическую температуру высокотемпературных сверхпроводников / А.В. Гуревич, Э.А. Пашицкий // Физика низких температур. — 1998. — Т. 24, № 11. — С. 1058-1062. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 0132-6414 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176685 PACS: 74.72.-h Показано, что скопления краевых дислокаций с параллельными векторами Бюргерса в плоскости скольжения могут приводить к существенным локальным изменениям критической температуры Tc в деформированных кристаллах высокотемпературных сверхпроводников вследствие перераспределения свободных носителей тока в полях упругой деформации ионной кристаллической решетки и сильной немонотонной зависимости Tc от концентрации носителей, если линейные размеры дислокационных скоплений значительно превышают длину когерентности и радиус экранирования. Показано, що скупчення крайових дислокацій з паралельними векторами Бюргерса у площині проковзування можуть призводити до суттєвих локальних змін критичної температури Тс у деформованих кристалах високотемпературних надпровідників внаслідок перерозподілу вільних носіїв струму в полях пружної деформації іонної кристалічної гратки та сильної немонотонно!' залежності Т від концентрації носіїв, якщо лінійні розміри дислокаційних скупчень значно перевищують довжину когерентності та радіус екранування зарядів. It is shown that arrays of edge dislocations with parallel Burgers vectors in the slip plane can lead to significant local changes in the transition temperature Tc of the deformed crystals of high-temperature superconductors. These changes are due to the redistribution of free charge carriers in the elastic strain fields of the ionic crystal lattice and a strong nonmonotonic dependence of Tc on the concentration of charge carriers if the characteristic length of dislocation arrays is much larger than the coherence length and screening radius. Настоящая работа посвящена 70-летию чл.-корр. НАН Украины Арнольда Марковича Косевича, чьи классические работы по теории дислокаций широко известны. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная О влиянии дислокационных скоплений на критическую температуру высокотемпературных сверхпроводников On the effect of dislocation arrays on the superconducting transition temperature in HTSC Article published earlier |
| spellingShingle | О влиянии дислокационных скоплений на критическую температуру высокотемпературных сверхпроводников Гуревич, А.В. Пащицкий, Э.А. Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная |
| title | О влиянии дислокационных скоплений на критическую температуру высокотемпературных сверхпроводников |
| title_alt | On the effect of dislocation arrays on the superconducting transition temperature in HTSC |
| title_full | О влиянии дислокационных скоплений на критическую температуру высокотемпературных сверхпроводников |
| title_fullStr | О влиянии дислокационных скоплений на критическую температуру высокотемпературных сверхпроводников |
| title_full_unstemmed | О влиянии дислокационных скоплений на критическую температуру высокотемпературных сверхпроводников |
| title_short | О влиянии дислокационных скоплений на критическую температуру высокотемпературных сверхпроводников |
| title_sort | о влиянии дислокационных скоплений на критическую температуру высокотемпературных сверхпроводников |
| topic | Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная |
| topic_facet | Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176685 |
| work_keys_str_mv | AT gurevičav ovliâniidislokacionnyhskopleniinakritičeskuûtemperaturuvysokotemperaturnyhsverhprovodnikov AT paŝickiiéa ovliâniidislokacionnyhskopleniinakritičeskuûtemperaturuvysokotemperaturnyhsverhprovodnikov AT gurevičav ontheeffectofdislocationarraysonthesuperconductingtransitiontemperatureinhtsc AT paŝickiiéa ontheeffectofdislocationarraysonthesuperconductingtransitiontemperatureinhtsc |