Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія
Проведено розрахунки залежності потенціалу Гіббса від температури для різних реакцій синтезу BN. В результаті дослідження процесу синтезу покриттів BN на поверхні нановолокон SiC методом хімічного газофазного осадження розроблено методику формування покриттів BN із нетоксичних вихідних матеріалів і...
Saved in:
| Date: | 2009 |
|---|---|
| Main Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України
2009
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/17690 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія / П.М. Силенко, А.М. Шлапак, О.Ф. Пилипчук, П.М. Дьячков, Ю.М. Солонін // Электронная микроскопия и прочность материалов: Сб. научн . тр. — К.: ІПМ НАН України, 2009. — Вип. 16. — С. 136-141. — Бібліогр.: 16 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862669492750909440 |
|---|---|
| author | Силенко, П.М. Шлапак, А.М. Пилипчук, О.Ф. Дьячков, П.М. Солонін, Ю.М. |
| author_facet | Силенко, П.М. Шлапак, А.М. Пилипчук, О.Ф. Дьячков, П.М. Солонін, Ю.М. |
| citation_txt | Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія / П.М. Силенко, А.М. Шлапак, О.Ф. Пилипчук, П.М. Дьячков, Ю.М. Солонін // Электронная микроскопия и прочность материалов: Сб. научн . тр. — К.: ІПМ НАН України, 2009. — Вип. 16. — С. 136-141. — Бібліогр.: 16 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| description | Проведено розрахунки залежності потенціалу Гіббса від температури для різних реакцій синтезу BN. В результаті дослідження процесу синтезу покриттів BN на поверхні нановолокон SiC методом хімічного газофазного осадження розроблено методику формування покриттів BN із нетоксичних вихідних матеріалів і визначено, що оптимальною є температура синтезу 1300 °С. Дослідження нанокабелів BN―SiC методом просвічуючої електронної мікроскопії показали, що товщина покриттів становить 10―20 нм, а сформований шар покриття є гексагональним.
|
| first_indexed | 2025-12-07T15:28:10Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-17690 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | XXXX-0048 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T15:28:10Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Силенко, П.М. Шлапак, А.М. Пилипчук, О.Ф. Дьячков, П.М. Солонін, Ю.М. 2011-03-05T23:19:18Z 2011-03-05T23:19:18Z 2009 Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія / П.М. Силенко, А.М. Шлапак, О.Ф. Пилипчук, П.М. Дьячков, Ю.М. Солонін // Электронная микроскопия и прочность материалов: Сб. научн . тр. — К.: ІПМ НАН України, 2009. — Вип. 16. — С. 136-141. — Бібліогр.: 16 назв. — укр. XXXX-0048 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/17690 661.1:661.65:661.68:669.046 Проведено розрахунки залежності потенціалу Гіббса від температури для різних реакцій синтезу BN. В результаті дослідження процесу синтезу покриттів BN на поверхні нановолокон SiC методом хімічного газофазного осадження розроблено методику формування покриттів BN із нетоксичних вихідних матеріалів і визначено, що оптимальною є температура синтезу 1300 °С. Дослідження нанокабелів BN―SiC методом просвічуючої електронної мікроскопії показали, що товщина покриттів становить 10―20 нм, а сформований шар покриття є гексагональним. uk Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія Article published earlier |
| spellingShingle | Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія Силенко, П.М. Шлапак, А.М. Пилипчук, О.Ф. Дьячков, П.М. Солонін, Ю.М. |
| title | Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія |
| title_full | Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія |
| title_fullStr | Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія |
| title_full_unstemmed | Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія |
| title_short | Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія |
| title_sort | виготовлення нанокабелів bn—sic методом cvd, їх структура та морфологія |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/17690 |
| work_keys_str_mv | AT silenkopm vigotovlennânanokabelívbnsicmetodomcvdíhstrukturatamorfologíâ AT šlapakam vigotovlennânanokabelívbnsicmetodomcvdíhstrukturatamorfologíâ AT pilipčukof vigotovlennânanokabelívbnsicmetodomcvdíhstrukturatamorfologíâ AT dʹâčkovpm vigotovlennânanokabelívbnsicmetodomcvdíhstrukturatamorfologíâ AT solonínûm vigotovlennânanokabelívbnsicmetodomcvdíhstrukturatamorfologíâ |