Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія
Проведено розрахунки залежності потенціалу Гіббса від температури для різних реакцій синтезу BN. В результаті дослідження процесу синтезу покриттів BN на поверхні нановолокон SiC методом хімічного газофазного осадження розроблено методику формування покриттів BN із нетоксичних вихідних матеріалів і...
Gespeichert in:
| Datum: | 2009 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України
2009
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/17690 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія / П.М. Силенко, А.М. Шлапак, О.Ф. Пилипчук, П.М. Дьячков, Ю.М. Солонін // Электронная микроскопия и прочность материалов: Сб. научн . тр. — К.: ІПМ НАН України, 2009. — Вип. 16. — С. 136-141. — Бібліогр.: 16 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-17690 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Силенко, П.М. Шлапак, А.М. Пилипчук, О.Ф. Дьячков, П.М. Солонін, Ю.М. 2011-03-05T23:19:18Z 2011-03-05T23:19:18Z 2009 Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія / П.М. Силенко, А.М. Шлапак, О.Ф. Пилипчук, П.М. Дьячков, Ю.М. Солонін // Электронная микроскопия и прочность материалов: Сб. научн . тр. — К.: ІПМ НАН України, 2009. — Вип. 16. — С. 136-141. — Бібліогр.: 16 назв. — укр. XXXX-0048 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/17690 661.1:661.65:661.68:669.046 Проведено розрахунки залежності потенціалу Гіббса від температури для різних реакцій синтезу BN. В результаті дослідження процесу синтезу покриттів BN на поверхні нановолокон SiC методом хімічного газофазного осадження розроблено методику формування покриттів BN із нетоксичних вихідних матеріалів і визначено, що оптимальною є температура синтезу 1300 °С. Дослідження нанокабелів BN―SiC методом просвічуючої електронної мікроскопії показали, що товщина покриттів становить 10―20 нм, а сформований шар покриття є гексагональним. uk Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія |
| spellingShingle |
Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія Силенко, П.М. Шлапак, А.М. Пилипчук, О.Ф. Дьячков, П.М. Солонін, Ю.М. |
| title_short |
Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія |
| title_full |
Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія |
| title_fullStr |
Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія |
| title_full_unstemmed |
Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія |
| title_sort |
виготовлення нанокабелів bn—sic методом cvd, їх структура та морфологія |
| author |
Силенко, П.М. Шлапак, А.М. Пилипчук, О.Ф. Дьячков, П.М. Солонін, Ю.М. |
| author_facet |
Силенко, П.М. Шлапак, А.М. Пилипчук, О.Ф. Дьячков, П.М. Солонін, Ю.М. |
| publishDate |
2009 |
| language |
Ukrainian |
| publisher |
Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України |
| format |
Article |
| description |
Проведено розрахунки залежності потенціалу Гіббса від температури для різних реакцій синтезу BN. В результаті дослідження процесу синтезу покриттів BN на поверхні нановолокон SiC методом хімічного газофазного осадження розроблено методику формування покриттів BN із нетоксичних вихідних матеріалів і визначено, що оптимальною є температура синтезу 1300 °С. Дослідження нанокабелів BN―SiC методом просвічуючої електронної мікроскопії показали, що товщина покриттів становить 10―20 нм, а сформований шар покриття є гексагональним.
|
| issn |
XXXX-0048 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/17690 |
| citation_txt |
Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія / П.М. Силенко, А.М. Шлапак, О.Ф. Пилипчук, П.М. Дьячков, Ю.М. Солонін // Электронная микроскопия и прочность материалов: Сб. научн . тр. — К.: ІПМ НАН України, 2009. — Вип. 16. — С. 136-141. — Бібліогр.: 16 назв. — укр. |
| work_keys_str_mv |
AT silenkopm vigotovlennânanokabelívbnsicmetodomcvdíhstrukturatamorfologíâ AT šlapakam vigotovlennânanokabelívbnsicmetodomcvdíhstrukturatamorfologíâ AT pilipčukof vigotovlennânanokabelívbnsicmetodomcvdíhstrukturatamorfologíâ AT dʹâčkovpm vigotovlennânanokabelívbnsicmetodomcvdíhstrukturatamorfologíâ AT solonínûm vigotovlennânanokabelívbnsicmetodomcvdíhstrukturatamorfologíâ |
| first_indexed |
2025-12-07T15:28:10Z |
| last_indexed |
2025-12-07T15:28:10Z |
| _version_ |
1850863821962346496 |