Поляронная проводимость тонких пленок La₀,₇□₀,₃MnO₃₋δ в области магнитного фазового перехода - Криворучко, В.Н.; Харцев, С.И. (Физика низких температур, 1998)
Исследованы магниторезистивные ρ(T,H) и термоэлектрические (коэффициент Зеебека) S(T,H) свойства тонких пленок La₀,₇□₀,₃MnO₃₋δ (□- катионные вакансии), выращенных методом реактивного магнетронного напыления. Установлен поляронный характер проводимости таких систем в интеpвале температур 77 K≤T≤350K и магнитных полей 0≤H≤10 кЭ. Экспериментальные зависимости ρ(T,H) и S(T,H=0) аппроксимированы единой феноменологической фоpмулой. Измерения термоэдс показывают, что в области магнитного фазового перехода существенно меняется не только подвижность, но и плотность состояний носителей заряда. Досліджено магніторезистивні ρ(T, H) і термоелектричні (коефіцієнт Зеебека) S(T, Н) властивості тонких плівок La₀,₇□₀,₃MnO₃₋δ ( □- катіонні вакансії), які вирощені методом
реактивного магнетронного напилення. Встановлено поляронний характер провідності таких систем в інтервалі температур 77 K≤T≤350 К і магнітних полів 0≤H≤10 кЕ. Експериментальні залежності для ρ(Т, Н) та S(T, H=0) апроксимовано єдиною феноменологічною формулою. Вимірювання термоедс виявило, що в області магнітного фазового переходу істотно змінюється не тільки рухливість, але і густина станів носіїв заряду. The magnetoresistive ρ(T,H) and thermoelectric (the Seebeck coefficient) S(T,H) properties of La₀,₇□₀,₃MnO₃₋δ thin films (□ is a cation vacancy) grown by the magnetron deposition technique are investigated. The magnetic polaron origin of the conductivity of such systems is established in the temperature range 77 K≤T≤350 K in magnetic fields 0≤H≤10 kOe. The experimental dependences ρ(T,H) and S(T,H=0) are approximated by a universal phenomenological expression. Thermopower measurements indicate a considerable change of the mobility as well as the density of states of charge carriers in the region of magnetic phase transition.